天科合達將高質(zhì)量碳化硅晶圓價格推向歷史新低

目前，半導體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展再次激發(fā)了現(xiàn)代技術的革新。作為第三代寬帶隙半導體材料，SiC 在熱學、電學、抗腐蝕等性能方面優(yōu)越于常用的襯底材料，可廣泛用于制造半導體照明、微電子、電力電子等半導體器件。 根據(jù)權

第三代碳化硅肖特基二極管（英飛凌）

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二極管的功率半導體供應商英飛凌科技股份有限公司近日在應用電源電子大會暨展覽會（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界

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窺探未來車用半導體技術發(fā)展

窺探未來車用半導體技術發(fā)展

拜科技進步所賜，目前汽車產(chǎn)業(yè)所導入的半導體設備應用，其產(chǎn)品技術正賣力地往前進。過去車上所采用的半導體元件只是旁枝末節(jié)的附加功能應用而已，但汽車本體從原本電氣系統(tǒng)為輔的機械系統(tǒng)，升級為電子系統(tǒng)為主的汽車