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聚焦“SiC”與“GaN”—新一代功率元器件的前沿
前言 在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力爭更低功
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電裝等展出世界最高品質(zhì)的6英寸SiC基板
電裝、豐田中央研究所、昭和電工在于東京有明國際會展中心舉行的“nano tech 2013”（第12屆國際納米技術(shù)綜合展）上，展出了共同開發(fā)的口徑為6英寸的SiC基板。該基板的特點在于位錯（缺陷）密度為數(shù)千個/cm2，“比市
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美高森美擴(kuò)展碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品系列
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide，SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘
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SiC和GaN來到身邊
2013年1份月已過去大半，筆者想在此介紹一個2013年將受關(guān)注的領(lǐng)域。雖然這樣的領(lǐng)域很多，但筆者此次要說的是SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體的動向。該領(lǐng)域之所以會受到關(guān)注，是因為在2013年，新一代功率半導(dǎo)體的使用范圍
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄面臨直接競爭
進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。SiC早在
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下
進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料
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飛兆：2013年SiC市場將正式啟動
“受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，目前阻礙SiC產(chǎn)品大規(guī)模進(jìn)入市場的主要原因是價格昂貴，一般是同類Si產(chǎn)品的10倍左右。我個人認(rèn)為2013年SiC市場將正式啟動，在未來2-3年SiC BJT器件有可能首先成為最先被市場接受
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iTunesiCloud和Maps業(yè)務(wù)掌門出售1.5萬股蘋果票
據(jù)國外媒體報道，蘋果今天向美國證券交易委員會提交的材料顯示，蘋果iTunes、iCloud和Maps業(yè)務(wù)掌門埃迪·庫伊(Eddy Cue)上周出售了1.5萬股股票，平均售價略低于584美元，套現(xiàn)不到876萬美元。庫伊去年9月份被提
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充用于固態(tài)照明系統(tǒng)的恒流穩(wěn)流器產(chǎn)品陣容
21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出了針對固態(tài)照明系統(tǒng)而設(shè)計的全新的NSIC20XX系列線性恒流穩(wěn)流器(CCR)。新的NSIC20XX系列CCR提供120伏(V)的最大額定電壓及3瓦(W)功率，能夠承受數(shù)字標(biāo)牌、照明板及裝飾性照明
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飛兆碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案 適用功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進(jìn)行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器、高密度電源、汽
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中國電能質(zhì)量治理市場快步上揚，松下元器件帶來改善解決方案
中國經(jīng)濟(jì)迅速增長的背后離不開電能的支持，各行各業(yè)對電能的需求量以及對電能質(zhì)量的要求正越來越高。隨著電能質(zhì)量治理市場規(guī)模的不斷放大，該市場已成為人們關(guān)注的熱點之一，因而也成為2012年第十四屆高交會電子展中
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飛兆半導(dǎo)體公司發(fā)布了碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案
21ic訊 為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進(jìn)行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器、高密度
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美高森美公司推出全新1200V肖特基二極管系列
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探
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耐2萬伏超高壓半導(dǎo)體器件成功被日本研制
日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體二極
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知名半導(dǎo)體制造商羅姆：綜合解決方案提供者
對于來到中國的外資半導(dǎo)體企業(yè)，在需求多變的市場中如何實現(xiàn)本地化、拓展市場和提升競爭力成為他們面臨的共同問題。世界知名半導(dǎo)體制造商羅姆，憑借獨有的、多元化的高品質(zhì)產(chǎn)品群，在產(chǎn)品線布局上，統(tǒng)籌兼顧、有的放
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英飛凌先進(jìn)工藝將太陽能逆變器效率提升一倍
太陽能的轉(zhuǎn)換效率問題是制約其應(yīng)用的一個巨大挑戰(zhàn)，業(yè)界正在為每一個進(jìn)步而努力。日前英飛凌高管，負(fù)責(zé)銷售、市場、戰(zhàn)略和兼并的管理委員會成員Arunjai Mittal對本刊表示，英飛凌采用先進(jìn)SiC工藝的JFET技術(shù)，可以將太
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CEATEC 2012羅姆:開關(guān)損耗降低85% SiC功率半導(dǎo)體助建節(jié)能社會
21ic訊 10月2日-10月6日，CEATEC 2012如期召開，本屆CEATEC主題重點關(guān)注：Smart Innovation-豐富多彩的生活和社會的創(chuàng)造當(dāng)今世界隨著個人生活、商務(wù)、行業(yè)、社會系統(tǒng)的全面網(wǎng)絡(luò)技術(shù)活用已在逐步孕育構(gòu)筑高效的智能社
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GSM翻頻技術(shù)
翻頻是一種合理的優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)手段。經(jīng)過平時長期地擴(kuò)容調(diào)整和工程建設(shè)，網(wǎng)絡(luò)頻率相對來說比較雜亂，現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)頻點已不適合繼續(xù)應(yīng)用或現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)因不斷的新增建設(shè)，導(dǎo)致頻點資源混亂出現(xiàn)干擾，此時需對整網(wǎng)頻點重新規(guī)劃，使
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GSM翻頻技術(shù)
GSM翻頻技術(shù)
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英飛凌成功推出第五代thinQ!TM SiC肖特基勢壘二極管
21ic訊 英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC(碳化硅)產(chǎn)品陣容。英飛凌榮獲專利的擴(kuò)散焊接工藝早已應(yīng)用于第三代產(chǎn)品，如今又成功地與更緊湊的全新設(shè)計和最新的薄晶圓技術(shù)有機結(jié)合
