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SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高 SiC基片市場科銳占有較高份額
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產(chǎn)品，6英寸（150mm）產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。 美國科銳（CREE）在SiC基片市場上占有較高份額
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科銳：SiC基片的結(jié)晶質(zhì)量逐年提高
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產(chǎn)品，6英寸（150mm）產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。 美國Cree在SiC基片市場上占有較高份額，從該公
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TeliaSonera新增18400公里光纖骨干網(wǎng)絡(luò)
瑞典和芬蘭領(lǐng)先運營商TeliaSonera服務(wù)美國市場的批發(fā)子公司——TeliaSonera International Carrier(TSIC)宣布它已經(jīng)完成了主要的北美網(wǎng)絡(luò)擴張，其全球光纖骨干網(wǎng)絡(luò)新增了18400公里。TSIC截止到2014年12月3
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美國科銳在SiC基片市場上占有較高份額
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品，6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。美國科銳(Cree)在SiC基片市場上占有較高份額，從該公司在SiC國際學(xué)會
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SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高 6英寸微管密度降至0.01個/平方厘米
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品，6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。 美國科銳(Cree)在SiC基片市場上占有較高份額，從該公司在SiC國際學(xué)會
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SiC二極管 通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢
通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成
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SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高，6英寸微管密度降至0.01個/平方厘米
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產(chǎn)品，6英寸（150mm）產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。 美國科銳（Cree）在SiC基片市場上占有較高份額，從該公司在Si
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SiC半導(dǎo)體元件“真命天子” 溝道MOSFET即將實用化
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)“溝道型”SiC MOSFET’（電裝解說員）。在2013年10月舉辦的‘CEATEC JAPAN 2013’上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖
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“可將SiC基片的制造成本至少減半”，日企提出新制造方法
日本風(fēng)險企業(yè)Sicoxs開發(fā)出了低成本生產(chǎn)制作SiC功率元件使用的SiC單晶基片的新方法，主要是通過減小SiC單晶體的厚度來削減成本。據(jù)介紹，采用新方法后，可將制造成本降至原來的1/2以下。 制造方法如下。首先，將單晶S
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揭秘IGBT市場成長的動力來源
據(jù)市場研究機構(gòu)Yole的最新報告，IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美元。IGBT將在電動車/動力混合汽車(EV/HEV)、再生能
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揭秘IGBT市場成長的動力來源
21ic訊 據(jù)市場研究機構(gòu)Yole的最新報告，IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美
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PEC電力電子西安站蓄勢待發(fā)
由愛戴愛集團主辦，《Bodo's功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會蘇州站于10月25-26號蘇州會議中心落下帷幕。繼PEC電力電子蘇州站圓滿結(jié)束后，PEC電力電子西安站蓄勢待發(fā)。據(jù)PEC組委會工作人員表示：PEC電力電子蘇州
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Microsemi 擴展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列 推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列
新器件以緊湊的占位面積實現(xiàn)系統(tǒng)效率提升21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 擴展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄
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SiC功率半導(dǎo)體元件的“真命天子”，溝道MOSFET即將實用化
“高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)‘溝道型’SiC MOSFET”（電裝解說員）。 在2013年10月舉辦的“CEATEC JAPAN 2013”上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖1）。其中包括了兩大“驚
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利用低功耗SiC電源制備SiC晶體 日新技研展示高頻加熱電源
生產(chǎn)和銷售制造設(shè)備用高頻電源等產(chǎn)品的日新技研試制出了利用SiC功率元件的高頻加熱電源，并在SiC相關(guān)國際學(xué)會“ICSCRM 2013”并設(shè)的展會上進行了展示。該公司表示，與利用Si功率元件時相比，利用SiC功率元
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日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產(chǎn)刻蝕系統(tǒng)
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 日本上市公司薩姆肯（Samco）發(fā)布了新型晶片盒生產(chǎn)蝕刻系統(tǒng) ，處理SiC加工，型號為RIE-600iPC。系統(tǒng)主要應(yīng)用在碳化硅功率儀器平面加工、SiC MOS結(jié)構(gòu)槽刻蝕形成晶圓刻蝕SiC和SiO2掩膜刻蝕
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磨刀霍霍：各企業(yè)紛紛瞄準(zhǔn)6英寸SiC晶圓
近日，關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國際學(xué)會“ICSCRM 2013”于日本宮崎縣舉行。在展場內(nèi)，多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸（150mm）的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3～4英寸（75mm～100mm）晶圓的下一代產(chǎn)品?？其J已率先
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多家LED巨頭紛紛瞄準(zhǔn)6英寸SiC晶圓市場
近日，關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國際學(xué)會“ICSCRM 2013”于日本宮崎縣舉行。在展場內(nèi)，多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸(150mm)的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3～4英寸(75mm～100mm)晶圓的下一代產(chǎn)品。科銳已率先供貨6
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山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013”(日本宮
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山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013&rdq
