[導(dǎo)讀]據(jù)悉,在高壓變頻器中,約有一半的成本來自絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等電力電子元器件。相比中低壓變頻器,這類產(chǎn)品的價格與質(zhì)量對高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對電力電子元器件行業(yè)的關(guān)注從來沒
據(jù)悉,在高壓變頻器中,約有一半的成本來自絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等電力電子元器件。相比中低壓變頻器,這類產(chǎn)品的價格與質(zhì)量對高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對電力電子元器件行業(yè)的關(guān)注從來沒有放松過。2010年,他們發(fā)現(xiàn)國家對于電力電子元器件的重視程度也越來越高。
2010年3月19日,國家發(fā)改委辦公廳發(fā)布《關(guān)于組織實施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項的通知》,明確指出將組織實施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項,以大力推進新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展,努力掌握自主知識產(chǎn)權(quán)的芯片和器件的設(shè)計、制造技術(shù),以市場帶動產(chǎn)業(yè),盡快形成芯片和器件的規(guī)模化生產(chǎn)能力和產(chǎn)業(yè)配套能力。在支持專項重點中,IGBT名列其中。
據(jù)了解,高壓變頻器所需電力電子元器件包括普通電子元器件(如電解電容)和核心功率器件IGBT,除此之外,其上游產(chǎn)業(yè)還包括機箱、變壓器等。目前,除IGBT外,其大部分原材料國內(nèi)企業(yè)都可以實現(xiàn)生產(chǎn),行業(yè)競爭充分,價格穩(wěn)定。此次出臺對于IGBT的扶持政策對于高壓變頻器行業(yè)而言無疑是條好消息。
國家發(fā)改委此次實施的產(chǎn)業(yè)化專項,鼓勵符合條件的企業(yè)申請國家補貼資金支持。國家補貼資金將主要用于新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項目的研究開發(fā)、購置研究開發(fā)及工程化所需的儀器設(shè)備、改善工藝設(shè)備和測試條件、建設(shè)必要的配套基礎(chǔ)設(shè)施、購置必要的技術(shù)和軟件等。
“據(jù)我了解,國內(nèi)企業(yè)積極性很高?!鼻迦A大學(xué)電機工程與應(yīng)用電子技術(shù)系副主任趙爭鳴告訴記者。事實上,2007年10月,國家發(fā)改委就發(fā)布過《關(guān)于組織實施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項有關(guān)問題的通知》,扶持了一批新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項目,那些項目在近幾年中已經(jīng)得到較大發(fā)展。
如今,盡管我國國產(chǎn)電力電子器件產(chǎn)業(yè)依然較弱,但是,部分企業(yè)的產(chǎn)品已經(jīng)開始在低中壓領(lǐng)域有一定應(yīng)用。此次政策的出臺無疑是對上次政策的進一步加強,且此次國家發(fā)改委規(guī)定有應(yīng)用國產(chǎn)器件條件的企業(yè)一定要優(yōu)先采用國產(chǎn)器件,這也將進一步推進我國高壓變頻調(diào)速系統(tǒng)、電力電子應(yīng)用裝置以及相應(yīng)配套元器件產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展。
實際上,此次政策出臺并不只考慮到高壓變頻器行業(yè)對于電力電子器件的需求。隨著我國智能電網(wǎng)、高鐵、新能源汽車以及節(jié)能家電等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT的需求量迅速增大,一個巨大市場正在形成。
據(jù)統(tǒng)計,2009年我國IGBT的市場規(guī)模為53億元左右。更有專家預(yù)計,未來幾年IGBT市場規(guī)模將年增20%~30%。但由于國內(nèi)企業(yè)的生產(chǎn)技術(shù)還不成熟,目前市場上供應(yīng)的IGBT主要由國外廠商生產(chǎn),如德國西門康、英飛凌,日本富士、三菱等。面對巨大市場,國內(nèi)企業(yè)顯得力不從心。
目前,我國只有少數(shù)小功率IGBT封裝線,還不具備研發(fā)、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。盡管現(xiàn)在看來,供應(yīng)IGBT的國外企業(yè)規(guī)模都較大,導(dǎo)致IGBT產(chǎn)品供應(yīng)充足,價格有下降趨勢,但國內(nèi)企業(yè)若能實現(xiàn)獨立生產(chǎn),帶來的價格下降將更明顯,唯一掣肘我國高壓變頻器行業(yè)的元件供應(yīng)也將得到徹底解決。難以抗拒的市場誘惑以及國家發(fā)改委新政的出臺無疑將加快這一進程。
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在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點是開關(guān)時間太長,尤其是在高功率時。這樣,它們不能保證良好的飽和度,因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場效應(yīng)”技術(shù),使用稱為 Power-mos 或場效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件,這個問題...
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電力電子
MOSFET
IGBT
8月22日,A股收盤后,士蘭微發(fā)布了2022年半年度報告,公司上半年實現(xiàn)營業(yè)收入41.85億元,同比增長26.49%;歸屬于上市公司股東的凈利潤5.99億元,同比增長39.12%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈...
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IGBT
士蘭微
PIM
近日,利德華福正式發(fā)布旗下第七代HARSVERT系列高壓變頻器,全新產(chǎn)品搭載創(chuàng)新設(shè)計、數(shù)字化解決方案與全生命周期雙層服務(wù)架構(gòu)。
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利德華福
高壓變頻器
我們中的許多人都熟悉低功率直流電機,因為我們在日常生活中隨處可見它們。我們可能看不到所有更大的交流工業(yè)電機在幕后工作,以自動化我們的汽車組裝或提升我們每天乘坐的電梯。這些大功率電機由具有不同要求和更高電流的電子設(shè)備驅(qū)動。...
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IGBT
低功率直流電機
在本系列的第 1 部分中,我們討論了如何正確選擇 IGBT 的控制電壓。這一次,您將了解有關(guān)隔離要求以及如何計算正確的IGBT 驅(qū)動功率的更多信息。
IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計包括上下橋絕緣水平的選擇、驅(qū)動電壓水平的確定、驅(qū)...
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IGBT
IGBT驅(qū)動
IGBT全稱叫絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合型結(jié)構(gòu)器件,它結(jié)合了MOS晶體管和BJT雙極型晶體管的優(yōu)點,在電壓電流轉(zhuǎn)換,電能輸出領(lǐng)域用的非常多,特別是在高壓大電流領(lǐng)域,IGBT占主導(dǎo)地位,是人類控制電能,利用電能的核心半...
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
N 溝道 IGBT 基本上是構(gòu)建在 p 型襯底上的 N 溝道功率 MOSFET,的通用 IGBT 橫截面所示。(PT IGBT 有一個額外的 n+ 層,將在后面說明。)因此,IGBT 的操作與功率 MOSFET 非常相似...
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
所謂PT(PunchThrough,穿通型),是指電場穿透了N-漂移區(qū),電子與空穴的主要匯合點在N一區(qū)。NPT在實驗室實現(xiàn)的時間(1982年)要早于PT(1985),但技術(shù)上的原因使得PT規(guī)模商用化的時間比NPT早,所以...
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設(shè)計人員有用且方便的相關(guān)信息,用于選擇合適的器件以及預(yù)測其在應(yīng)用中的性能。提供圖表以使設(shè)計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應(yīng)該注意的是,測試結(jié)果非常依賴于電路,尤其是寄...
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設(shè)計人員有用且方便的相關(guān)信息,用于選擇合適的器件以及預(yù)測其在應(yīng)用中的性能。提供圖表以使設(shè)計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應(yīng)該注意的是,測試結(jié)果非常依賴于電路,尤其是寄...
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時,漏極電流與柵極電壓 的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也 可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在...
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
一個等效的 IBGT 模型,其中包括端子之間的電容。輸入、輸出和反向傳輸電容是這些電容的組合。數(shù)據(jù)表中規(guī)定了測量電容的測試條件。
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
這是從芯片結(jié)到器件外殼外部的熱阻。熱量是設(shè)備本身功率損失的結(jié)果,熱阻與基于這種功率損失的芯片的熱度有關(guān)。之所以稱為熱阻,是因為使用電氣模型根據(jù)穩(wěn)態(tài)功率損耗預(yù)測溫升。
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IGBT
IGBT基礎(chǔ)知識
與低功率同類產(chǎn)品不同,MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會產(chǎn)生大量熱量。因此,有效的熱管理對于確保電力電子設(shè)備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關(guān)重要,包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料制成的設(shè)...
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MOSFET
IGBT
冷卻系統(tǒng)
氣候變化和社會對環(huán)境問題日益敏感,需要為化石燃料動力車輛開發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求內(nèi)燃機的設(shè)計具有較小的容積、較高的發(fā)動機轉(zhuǎn)速,并且能夠以較不濃的燃料混合物運行。
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IGBT
熱性能
【2022年5月30日,德國慕尼黑訊】Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有內(nèi)部續(xù)流二極管(FWD)、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT(PPI),進一步...
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英飛凌
IGBT
二極管
據(jù)業(yè)內(nèi)人士爆料稱,車用芯片大廠安森美(Onsemi)深圳廠內(nèi)部人士透露,其車用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)訂單已滿且不再接單,2022年-2023年產(chǎn)能已全部售罄,但不排除有部分客戶重復(fù)下單的可能。
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車用芯片
安森美
IGBT
芯片
摘要:直流斷路器是保障柔性直流輸電系統(tǒng)可靠性的重要裝備,IGBT作為斷路器的關(guān)鍵器件對斷路器整機分?jǐn)嗄芰τ兄匾绊憽,F(xiàn)對直流斷路器用IGBT的主要工作特征做簡要闡述,根據(jù)實際工況搭建了測試系統(tǒng),對器件進行超額定值的大電...
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IGBT
關(guān)斷特性
測試系統(tǒng)
如果說IGBT解決了汽車電動化的瓶頸,那MCU就是解決汽車智能化的關(guān)鍵,對汽車智能化發(fā)展起著決定性的作用。
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比亞迪
車規(guī)MCU
IGBT
雖然 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計用于以短時間高峰值電流驅(qū)動高頻容性負(fù)載,但我們知道它們還可以驅(qū)動感性負(fù)載,例如功率繼電器線圈嗎?這就是 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動器的秘密生命。
這不是新概念。當(dāng)它們驅(qū)...
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柵極驅(qū)動器
MOSFET
IGBT