MOSFET
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德儀3座晶圓廠 瞄準模擬IC
德儀（TI）近兩年分別在美國德州、日本會津若松市及中國成都大舉收購晶圓廠生產(chǎn)設(shè)備，藉以擴充模擬IC產(chǎn)量，昨（16）日臺灣區(qū)總經(jīng)理陳建村對外界說明，包括位于德州Richardson的12吋晶圓廠（RFAB）及會津若松市、成都
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺式機及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺式機及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高
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高速MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動光耦合器（飛兆）
為了滿足全球各地的能效標準要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅(qū)動等工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計人員需要具備更低功耗和更快開關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動光耦合器。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出
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高壓功率VDMOSFET的設(shè)計與研制
摘要：按照功率VDMOSFET正向設(shè)計的思路，選取(100)晶向的襯底硅片，采用多晶硅柵自對準工藝，結(jié)合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工藝仿真軟件，提取參數(shù)結(jié)果，并最終完成工藝產(chǎn)品試制，達到了500 V／8 A高壓、大電流VDMOS
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高壓功率VDMOSFET的設(shè)計與研制
摘要：按照功率VDMOSFET正向設(shè)計的思路，選取(100)晶向的襯底硅片，采用多晶硅柵自對準工藝，結(jié)合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工藝仿真軟件，提取參數(shù)結(jié)果，并最終完成工藝產(chǎn)品試制，達到了500 V／8 A高壓、大電流VDMOS
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車用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應(yīng)用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、
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Dual Cool封裝MOSFET（飛兆）
隨著功率模塊、電信和服務(wù)器等DC-DC應(yīng)用設(shè)備變得愈加空間緊湊，設(shè)計人員尋求更小的器件以應(yīng)對其設(shè)計難題，而器件的熱性能是人們關(guān)注的考慮因素。為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fa
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Dual Cool封裝MOSFET（飛兆）
隨著功率模塊、電信和服務(wù)器等DC-DC應(yīng)用設(shè)備變得愈加空間緊湊，設(shè)計人員尋求更小的器件以應(yīng)對其設(shè)計難題，而器件的熱性能是人們關(guān)注的考慮因素。為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fa
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車用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應(yīng)用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、
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滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET
當維持相同的結(jié)點溫度時，可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外，散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時，還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流，并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對其他器件的影響，也提高了系統(tǒng)的可靠性。
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控制驅(qū)動VR的方法
為減小導(dǎo)通損耗及反向恢復(fù)損耗，同步整流需要精確的時間控制電路，雖然已有幾種方法來產(chǎn)生控制信號，我們現(xiàn)在采用一種從反饋系統(tǒng)來有源控制的柵驅(qū)動信號的定時系統(tǒng)。其關(guān)鍵優(yōu)點在于該電路將根據(jù)元件狀態(tài)的變化來特
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一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡單評估方法
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
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一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡單評估方法
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
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安森美半導(dǎo)體下一代計算產(chǎn)品用平臺方案
日前，應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出一系列新產(chǎn)品，簡化及加速計算平臺的設(shè)計，包括應(yīng)用于即將發(fā)布的第二代Intel Core處理
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下一代計算產(chǎn)品用平臺方案（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出一系列新產(chǎn)品，簡化及加速計算平臺的設(shè)計，包括應(yīng)用于即將發(fā)布的第二代Intel® Core™處理器系列(代號Sandy Bridge)。這些新產(chǎn)品包括高能效電源管理器件，以及應(yīng)用于高帶
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本土IC公司推出新款600V MOSFET產(chǎn)品
功率MOSFET市場為歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，諸如Vishay、TI、凌力爾特在電源管理應(yīng)用市場，而飛兆、英飛凌等公司的高壓MOSFET廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等市場。甚至，隨著高壓功率器件市場的快速增長，幾年前IR也開始不斷
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下一代計算產(chǎn)品用平臺方案（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出一系列新產(chǎn)品，簡化及加速計算平臺的設(shè)計，包括應(yīng)用于即將發(fā)布的第二代Intel® Core™處理器系列(代號Sandy Bridge)。這些新產(chǎn)品包括高能效電源管理器件，以及應(yīng)用于高帶
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新型-30V P 溝道功率 MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS
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準諧振反激的原理、應(yīng)用及參數(shù)計算
如果不用固定的時鐘來初始化導(dǎo)通時間,而利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個最小值或谷值,并僅在這時啟動MOSFET導(dǎo)通時間,結(jié)果會是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰
