-
CISSOID公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售CISSOID產品的經銷協議
【導讀】中國北京與比利時 Mont-Saint-Guibert，2014 年 5 月 5 日——高溫及長壽命半導體解決方案方面的領先供應商 CISSOID 公司，宣布與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售其產品的重大經銷協議。諾衛(wèi)卡公司現
-
安捷倫推出支持 SSIC、CSI-3 接口的協議分析儀
21ic訊 安捷倫科技公司日前宣布，用于下一代移動計算應用的 U4431A MIPI® M-PHY® 協議分析儀增加了 SSIC 和 CSI-3 支持。新增支持能夠幫助研發(fā)和制造工程師深入分析 MIPI M-PHY 設計。CSI-3(數字相機串行接
-
新型SiC功率器件在Boost電路中的應用分析
摘要：分析新型SiC功率器件在實際應用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對SiC MOSFET柵極電阻對開關特性的影響，以及開關頻率與傳輸效率的關系進行了闡述。同時，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后
-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代功率半導體加速導入 元器件廠商拼殺
與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代功率半導體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足
與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后
-
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代功率半導體：元件開發(fā)競爭激烈
與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)
-
碳化硅肖特基二極管在電源中的應用
功率因數校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)
-
SIC：全球半導體收益較上月減少11%
據外媒EETimes報道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半導體產業(yè)協會）公布調查數據，全球半導體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預測。SIC表示除閃存外的半導體行業(yè)各領域高于10月
-
SIC：全球半導體收益較上月減少11%
12月5日消息，據外媒EETimes報道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半導體產業(yè)協會）公布調查數據，全球半導體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預測。SIC表示除閃存外的半導體行業(yè)各
-
全球半導體收益較上月減少11%
據外媒EETimes報道，SIC（Semiconductor Industry Association，半導體產業(yè)協會）公布調查數據，全球半導體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預測。SIC表示除閃存外的半導體行業(yè)各領域高于10
-
SIC：全球半導體收益較上月減少11%
據外媒EETimes報道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半導體產業(yè)協會）公布調查數據，全球半導體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預測。SIC表示除閃存外的半導體行業(yè)各領域高于10月
-
SIC：全球半導體收益較上月減少11%
據外媒EETimes報道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半導體產業(yè)協會）公布調查數據，全球半導體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預測。SIC表示除閃存外的半導體行業(yè)各領域高于10月
-
科瑞在SiC基片市場占有較高份額
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產品，6英寸(150mm)產品的結晶缺陷也越來越少。 美國科銳(Cree)在SiC基片市場上占有較高份額，從該公
情歌被打敗
sw小位
yangbingru
神經男
paranoea2018
stm32jy
季冬
ddllxxrr
15775802523
15775802523
15775802523
15775802523
15775802523
huanxf
oschinanet
jeakjiang
潛力變實力
w32m
快意恩仇
huihua001
