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SiC MOSFET在汽車和電源中的應(yīng)用
科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展推動(dòng)者電子元器件的不斷革新，傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。
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ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車車載充電器
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國(guó)汽車行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商
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安森美推出寬禁帶器件：900V和1200V SiC MOSFET
新的SiC MOSFET器件實(shí)現(xiàn)更好的性能、更高的能效和能在嚴(yán)苛條件下工作
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CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模塊問(wèn)市
這個(gè)全新的可擴(kuò)展平臺(tái)同時(shí)優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)及其臨界控制，對(duì)于電動(dòng)汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡(jiǎn)潔電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)制造商而言，該平臺(tái)可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。
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CISSOID強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動(dòng)器為 Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅（SiC）功率模塊提供支持
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動(dòng)器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模塊。
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新型IGBT誕生，made in China
當(dāng)前，碳化硅基功率器件面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，現(xiàn)有的碳化硅基肖特基二極管，MOSFET等器件并不能有效地滿足實(shí)際應(yīng)用需要，對(duì)IGBT器件的需求日益迫切，必須突破碳化硅基IGBT研究中的瓶頸問(wèn)題，增加器件耐壓強(qiáng)度
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除了業(yè)界最小RDSon之外，與硅器件相同的驅(qū)動(dòng)特性才是United SiC FET的殺手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共柵的方式將其燒結(jié)在一起，是United SiC的最大設(shè)計(jì)特色。這種結(jié)構(gòu)確保其產(chǎn)品可以保持與Si類功率器件保持一致的驅(qū)動(dòng)電壓，從而可以幫助可以直接在原有的Si基礎(chǔ)的電路中進(jìn)行直接的升級(jí)和替換。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的業(yè)界最低Rds(on)將SiC器件的性能提升到了新的高度，面對(duì)電動(dòng)汽車和5G等全新應(yīng)用需求，United SiC可以給客戶提供集成度更高、更加高效、更為穩(wěn)定可靠的解決方案。
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為什么超低阻抗SiC FET受歡迎？
與包括SiC MOSFET、硅MOSFET和GaN HEMT在內(nèi)的其他可用功率晶體管相比，常開型SiC JFET的單位芯片面積具有更低的導(dǎo)通阻抗。如圖1a所示，當(dāng)?shù)蛪篗OSFET堆疊在JFET上時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)圖1b的共源共柵架構(gòu)，就形成了低阻抗常關(guān)斷型開關(guān)
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UnitedSiC新款SiC FET
新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布將推出四種新型SiC FET――UF3SC。據(jù)介紹，該產(chǎn)品的RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器
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意法半導(dǎo)體完成對(duì)碳化硅晶圓廠商N(yùn)orstel AB的并購(gòu)
?從材料專業(yè)知識(shí)和工藝工程，到SiC MOSFET和二極管設(shè)計(jì)制造，意法半導(dǎo)體加強(qiáng)內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)
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科銳與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議
科銳與意法半導(dǎo)體宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有多年長(zhǎng)期碳化硅(SiC)晶圓供應(yīng)協(xié)議至5億多美元。意法半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域。這一延伸協(xié)議是原先協(xié)議價(jià)值的雙倍，科銳將在未來(lái)數(shù)年向意法半導(dǎo)體提供先進(jìn)的150mm SiC裸晶圓和外延片。這一提升的晶圓供應(yīng)，幫助意法半導(dǎo)體應(yīng)對(duì)在全球范圍內(nèi)快速增長(zhǎng)的SiC功率器件需求，特別是在汽車應(yīng)用和工業(yè)應(yīng)用。
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SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)顯著
摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)。
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1200V 450A全SiC半橋功率模塊問(wèn)世
根據(jù)Wolfspeed的說(shuō)法，該半橋模塊利用了公司優(yōu)化的第三代MOSFET技術(shù)。XM3的SiC封裝最高支持175°C。 Wolfspeed表示，XM3功率模塊平臺(tái)可最大限度地發(fā)揮SiC的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)保持模塊和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的穩(wěn)健，簡(jiǎn)單和經(jīng)濟(jì)高效等特性。
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關(guān)于SiC在電動(dòng)車市場(chǎng)的應(yīng)用
電源設(shè)計(jì)的工程師已經(jīng)意識(shí)到SiC晶體管確實(shí)是新開關(guān)模式設(shè)計(jì)的最佳選擇，雖然它們可能比替代品貴一點(diǎn)，但它們提供了更多優(yōu)勢(shì)。以下是SiC與MOSFET和IGBT相比的優(yōu)勢(shì)：
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科銳將在美國(guó)建造全球最大SiC制造廠
這一新制造工廠是先前所宣布計(jì)劃的一部分，旨在顯著提升用于Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的產(chǎn)能，將建設(shè)成為一座規(guī)模更大、高度自動(dòng)化和更高生產(chǎn)能力的工廠。
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意法半導(dǎo)體提供先進(jìn)的碳化硅功率電子器件，助力雷諾-日產(chǎn)-三菱聯(lián)盟下一代電動(dòng)汽車快充技術(shù)研發(fā)
·碳化硅(SiC)是一種性能極高的功率半導(dǎo)體技術(shù)，使可持續(xù)發(fā)展的智慧出行模式前景可期 ·意法半導(dǎo)體SiC器件的高能效、耐高溫表現(xiàn)、高可靠性和小尺寸讓電動(dòng)汽車更具吸引力
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賀利氏鉑電阻溫度傳感器亮相2019中國(guó)(上海)傳感器技術(shù)與應(yīng)用展
近年來(lái)，由于市場(chǎng)對(duì)傳感器技術(shù)的需求不斷增長(zhǎng)，賀利氏憑借適用于各類應(yīng)用的溫度傳感器產(chǎn)品取得了強(qiáng)勁的增長(zhǎng)。賀利氏溫度傳感器能夠精確測(cè)量高達(dá)1050°C的溫度，強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)讓賀利氏在鉑電阻傳感器市場(chǎng)不斷擴(kuò)大市場(chǎng)份額。
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SiC等新一代材料的功率器件開發(fā)
在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會(huì)關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。從誕生之日起，市場(chǎng)對(duì)功率器件的需求都是一致的，即追求更快的開關(guān)速度、更高的耐壓、更大的電流、更強(qiáng)的耐沖擊性能、更好的高頻性能、更低的驅(qū)動(dòng)損耗等。
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減少功率轉(zhuǎn)換損耗的SiC功率器件
在現(xiàn)代能源基礎(chǔ)設(shè)施中，電力電子技術(shù)仍以過(guò)去幾十年的陳舊技術(shù)為基礎(chǔ)。隨著社會(huì)的不斷進(jìn)步，技術(shù)的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設(shè)計(jì)者來(lái)設(shè)計(jì)，功率器件對(duì)電子產(chǎn)品是功不可沒的。硅材料在很多方面已經(jīng)接近其理論性能極限，因此業(yè)界在不斷尋找新的半導(dǎo)體元器件材料，以期從根本上提升轉(zhuǎn)化和利用電力的效率。
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安森美的SiC及GaN產(chǎn)品
在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會(huì)去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實(shí)里面很重要的是功率器件。更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量(+ 400TWh)的3%，也占總溫室氣體排放量的2%，與航空業(yè)的碳排放量相同。
小莊2
huaohui
王林鑫
paderboy
01XO
01XO
jjsshen
侯森
漩渦銘人
wuyi1981
flamer
ohy3686
LUZHIYONG
liuchnegjie
zqykkkk
vftom3
zss113
李偉億
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