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領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)
目前，功率轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)快速演進(jìn)，將來(lái)也會(huì)快速發(fā)展，從簡(jiǎn)單的高性價(jià)比設(shè)計(jì)模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)，比如，生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動(dòng)使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。這也意味著，要用更高的工作電壓來(lái)管理更高的功率，卻不能增加重量和尺寸，比如，太陽(yáng)能串式逆變器和電動(dòng)汽車牽引電機(jī)等應(yīng)用場(chǎng)合。
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憑借對(duì)SiC MOSFET的大力推廣 世強(qiáng)獲Littelfuse最佳市場(chǎng)開(kāi)發(fā)代理商
近日，全球排名第一的電路保護(hù)品牌Littelfuse向世強(qiáng)頒發(fā)了“最佳市場(chǎng)開(kāi)發(fā)代理商獎(jiǎng)”，以表彰其2018年在產(chǎn)品推廣與市場(chǎng)開(kāi)發(fā)方面所作出的杰出貢獻(xiàn)。
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第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件
1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、G
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美高森美發(fā)布創(chuàng)新SiC MOSFET系列
新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應(yīng)用的系統(tǒng)效率，并提供最大功效，幫助客戶開(kāi)發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計(jì)致力于提供功率、安全、可靠
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性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊
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領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)
目前，功率轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)快速演進(jìn)，將來(lái)也會(huì)快速發(fā)展，從簡(jiǎn)單的高性價(jià)比設(shè)計(jì)模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)，比如，生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動(dòng)使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。
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羅姆攜多款車載元器件新品，亮相“2018北京國(guó)際智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)展覽會(huì)”
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國(guó)國(guó)際展覽中心舉辦的“2018北京國(guó)際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會(huì)”(展位號(hào)：2展館T213)。以“用半導(dǎo)體為汽車的未來(lái)做貢獻(xiàn)”為理念
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低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度
相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
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我國(guó)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破
SiC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動(dòng)汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域的核心材料，具有重要的應(yīng)用價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。
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美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢(shì)壘二極管器件
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢(shì)壘二極
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SiC下，電源半導(dǎo)體如何應(yīng)對(duì)能源問(wèn)題
作為電力電子器件，SiC器件在低壓領(lǐng)域如高端的白色家電、電動(dòng)汽車等由于成本因素，逐漸失去了競(jìng)爭(zhēng)力。但在高壓領(lǐng)域，如高速列車、風(fēng)力發(fā)電以及智能電網(wǎng)等，SiC具有不可替代性的優(yōu)勢(shì)。
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第三代半導(dǎo)體SiC在人工智能中的應(yīng)用
2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到存儲(chǔ)器價(jià)格上揚(yáng)、虛擬貨幣高漲、數(shù)據(jù)中心與云端企業(yè)因應(yīng)人工智能(AI)應(yīng)用大幅采用繪圖處理器(GPU)，以及電競(jìng)比賽普及等帶動(dòng)，整體營(yíng)收及獲利明顯增長(zhǎng)，展望2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模仍將持續(xù)成長(zhǎng)……
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在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處
本文評(píng)測(cè)了主開(kāi)關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開(kāi)關(guān)管提升了開(kāi)關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大。
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ROHM帶來(lái)車載電源IC和SiC的技術(shù)革新
近幾年，家庭購(gòu)置家用車越來(lái)越多的會(huì)選擇電動(dòng)汽車，這其中固然有國(guó)家的支持和補(bǔ)貼政策的因素，更重要的是，電動(dòng)汽車本身也有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)足以打動(dòng)消費(fèi)者的心：首先是環(huán)保，電動(dòng)汽車的百公里耗電量為15-20kwh，算上發(fā)電廠
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淺談第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
材料、信息、能源構(gòu)筑的當(dāng)代文明社會(huì)，缺一不可。半導(dǎo)體不僅具有極其豐富的物理內(nèi)涵，而且其性能可以置于不斷發(fā)展的精密工藝控制之下，可謂是“最有料”的材料。在不久的將來(lái)，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，無(wú)論是在軍用領(lǐng)域還是在民用市場(chǎng)，都是世界各國(guó)爭(zhēng)奪的戰(zhàn)略陣地。
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QORVO新推GAN-ON-SIC晶體管，提高戰(zhàn)術(shù)和公共安全電臺(tái)的效率和帶寬
Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶體管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011，該晶體管系列可以提高性能、增強(qiáng)功能，并加快任務(wù)關(guān)鍵型戰(zhàn)術(shù)和公共安全電臺(tái)的開(kāi)發(fā)速度。這些晶體管針對(duì)寬帶應(yīng)用進(jìn)行過(guò)輸入匹配處理，并且尺寸小巧，可以實(shí)現(xiàn)尺寸更小的新一代通信設(shè)備。
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ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強(qiáng)大!
——支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001)，有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出
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新材料江湖博弈之局，第三代半導(dǎo)體材料大勢(shì)所趨
繼第一代元素半導(dǎo)體材料(si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料后，第三代禁帶寬度半導(dǎo)體材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已經(jīng)在獲得了眾多半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可。第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速
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SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值 2020年破10億美元
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來(lái)愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽(SiC)功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場(chǎng)加速采用;與此同時(shí)，氮化鎵(GaN)功率半
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高交會(huì)系列之ROHM：電源之外亦有新天地
2015年11月16日～11月21日，中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)(簡(jiǎn)稱高交會(huì))在深圳會(huì)展中心隆重舉行。高交會(huì)集成果交易、產(chǎn)品展示、高層論壇、項(xiàng)目招商、合作交流于一體，是目前中國(guó)規(guī)模最大、最具影響力的科技類展會(huì)，有&
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