21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.宣布,其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開(kāi)始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個(gè)關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn),并且具有行業(yè)最
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.宣布,其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開(kāi)始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個(gè)關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn),并且具有行業(yè)最
摘 要: TOPSwitch Ⅱ系列芯片是Power Integration 公司生產(chǎn)的開(kāi)關(guān)電源專(zhuān)用集成電路,他將脈寬調(diào)制電路與高壓MOSFET 開(kāi)關(guān)管及驅(qū)動(dòng)電路等集成在一起,具備完善的保護(hù)功能。使用該芯片設(shè)計(jì)的小功率開(kāi)關(guān)電源,可大大減少外
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車(chē)用 MOSFET 系列,與傳統(tǒng)的 TO-262封裝相比,可減少 50% 引線(xiàn)電阻,并提高 30% 電流。這款新型車(chē)用 MOSFET 系列適合
21ic訊 DC-DC電源、馬達(dá)控制、熱插拔和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用,以及服務(wù)器的次級(jí)同步整流應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員,需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計(jì)的效率。為了滿(mǎn)足這一需求, 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild
21ic訊 DC-DC電源、馬達(dá)控制、熱插拔和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用,以及服務(wù)器的次級(jí)同步整流應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員,需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計(jì)的效率。為了滿(mǎn)足這一需求, 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild
21ic訊 Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學(xué)性能與較大的SOT23封裝器件不相上下,可以替代
高電壓MOSFET技術(shù)在過(guò)去幾年中經(jīng)歷了很大變化,給電源工程師帶來(lái)了不少選擇。只要提供有關(guān)不同技術(shù)的使用指南,就可以幫助工程師選擇合適的部件以達(dá)成其應(yīng)用的效率和成本目標(biāo)。了解不同MOSFET部件的細(xì)微差別及不同開(kāi)
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出了一款優(yōu)化版車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組,適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力和電動(dòng)車(chē)中的 DC-DC 應(yīng)用。新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)芯片組包含 AUIRL7
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出了一款優(yōu)化版車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組,適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力和電動(dòng)車(chē)中的 DC-DC 應(yīng)用。新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)芯片組包含 AUIRL7
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出了一款優(yōu)化版車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組,適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力和電動(dòng)車(chē)中的 DC-DC 應(yīng)用。新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)芯片組包含 AUIRL7
放大器電路,特點(diǎn)是運(yùn)算精度高、輸入阻抗高,增益容易調(diào)節(jié),具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級(jí)差分放大器,A3組成第二級(jí)差分 放大電路 (減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓
功率器件的選擇是做好一個(gè)電源系統(tǒng)的基本,所謂的“量體”,就是在選擇器件的時(shí)候要首先根據(jù)我們的需要,定義出我們對(duì)功率器件的實(shí)際需求。就像定做衣服一樣,我們系統(tǒng)的電流、電壓、功率、功耗
進(jìn)入2011年,澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈,這為L(zhǎng)ED燈具的大規(guī)模普及揭開(kāi)了序幕,另外,隨著歐盟各國(guó)、日本、加拿大等國(guó)家將在2012年禁止使用白熾燈,led燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升,這讓掘金綠色照明革命的中
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能,以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量?jī)?chǔ)存器件,故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外,為了獲得較低的紋波電流,建議采用較高的電
放大器電路,特點(diǎn)是運(yùn)算精度高、輸入阻抗高,增益容易調(diào)節(jié),具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級(jí)差分放大器,A3組成第二級(jí)差分 放大電路 (減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能,以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量?jī)?chǔ)存器件,故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外,為了獲得較低的紋波電流,建議采用較高的電
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能,以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量?jī)?chǔ)存器件,故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外,為了獲得較低的紋波電流,建議采用較高的電
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能,以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量?jī)?chǔ)存器件,故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外,為了獲得較低的紋波電流,建議采用較高的電
《國(guó)際電子商情》記者日前在中國(guó)電子展上走訪(fǎng)了若干家被動(dòng)器件供應(yīng)商,主要以二極管,三極管,MOSFET,大功率晶體管為主。在現(xiàn)場(chǎng)《國(guó)際電子商情》記者了解到,2010年被動(dòng)器件銷(xiāo)售額增長(zhǎng)幅度較大,2011需求仍然強(qiáng)勁,