制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品,6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。 美國(guó)科銳(CREE)在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品,6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。 美國(guó)Cree在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額,從該公
瑞典和芬蘭領(lǐng)先運(yùn)營(yíng)商TeliaSonera服務(wù)美國(guó)市場(chǎng)的批發(fā)子公司——TeliaSonera International Carrier(TSIC)宣布它已經(jīng)完成了主要的北美網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)張,其全球光纖骨干網(wǎng)絡(luò)新增了18400公里。TSIC截止到2014年12月3
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品,6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。美國(guó)科銳(Cree)在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額,從該公司在SiC國(guó)際學(xué)會(huì)
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品,6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。 美國(guó)科銳(Cree)在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額,從該公司在SiC國(guó)際學(xué)會(huì)
通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產(chǎn)品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中,基片的電阻成
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品,6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。 美國(guó)科銳(Cree)在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額,從該公司在Si
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板,在2015年投產(chǎn)“溝道型”SiC MOSFET’(電裝解說員)。在2013年10月舉辦的‘CEATEC JAPAN 2013’上,電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)(圖
日本風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Sicoxs開發(fā)出了低成本生產(chǎn)制作SiC功率元件使用的SiC單晶基片的新方法,主要是通過減小SiC單晶體的厚度來削減成本。據(jù)介紹,采用新方法后,可將制造成本降至原來的1/2以下。 制造方法如下。首先,將單晶S
據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報(bào)告,IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后,今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步。具體而言,市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元,在5年后達(dá)到60億美元。IGBT將在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車(EV/HEV)、再生能
21ic訊 據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報(bào)告,IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后,今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步。具體而言,市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元,在5年后達(dá)到60億美
由愛戴愛集團(tuán)主辦,《Bodo's功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會(huì)蘇州站于10月25-26號(hào)蘇州會(huì)議中心落下帷幕。繼PEC電力電子蘇州站圓滿結(jié)束后,PEC電力電子西安站蓄勢(shì)待發(fā)。據(jù)PEC組委會(huì)工作人員表示:PEC電力電子蘇州
新器件以緊湊的占位面積實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)效率提升21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 擴(kuò)展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列,推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列,新型二極管產(chǎn)品瞄
“高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板,在2015年投產(chǎn)‘溝道型’SiC MOSFET”(電裝解說員)。 在2013年10月舉辦的“CEATEC JAPAN 2013”上,電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)(圖1)。其中包括了兩大“驚
生產(chǎn)和銷售制造設(shè)備用高頻電源等產(chǎn)品的日新技研試制出了利用SiC功率元件的高頻加熱電源,并在SiC相關(guān)國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”并設(shè)的展會(huì)上進(jìn)行了展示。該公司表示,與利用Si功率元件時(shí)相比,利用SiC功率元
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 日本上市公司薩姆肯(Samco)發(fā)布了新型晶片盒生產(chǎn)蝕刻系統(tǒng) ,處理SiC加工,型號(hào)為RIE-600iPC。系統(tǒng)主要應(yīng)用在碳化硅功率儀器平面加工、SiC MOS結(jié)構(gòu)槽刻蝕形成晶圓刻蝕SiC和SiO2掩膜刻蝕
近日,關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”于日本宮崎縣舉行。在展場(chǎng)內(nèi),多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸(150mm)的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3~4英寸(75mm~100mm)晶圓的下一代產(chǎn)品??其J已率先
近日,關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”于日本宮崎縣舉行。在展場(chǎng)內(nèi),多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸(150mm)的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3~4英寸(75mm~100mm)晶圓的下一代產(chǎn)品??其J已率先供貨6
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(日本宮
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013&rdq