為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。

SiC 功率半導(dǎo)體市場起飛 電動車為主要驅(qū)動力

在全球倡導(dǎo)節(jié)能減排、可持續(xù)發(fā)展的大背景下，新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，而其中電動車的崛起尤為引人注目。電動車的快速普及，正成為 SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體市場騰飛的核心驅(qū)動力。SiC 功率半導(dǎo)體憑借其卓越的性能優(yōu)勢，在電動車領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力，推動著整個市場規(guī)模的迅速擴張。

碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN 器件的介紹及未來市場

在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)迭代的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)器件作為第三代半導(dǎo)體的杰出代表，憑借其卓越的性能優(yōu)勢，正逐步改寫著電子產(chǎn)業(yè)的格局，成為推動眾多領(lǐng)域變革的關(guān)鍵力量。深入了解這兩種器件的特性、應(yīng)用現(xiàn)狀以及未來市場走向，對于把握半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展脈搏意義重大。

SiC 在電動汽車應(yīng)用中的趨勢

在全球倡導(dǎo)環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展的大背景下，電動汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，成為汽車行業(yè)變革的重要驅(qū)動力。而在電動汽車技術(shù)不斷革新的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)作為一種極具潛力的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正逐漸嶄露頭角，其在電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢備受矚目。

蔚華科與恩艾（艾默生/NI）擴大結(jié)盟合作 共建亞太區(qū)首座功率半導(dǎo)體動態(tài)可靠度驗證實驗室

新竹2025年1月14日 /美通社/ -- 半導(dǎo)體封裝測試解決方案專業(yè)品牌蔚華科技（TWSE: 3055）與經(jīng)銷合作伙伴恩艾（艾默生/NI）宣布將共同建置亞太區(qū)首座功率半導(dǎo)體動態(tài)可靠度驗證實驗室，瞄準(zhǔn)亞太地區(qū)功率半導(dǎo)體芯片在車規(guī)驗證的需求，為亞太地區(qū)半導(dǎo)體制造業(yè)客戶就近提供驗證服...

深化綠色承諾，ST與彭水共繪可持續(xù)發(fā)展新篇章

作為全球最早承諾實現(xiàn)碳中和的半導(dǎo)體企業(yè)之一，意法半導(dǎo)體將可持續(xù)發(fā)展視為釋放企業(yè)競爭力，推動產(chǎn)業(yè)增長的重要手段。通過研發(fā)碳化硅等綠色技術(shù)和產(chǎn)品，堅持可持續(xù)發(fā)展的方式，打造為利益相關(guān)者創(chuàng)造長遠(yuǎn)價值的可持續(xù)企業(yè)，助力全球綠色生產(chǎn)力的蓬勃發(fā)展。

電裝與富士電機聯(lián)手強化半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，助推碳化硅技術(shù)發(fā)展

近日，株式會社電裝（以下簡稱“電裝”）與富士電機株式會社（以下簡稱“富士電機”）共同推出的“半導(dǎo)體供應(yīng)保障計劃”獲得批準(zhǔn)并正式啟動。該計劃總投資規(guī)模達(dá)2,116億日元，其中包含705億日元的專項補助，旨在通過碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的技術(shù)升級和生產(chǎn)能力提升，進(jìn)一步加強供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，以更好地滿足市場需求。

全方位剖析：英飛凌如何領(lǐng)跑“低碳轉(zhuǎn)型”綠色賽道？

作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商，英飛凌憑借多年積累的豐富半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)，先后推出了一系列基于碳化硅（SiC）的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案，特別是今年全新推出的CoolSiC? MOSFET Generation 2（G2）技術(shù)和XHP? 2 CoolSiC? MOSFET半橋模塊，更是將碳化硅的性能優(yōu)勢發(fā)揮到極致，進(jìn)一步推動了整個半導(dǎo)體領(lǐng)域的低碳化進(jìn)程。

英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴

2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當(dāng)下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲能等其他應(yīng)用市場多點開花?在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和差異化優(yōu)勢，系統(tǒng)闡釋了如何做“能源全鏈條的關(guān)鍵賦能者” 。

英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴

在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和差異化優(yōu)勢，系統(tǒng)闡釋了如何做“能源全鏈條的關(guān)鍵賦能者”。

Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級高隔離反激式變壓器系列

全新變壓器在緊湊組件尺寸中實現(xiàn)卓越的隔離和電氣間隙/爬電距離

負(fù)債超5億元，又一國家級高新技術(shù)企業(yè)破產(chǎn)！

根據(jù)全國企業(yè)破產(chǎn)重整案件信息網(wǎng)顯示，北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司近日新增一則“破產(chǎn)清算”信息。

Power Integrations面向800V汽車應(yīng)用推出新型寬爬電距離開關(guān)IC

1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開關(guān)符合IEC 60664-1絕緣標(biāo)準(zhǔn)

雷諾旗下安培與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議，合作開發(fā)電動汽車電源控制系統(tǒng)

2024年12月5日，中國 – 雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集團與意法半導(dǎo)體簽署了一份從 2026 年開始為安培長期供應(yīng)碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協(xié)議，該協(xié)議是雷諾集團與意法半導(dǎo)體為安培超高效電動汽車逆變器開發(fā)電源控制系統(tǒng) (powerbox) 的合作計劃的一部分。功率模塊是電源控制系統(tǒng)的關(guān)鍵元件，安培和意法半導(dǎo)體合作優(yōu)化功率模塊，確保電驅(qū)系統(tǒng)具有很強的性能和競爭力，同時充分發(fā)揮安培在電動汽車技術(shù)方面的特長和意法半導(dǎo)體在先進(jìn)功率元器件研制領(lǐng)域的獨到之處。

唯樣 x 瞻芯電子強強聯(lián)手，助力SiC功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代

法雷奧與羅姆聯(lián)合開發(fā)新一代功率電子領(lǐng)域

業(yè)界先進(jìn)的汽車零部件制造商Valeo Group（以下簡稱“法雷奧”）與全球知名半導(dǎo)體及電子元器件制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）將通過結(jié)合雙方在功率電子領(lǐng)域的專業(yè)知識和技術(shù)優(yōu)勢，聯(lián)合開發(fā)面向牽引逆變器的新一代功率模塊。作為雙方合作的第一步，羅姆將為法雷奧的新一代動力總成解決方案提供碳化硅（SiC）塑封型模塊“TRCDRIVE pack?”。

資本加速涌入!GaN和SiC時代即將到來

隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料作為信息技術(shù)的基石，正經(jīng)歷著前所未有的變革。其中，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，正憑借其出色的性能吸引著大量資本的涌入。這標(biāo)志著GaN和SiC時代即將到來，將為電子、通信、能源等多個領(lǐng)域帶來革命性的變化。

第三代半導(dǎo)體火爆下的爛尾隱憂及國內(nèi)外技術(shù)差距的認(rèn)知偏差

近年來，第三代半導(dǎo)體因其優(yōu)異的物理特性和廣泛的應(yīng)用前景，迅速成為全球科技產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點。這類半導(dǎo)體材料，主要包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化鋅(ZnO)，在電力電子、光電子和無線射頻等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力。尤其是在新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電等領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，成為新一代的技術(shù)核心。然而，在這一片火熱的背后，隱藏著諸多爛尾項目的隱憂以及國內(nèi)外技術(shù)差距的認(rèn)知偏差。

化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點：策略與實踐

第三代半導(dǎo)體，以其獨特的寬禁帶特性，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在功率電子、射頻電子和光電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而，盡管這些材料在性能上遠(yuǎn)超傳統(tǒng)半導(dǎo)體，其廣泛應(yīng)用仍面臨諸多挑戰(zhàn)和痛點。

碳化硅功率器件上下游產(chǎn)業(yè)鏈：襯底和外延的重要性

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展中，碳化硅(SiC)作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正逐步成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。碳化硅功率器件以其耐高溫、耐高壓、高頻、大功率和低能耗等優(yōu)良特性，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。而碳化硅功率器件的上下游產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底和外延作為關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對于器件的性能和成本具有至關(guān)重要的影響。