氣候變化和社會(huì)對(duì)環(huán)境問題日益敏感，需要為化石燃料動(dòng)力車輛開發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求內(nèi)燃機(jī)的設(shè)計(jì)具有較小的容積、較高的發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速，并且能夠以較不濃的燃料混合物運(yùn)行。

這些技術(shù)要求不可避免地會(huì)對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火和控制系統(tǒng)中使用的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的運(yùn)行條件產(chǎn)生影響：這些器件必須達(dá)到更高的鉗位電壓和開關(guān)頻率，并具有消散多余熱量的能力。在這里，我們考慮了在不同工作條件下使用不同熱 PCB 焊盤對(duì) IGBT 熱性能的影響。

IGBT 和熱性能

工作結(jié)溫 (Tvj(op)) 是器件工作的基礎(chǔ)，應(yīng)被視為一個(gè)實(shí)用值。在使用傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗和熱阻抗計(jì)算正常開關(guān)的結(jié)溫時(shí)，即使在過(guò)載情況下，結(jié)溫也必須始終保持在 Tvj(op) 的指定最小值和最大值之間。

實(shí)際上，在最后一次切換事件之前，接頭的溫度必須保持在 Tvj(op) max 以下。如果器件在其安全工作區(qū)域內(nèi)使用并且 Tvj 不超過(guò) Tvj max，則可以忽略開關(guān)事件中開關(guān)損耗導(dǎo)致的瞬態(tài)溫度升高。熱管理和冷卻解決方案越來(lái)越受到 IGBT 的關(guān)注，因?yàn)槠鋺?yīng)用中的熱損失增加。熱損耗分為兩類：傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。

傳導(dǎo)損耗發(fā)生在通過(guò) IGBT 的開關(guān)狀態(tài)電壓降期間，并且取決于傳導(dǎo)的電流。開關(guān)功率損耗發(fā)生在 IGBT 的開啟和關(guān)閉階段，并且取決于電流、工作周期、開關(guān)電壓和開關(guān)頻率。

內(nèi)燃機(jī)的演變

新的排放法規(guī)要求對(duì)內(nèi)燃機(jī)的設(shè)計(jì)進(jìn)行重大更改，包括火花點(diǎn)火 (SI) 以及更高效的壓縮點(diǎn)火 (CI) 類型。

為了滿足對(duì)更高效、污染更少的發(fā)動(dòng)機(jī)的需求，汽車制造商正在遵循三個(gè)基本策略：

· 發(fā)動(dòng)機(jī)尺寸合適和混合。這些技術(shù)根據(jù)車輛的等級(jí)調(diào)整發(fā)動(dòng)機(jī)的大小，保持相同的功率值。結(jié)果，獲得了更高的轉(zhuǎn)數(shù)，這反過(guò)來(lái)又涉及噴射系統(tǒng)的更高開關(guān)頻率和更高的工作溫度。

· 稀釋混合物。這種方法需要使用更寬的間隙(適當(dāng)散熱所必需的)和更高的電壓來(lái)觸發(fā)火花塞。因此，有必要使用更高工作電壓的IGBT。

· 在壓縮沖程中直接噴射。這種技術(shù)導(dǎo)致在火花塞附近形成富含可燃混合物的區(qū)域，從而在全球范圍內(nèi)保持較差的混合物。然而，火花塞周圍發(fā)生的高局部和時(shí)間變化可能會(huì)損害噴射系統(tǒng)，該噴射系統(tǒng)旨在以更長(zhǎng)的點(diǎn)火周期覆蓋更多空間。該解決方案需要具有非常高擊穿電壓的 IGBT。

因此，點(diǎn)火系統(tǒng)中使用的 IGBT 必須在不可避免地產(chǎn)生更多熱量的運(yùn)行條件下承受高電流并具有高鉗位電壓。

特別是，將需要具有低集電極-發(fā)射極導(dǎo)通電壓 (Vce(ON)) 值的 IGBT，以降低功率損耗和結(jié)溫。

測(cè)試程序

為了驗(yàn)證低 Vce(ON) 值對(duì)溫度的影響并評(píng)估對(duì)具有不同 PCB 焊盤的 IGBT 熱性能的影響，可以使用簡(jiǎn)化的測(cè)試臺(tái)。在此，電感模擬市售點(diǎn)火線圈的電氣特性。

通過(guò)改變開關(guān)頻率和駐留時(shí)間，被測(cè)器件 (DUT) 與 PCB 上不同類型的焊盤相對(duì)應(yīng)放置，并保持運(yùn)行一段時(shí)間，足以達(dá)到穩(wěn)定的溫度。

該測(cè)試使用具有五種類型焊盤的 PCB 進(jìn)行，每種焊盤都有自己的導(dǎo)熱性。更準(zhǔn)確地說(shuō)，測(cè)試使用：

· 一個(gè)焊盤，其中沒有從 IGBT 的集電極到 PCB 的熱傳導(dǎo)路徑;

· 一個(gè)與 IGBT 封裝面積相同的焊盤;

· 一個(gè)與 IGBT 面積相同的焊盤;

· 兩個(gè)焊盤，具有針對(duì)特定器件的推薦焊盤面積，并且熱量從 PCB 的頂部擴(kuò)散到底部 。

為了量化歸因于較低 Vce(ON) 的熱性能改進(jìn)，研究人員比較了使用 Littelfuse DPAK 封裝的 NGD8201A(Vce(ON) 典型值 <1.35 V)獲得的測(cè)量結(jié)果和使用市售點(diǎn)火 IGBT (Vce) 獲得的測(cè)量結(jié)果(ON) 典型值 <1.5 V。

顯示的所得結(jié)果表明，無(wú)論使用何種 PCB 焊盤，稍高的 Vce(ON) 都會(huì)導(dǎo)致稍高的穩(wěn)態(tài)溫度。正如預(yù)期的那樣，這種效應(yīng)在高開關(guān)頻率下更為明顯。

使用不同 PCB 焊盤產(chǎn)生的效果測(cè)試結(jié)果表明，較高的開關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致較高的穩(wěn)態(tài)溫度。更有趣的是，PCB 焊盤會(huì)降低測(cè)量溫度，尤其是在高開關(guān)頻率下。在不同頻率下，該結(jié)果與點(diǎn)火平臺(tái)相關(guān)，其中尺寸是一個(gè)關(guān)鍵因素。