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SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高 SiC基片市場(chǎng)科銳占有較高份額

制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產(chǎn)品，6英寸（150mm）產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。 美國(guó)科銳（CREE）在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額

顯示光電
2013-11-29

SIC 科銳元件 LED
科銳：SiC基片的結(jié)晶質(zhì)量逐年提高

制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產(chǎn)品，6英寸（150mm）產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。美國(guó)Cree在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額，從該公

顯示光電
2013-11-25

SIC 科銳元件 LED
TeliaSonera新增18400公里光纖骨干網(wǎng)絡(luò)

瑞典和芬蘭領(lǐng)先運(yùn)營(yíng)商TeliaSonera服務(wù)美國(guó)市場(chǎng)的批發(fā)子公司——TeliaSonera International Carrier(TSIC)宣布它已經(jīng)完成了主要的北美網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)張，其全球光纖骨干網(wǎng)絡(luò)新增了18400公里。TSIC截止到2014年12月3

通信技術(shù)
2013-11-20

光纖 TE SIC
美國(guó)科銳在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額

制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品，6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。美國(guó)科銳(Cree)在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額，從該公司在SiC國(guó)際學(xué)會(huì)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-11-20

SIC 科銳元件 LED
SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高 6英寸微管密度降至0.01個(gè)/平方厘米

制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品，6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。美國(guó)科銳(Cree)在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額，從該公司在SiC國(guó)際學(xué)會(huì)

顯示光電
2013-11-19

SIC 科銳元件 LED
SiC二極管通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)

通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成

半導(dǎo)體
2013-11-18

二極管導(dǎo)通電阻 CRM SIC
SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高，6英寸微管密度降至0.01個(gè)/平方厘米

制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產(chǎn)品，6英寸（150mm）產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。美國(guó)科銳（Cree）在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額，從該公司在Si

半導(dǎo)體
2013-11-18

SIC 科銳元件 LED
SiC半導(dǎo)體元件“真命天子” 溝道MOSFET即將實(shí)用化

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)“溝道型”SiC MOSFET’（電裝解說員）。在2013年10月舉辦的‘CEATEC JAPAN 2013’上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖

顯示光電
2013-11-16

半導(dǎo)體 MOSFET SIC 元件
“可將SiC基片的制造成本至少減半”，日企提出新制造方法

日本風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Sicoxs開發(fā)出了低成本生產(chǎn)制作SiC功率元件使用的SiC單晶基片的新方法，主要是通過減小SiC單晶體的厚度來削減成本。據(jù)介紹，采用新方法后，可將制造成本降至原來的1/2以下。制造方法如下。首先，將單晶S

半導(dǎo)體
2013-11-15

單晶 CRM SIC 元件
揭秘IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的動(dòng)力來源

據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報(bào)告，IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步。具體而言，市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美元。IGBT將在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車(EV/HEV)、再生能

消費(fèi)電子
2013-11-11

IGBT GAN HEV SIC
揭秘IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的動(dòng)力來源

21ic訊據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報(bào)告，IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步。具體而言，市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美

電源
2013-11-08

IGBT GAN HEV SIC
PEC電力電子西安站蓄勢(shì)待發(fā)

由愛戴愛集團(tuán)主辦，《Bodo's功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會(huì)蘇州站于10月25-26號(hào)蘇州會(huì)議中心落下帷幕。繼PEC電力電子蘇州站圓滿結(jié)束后，PEC電力電子西安站蓄勢(shì)待發(fā)。據(jù)PEC組委會(huì)工作人員表示：PEC電力電子蘇州

半導(dǎo)體
2013-11-07

電力電子半導(dǎo)體制造 GAN SIC
Microsemi 擴(kuò)展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列

新器件以緊湊的占位面積實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)效率提升21ic訊美高森美公司(Microsemi Corporation) 擴(kuò)展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄

功率器件
2013-11-05

產(chǎn)品系列碳化硅肖特基 SIC
SiC功率半導(dǎo)體元件的“真命天子”，溝道MOSFET即將實(shí)用化

“高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)‘溝道型’SiC MOSFET”（電裝解說員）。在2013年10月舉辦的“CEATEC JAPAN 2013”上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖1）。其中包括了兩大“驚

半導(dǎo)體
2013-10-29

功率半導(dǎo)體 MOSFET SIC 元件
利用低功耗SiC電源制備SiC晶體日新技研展示高頻加熱電源

生產(chǎn)和銷售制造設(shè)備用高頻電源等產(chǎn)品的日新技研試制出了利用SiC功率元件的高頻加熱電源，并在SiC相關(guān)國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”并設(shè)的展會(huì)上進(jìn)行了展示。該公司表示，與利用Si功率元件時(shí)相比，利用SiC功率元

半導(dǎo)體
2013-10-29

低功耗晶體加熱電源 SIC
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產(chǎn)刻蝕系統(tǒng)

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊日本上市公司薩姆肯（Samco）發(fā)布了新型晶片盒生產(chǎn)蝕刻系統(tǒng) ，處理SiC加工，型號(hào)為RIE-600iPC。系統(tǒng)主要應(yīng)用在碳化硅功率儀器平面加工、SiC MOS結(jié)構(gòu)槽刻蝕形成晶圓刻蝕SiC和SiO2掩膜刻蝕

顯示光電
2013-10-24

晶圓碳化硅 IPC SIC
磨刀霍霍：各企業(yè)紛紛瞄準(zhǔn)6英寸SiC晶圓

近日，關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”于日本宮崎縣舉行。在展場(chǎng)內(nèi)，多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸（150mm）的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3～4英寸（75mm～100mm）晶圓的下一代產(chǎn)品?？其J已率先

顯示光電
2013-10-18

晶圓基板 CRYSTAL SIC
多家LED巨頭紛紛瞄準(zhǔn)6英寸SiC晶圓市場(chǎng)

近日，關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”于日本宮崎縣舉行。在展場(chǎng)內(nèi)，多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸(150mm)的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3～4英寸(75mm～100mm)晶圓的下一代產(chǎn)品?？其J已率先供貨6

顯示光電
2013-10-13

晶圓基板 SIC LED
山東天岳及韓國(guó)SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(日本宮

消費(fèi)電子
2013-10-12

功率半導(dǎo)體晶圓 SIC 元件
山東天岳及韓國(guó)SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013&rdq

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-10-11

功率半導(dǎo)體晶圓 SIC 元件

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SIC

SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高 SiC基片市場(chǎng)科銳占有較高份額

科銳：SiC基片的結(jié)晶質(zhì)量逐年提高

TeliaSonera新增18400公里光纖骨干網(wǎng)絡(luò)

美國(guó)科銳在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額

SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高 6英寸微管密度降至0.01個(gè)/平方厘米

SiC二極管通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)

SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高，6英寸微管密度降至0.01個(gè)/平方厘米

SiC半導(dǎo)體元件“真命天子” 溝道MOSFET即將實(shí)用化

“可將SiC基片的制造成本至少減半”，日企提出新制造方法

揭秘IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的動(dòng)力來源

揭秘IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的動(dòng)力來源

PEC電力電子西安站蓄勢(shì)待發(fā)

Microsemi 擴(kuò)展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列

SiC功率半導(dǎo)體元件的“真命天子”，溝道MOSFET即將實(shí)用化

利用低功耗SiC電源制備SiC晶體日新技研展示高頻加熱電源

日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產(chǎn)刻蝕系統(tǒng)

磨刀霍霍：各企業(yè)紛紛瞄準(zhǔn)6英寸SiC晶圓

多家LED巨頭紛紛瞄準(zhǔn)6英寸SiC晶圓市場(chǎng)

山東天岳及韓國(guó)SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

山東天岳及韓國(guó)SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

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