據(jù)業(yè)內(nèi)人士爆料稱，車用芯片大廠安森美(Onsemi)深圳廠內(nèi)部人士透露，其車用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)訂單已滿且不再接單，2022年-2023年產(chǎn)能已全部售罄，但不排除有部分客戶重復(fù)下單的可能。

據(jù)安森美深圳公司的內(nèi)部人士透露，“我們對大客戶都是采取直供模式，且2年一簽，我們現(xiàn)在的產(chǎn)能剛好能滿足已簽訂單的需求。目前我們今年、明年的訂單都已經(jīng)全部訂出去了，我們現(xiàn)在已經(jīng)不接單了。沒有足夠的產(chǎn)能，接單也無法交付，還要面臨違約的風(fēng)險(xiǎn)。不僅是我們，其他主要供應(yīng)商也面臨這樣的情況?！?

自2020年底以來，受益于新能源汽車市場對于IGBT等關(guān)鍵功率半導(dǎo)體的旺盛需求，以及全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)能緊缺的影響，英飛凌、安森美等功率半導(dǎo)體大廠都陷入了IGBT訂單交貨緊張的情況。此前供應(yīng)鏈消息也顯示，目前IGBT缺貨已高達(dá)50周以上，供需缺口已經(jīng)擴(kuò)大到50%以上，IGBT訂單與交貨能力比最大已拉至2:1。自去年以來，部分車企也因?yàn)橛w凌、安森美等IGBT大廠供應(yīng)的持續(xù)緊張，也開始擴(kuò)大尋求斯達(dá)半導(dǎo)、時代電氣、比亞迪半導(dǎo)體、華潤微、士蘭微等本土供應(yīng)商供貨。

受安森美IGBT停止接單消息影響，5月11日，國內(nèi)相關(guān)功率半導(dǎo)體概念個股大漲，截至午間收盤，華微電子、立昂微、聞泰科技紛紛漲停，斯達(dá)半導(dǎo)上漲超5%，士蘭微、華潤微等均上漲超4%。雖然午后大盤指數(shù)沖高后大幅回落，但聞泰科技仍封死漲停，華微電子、立昂微仍保持了7%以上的漲幅，士蘭微、華潤微等漲幅則回落至2%左右。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見;IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless (TOLL) 封裝的碳化硅 (SiC) MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計(jì)的高性能開關(guān)器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。TOLL 封裝的尺寸僅為 9.90 mm x 11.68 mm，比 D2PAK 封裝的PCB 面積節(jié)省30%。而且，它的外形只有 2.30 mm，比 D2PAK 封裝的體積小 60%。除了更小尺寸之外，TOLL 封裝還提供比 D2PAK 7 引腳更好的熱性能和更低的封裝電感 (2 nH)。 其開爾文源極(Kelvin source)配置可確保更低的門極噪聲和開關(guān)損耗 – 包括與沒有Kelvin配置的器件相比，導(dǎo)通損耗 (EON) 減少60%，確保在具有挑戰(zhàn)性的電源設(shè)計(jì)中能顯著提高能效和功率密度，以及改善電磁干擾(EMI) 和更容易進(jìn)行PCB 設(shè)計(jì)。

目前IGBT供不應(yīng)求已有愈演愈烈之勢，目前車規(guī)級IGBT的缺口已達(dá)50%甚至更高。也不知道芯片缺口何時是個頭啊。