高速MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動光耦合器（飛兆）
為了滿足全球各地的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅(qū)動等工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計人員需要具備更低功耗和更快開關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動光耦合器。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出一款輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動光耦合器產(chǎn)品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達250kHz的功率MOSFET和IGBT的高頻驅(qū)動，相比常用的FOD3120柵極驅(qū)動器，新器件的傳輸遲延時間縮短了50%，功耗降低了13%。
FOD3184由鋁砷化鎵(AIGaAs)發(fā)光二極管和集成在電路功率級中帶有PMOS和 NMOS輸出功率晶體管的CMOS檢測器以光學(xué)方式耦合構(gòu)成，PMOS上拉晶體管具有低 RDS(ON)，能夠降低內(nèi)部功耗和提供接近軌對軌輸出電壓擺幅能力。該器件具有高抗噪能力，最低共模噪聲抑制比(CMR)為35kV/µs，適合嘈雜的工業(yè)應(yīng)用。
FOD3184還具有15V至30V寬VCC工作電壓范圍 、3A最大峰值輸出電流，并確保-40ºC至+100ºC的工作溫度范圍。還具有專為驅(qū)動IGBT而優(yōu)化的帶有遲滯作用的欠壓鎖定(UVLO)保護功能。
FOD3184采用8腳雙列直插封裝，提供>8.0mm的爬電距離(creepage)和電氣間隙，可配合安全機構(gòu)至關(guān)重要的終端應(yīng)用要求。此外，封裝符合無鉛焊接標(biāo)準(zhǔn)對260ºC回流焊工藝的要求，F(xiàn)OD3184具有1,414V的額定工作電壓(VIORM)，能夠驅(qū)動1,200V負(fù)載，并保持長期可靠的隔離性能。
FOD3184是飛兆半導(dǎo)體提供同級最佳抗噪能力、更快開關(guān)速度和更高功效的全面廣泛的高性能光耦合器產(chǎn)品系列的成員。飛兆半導(dǎo)體將開發(fā)更多同類型解決方案，以推動工程師的設(shè)計創(chuàng)新。
價格(訂購1,000個): FOD3184的單價為1.51美元
供貨: 現(xiàn)提供樣品
交貨期 ：6周
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開關(guān)該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機勵磁電流，當(dāng)勵磁關(guān)閉時，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機閉環(huán)運行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時，使輸...
關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管在本系列的第 1 部分中，我們討論了如何正確選擇 IGBT 的控制電壓。這一次，您將了解有關(guān)隔離要求以及如何計算正確的IGBT 驅(qū)動功率的更多信息。 IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計包括上下橋絕緣水平的選擇、驅(qū)動電壓水平的確定、驅(qū)...
關(guān)鍵字： IGBT IGBT驅(qū)動
