MOSFET
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多芯片模塊XCM526系列（特瑞仕）
特瑞仕半導體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 開發(fā)了3A 降壓DC/DC控制器與P-ch Power MOSFET一體的多芯片模塊XCM526系列。XCM526系列產(chǎn)品是降壓DC/DC控制器與P-ch Power MOSFET一體的多芯片模塊。由于采用低導通電阻(70
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多芯片模塊XCM526系列（特瑞仕）
特瑞仕半導體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 開發(fā)了3A 降壓DC/DC控制器與P-ch Power MOSFET一體的多芯片模塊XCM526系列。XCM526系列產(chǎn)品是降壓DC/DC控制器與P-ch Power MOSFET一體的多芯片模塊。由于采用低導通電阻(70
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汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關(guān)應用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR
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汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關(guān)應用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR
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如何減少電源損耗實現(xiàn)電源效率最大化
我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來計算電源損耗：下一步是利用上述簡單表達式，并將其放入效率方程式中：這樣，輸出電流的效率就得到了優(yōu)化(具體論證工作留給學生去完成)。這種優(yōu)化可產(chǎn)生一個有趣的結(jié)果。當輸出電
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如何減少電源損耗實現(xiàn)電源效率最大化
我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來計算電源損耗：下一步是利用上述簡單表達式，并將其放入效率方程式中：這樣，輸出電流的效率就得到了優(yōu)化(具體論證工作留給學生去完成)。這種優(yōu)化可產(chǎn)生一個有趣的結(jié)果。當輸出電
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MOSFET驅(qū)動器介紹及功耗計算
我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容
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結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）
隨著手機市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設計人員面臨著在總體設計中增加功能性，但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
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MOSFET驅(qū)動器介紹及功耗計算
我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容
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結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）
隨著手機市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設計人員面臨著在總體設計中增加功能性，但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
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結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）
隨著手機市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設計人員面臨著在總體設計中增加功能性，但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
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結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）
隨著手機市場的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升，設計人員面臨著在總體設計中增加功能性，但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
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30V車用 MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為
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30V車用 MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為
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汽車用功率 MOSFET 專用系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 日前宣布拓展了針對低導通電阻（RDS(on)）應用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內(nèi)燃機 (ICE) 、微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。新的 MO
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基于TPS759XX多片信號處理系統(tǒng)的電源設計
以功率因數(shù)控制芯片MC33262 為核心,設計了一種寬電壓輸入范圍、固定升壓輸出的150 W 的AC/ DC 變 換器. 對該變換器用有源功率因數(shù)校正(APFC) 技術(shù)、MC33262 芯片的原理和結(jié)構(gòu)做了詳盡的分析和討論. 實驗結(jié)果表明所設計的以MC33262 為核心的有源功率因數(shù)校正器能在95～250 V 的寬電壓輸入范圍內(nèi)得到非常穩(wěn)定的400 V 直流電壓輸出,并使得功率因數(shù)達到0. 99 以上,總諧波畸變降低至6 %.
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半導體激光管(LD)的電源設計
半導體激光管(LD)和普通二極管采用不同工藝，但電壓和電流特性基本相同。在工作點時，小電壓變化會導致激光管電流變化較大。此外電流紋波過大也會使得激光器輸出不穩(wěn)定。二極管激光器對它的驅(qū)動電源有十分嚴格的要求
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150V MOSFET器件FDMS86200（飛兆）
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較
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150V MOSFET器件FDMS86200（飛兆）
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較
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采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應用，讓消費者體驗到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設備。因而消費者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價格更低的電視機。采用高壓背
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