所謂PT(PunchThrough，穿通型)，是指電場穿透了N-漂移區(qū)，電子與空穴的主要匯合點在N一區(qū)。NPT在實驗室實現(xiàn)的時間(1982年)要早于PT(1985)，但技術上的原因使得PT規(guī)模商用化的時間比NPT早，所以第1代IGBT產品以PT型為主。PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問題，但是需要增加外延層厚度，技術復雜，成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關的，電壓規(guī)格越高、外延層越厚，IZOOV、2000V的PT-IGBT外延層厚度分別達到了100μm和200μm。

所謂NPT(Non-PunchThrough，非穿通)，是指電場沒有穿透N-漂移區(qū)。NPT的基本技術原理是取消N十緩沖區(qū)，直接在集電區(qū)注入空間電荷形成高阻區(qū)，電子與空穴的主要匯合點換成了P十集電區(qū)。這項技術又被稱為離子注入法、離子摻雜工藝。

PT與NPT生產工藝的區(qū)別如下：

PT-IGBT芯片的生產從集電區(qū)(P+背發(fā)射區(qū))開始，先在單晶硅的背面生成低摻雜的P+發(fā)射區(qū)，然后用外延工藝在單晶硅的正面依次生成N十緩沖區(qū)、MOS結構。

NPT-IGBT芯片的生產從基區(qū)(N-漂移區(qū))開始，先在N型單晶硅的正面生成MOs結構，然后用研磨減薄工藝從背面減薄到IGBT電壓規(guī)格需要L的厚度，再從背面用離子注入工藝生成集電區(qū)。

兩種技術性能對比如下：

傳導損耗

對于給定的開關速度，NPT 技術通常比 PT 技術具有更高的 VCE(on)。這種差異被進一步放大的事實是，對于 NPT(正溫度系數(shù))，VCE(on) 隨著溫度的升高而增加，而對于 PT(負溫度系數(shù))，VCE(on) 隨著溫度的降低而降低。然而，對于任何 IGBT，無論是 PT 還是 NPT，開關損耗都會與 VCE(on) 進行權衡。更高速度的 IGBT 具有更高的 VCE(on);較低速度的 IGBT 具有較低的 VCE(on)。事實上，一個非?？斓?PT 設備可能具有比開關速度較慢的 NPT 設備更高的 VCE(on)。

開關損耗

對于給定的 VCE(on)，PT IGBT 具有更高的開關速度和更低的總開關能量。這是由于較高的增益和少數(shù)載流子壽命縮短，這會抑制尾電流。

堅固性

NPT IGBT 通常具有短路額定值，而 PT 器件通常沒有，并且 NPT IGBT 可以比 PT IGBT 吸收更多的雪崩能量。由于 PNP 雙極晶體管的基極更寬且增益更低，NPT 技術更加堅固耐用。這是通過使用 NPT 技術權衡開關速度所獲得的主要優(yōu)勢。制造具有大于 600 伏 VCES 的 PT IGBT 很困難，而使用 NPT 技術卻很容易做到。Advanced Power Technology 確實提供了一系列非?？焖俚?1200 伏 PT IGBT，即 Power MOS 7 IGBT 系列。

溫度影響

對于 PT 和 NPT IGBT，開通開關速度和損耗實際上不受溫度影響。然而，二極管中的反向恢復電流會隨著溫度的升高而增加，因此電源電路中外部二極管的溫度效應會影響 IGBT 的開通損耗。對于 NPT IGBT，關斷速度和開關損耗在工作溫度范圍內保持相對恒定。對于 PT IGBT，關斷速度會降低，因此開關損耗會隨著溫度的升高而增加。然而，由于尾電流淬滅，開關損耗開始時很低。

如前所述，NPT IGBT 通常具有正溫度系數(shù)，這使得它們非常適合并聯(lián)。并聯(lián)設備需要正溫度系數(shù)，因為熱設備將比冷設備傳導更少的電流，因此所有并聯(lián)設備傾向于自然共享電流。然而，由于溫度系數(shù)為負，PT IGBT 不能并聯(lián)是一種誤解。PT IGBT 可以并聯(lián)是因為：

· 它們的溫度系數(shù)往往幾乎為零，有時在較高電流下為正。

· 通過散熱器共享熱量往往會迫使設備共享電流，因為熱設備會加熱其鄰居，從而降低它們的導通電壓。

· 影響溫度系數(shù)的參數(shù)往往在器件之間很好地匹配。