如何正確測量MOSFET尖峰電壓：探頭及帶寬設(shè)置

測量開關(guān)電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時候，通常要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端，減小地線的環(huán)路，從而減小空間耦合的干擾信號。

隔離式電源設(shè)計需要開發(fā)最好的拓?fù)?/a>

電子元器件持續(xù)缺貨漲價，MOSFET驅(qū)動IC首季漲價

去年引爆的電子零組件缺貨、漲價風(fēng)潮至今不停歇， MOSFET因國際大廠退出，自去年下半年起供給漸趨吃緊，加上受到晶圓代工及EPI硅晶圓產(chǎn)能不足限制，市場供不應(yīng)求壓力持續(xù)上揚(yáng)，報價也自今年首季起真正開始起漲。進(jìn)入第二季后，在超威、英特爾與NVIDIA推出新平臺的推波助瀾下，MOSFET供應(yīng)缺口將更趨嚴(yán)重，MOSFET業(yè)者訂單可見度達(dá)到今年第三季，產(chǎn)品報價也將順利在第二季調(diào)漲，漲幅約在5～10%。

Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.日前新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。 這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子會議(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

東芝推出新一代600V平面MOSFET系列

東芝電子元件及存儲裝置株式會社近日宣布推出一個新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生產(chǎn)即日啟動。

EPC推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率晶體管

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶體管，應(yīng)用于負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)、包絡(luò)跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動器。 EPC2049晶體管的額定電壓為40 V、最大導(dǎo)通電阻為5 mΩ及脈沖輸出電流為175 A。

Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。V

ST完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動器和保護(hù)技術(shù)

意法半導(dǎo)體的 PWD13F60系統(tǒng)封裝(SiP)產(chǎn)品在一個13mm x 11mm的封裝內(nèi)集成一個完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路，能夠?yàn)楣I(yè)電機(jī)驅(qū)控制器、燈具鎮(zhèn)流器、電源、功率轉(zhuǎn)換器和逆變器廠家節(jié)省物料成本和電路板空間。

Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷，導(dǎo)通電阻還不到0.6mΩ，使柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)也達(dá)到最低，可使各種應(yīng)用提高效率和功率密度。

缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費(fèi)類市場

MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價仍會持續(xù)，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計2018年6月可正式投產(chǎn)，擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右?！标惤鹚烧f。

Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中超高速切換

Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴(kuò)充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80mΩ)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)的碳化硅MOSFET。 該裝置針對

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大。

高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器用650V碳化硅MOSFET的好處

本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大。

Vishay SQJQ480E汽車級功率MOSFET榮獲“Top-10電源產(chǎn)品”獎

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其Vishay Siliconix SQJQ480E 80 V汽車級TrenchFET®N溝道功率MOSFET被《今日電子》雜志和21IC評為第15屆年度“Top-10電源產(chǎn)品”。這款A(yù)EC-Q101認(rèn)證器件以高效汽車應(yīng)用榮獲“綠色節(jié)能獎”。這是威世產(chǎn)品連續(xù)第八年獲此殊榮。

快速 60V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力

亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.，簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7004，該器件用高達(dá) 60V 的電源電壓運(yùn)行。其內(nèi)部充電泵全面增強(qiáng)了外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)，從而使該器件能夠保持接通時間無限長。LTC7004 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時間和 35ns 傳播延遲，容易地驅(qū)動?xùn)艠O電容很大的 MOSFET，非常適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用

高介電質(zhì)材料帶給芯片新體驗(yàn)

在芯片的大部分歷史中，硅一直是其主要組成部分。這在很大程度上是因?yàn)楣钃碛?.1電子伏特(eV)的“Goldilocks”帶隙，這使得硅可以在低電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)集成電路，減少電流泄漏。

功率半導(dǎo)體封測廠主攻MOSFET，有望新突破

時序進(jìn)入智能手機(jī)傳統(tǒng)旺季，快充話題持續(xù)發(fā)酵，大陸四大天王Oppo、Vivo、華為、小米將陸續(xù)導(dǎo)入更多快充功能，另一方面，超微(AMD)、英特爾(Intel)、NVIDIA新款服務(wù)器平臺、顯示卡等產(chǎn)品陸續(xù)進(jìn)入市場，金氧半場效電晶體(MOSFET)使用顆數(shù)大增，但國際龍頭業(yè)者功率分離式元件部分因轉(zhuǎn)攻車用、工業(yè)用之超接面(Super JuncTIon)、絕緣閘雙載子功率場效電晶體(IGBT)等高階領(lǐng)域，傳統(tǒng)PC用MOSFET供需持續(xù)緊張，IDM廠外包比例增加，后段封裝廠商看好MOSFET供需趨緊將持續(xù)到年底沒問題，如捷敏、菱生等業(yè)者訂單能見度基本上看至第3季底無虞，其中，捷敏8月營收可望再挑戰(zhàn)單月新高水準(zhǔn)。

汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E

功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實(shí)現(xiàn)各種各樣的功能，包括負(fù)載切換、電機(jī)控制以及DC/DC轉(zhuǎn)換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處理與更大功率的MOSFET相同的功能。實(shí)際上，其 PowerPAK 8x8L 封裝比其通常取代的 D2PAK MOSFET 小58%。然而，SQJQ480E 可以同樣高效地處理相同的功率轉(zhuǎn)換、開關(guān)和電機(jī)控制任務(wù)，實(shí)測器件導(dǎo)通電阻(3毫歐): 也就是在 AEC-Q101車用 MOSFET 中取得迄今為止最低的導(dǎo)通損耗。

第八代Core處理器,英特爾“養(yǎng)活了”這些廠商

英特爾正式推出第八代Core處理器Coffee Lake，預(yù)計全球有逾145款計算機(jī)裝置將自9月起上架銷售。 超威入門款處理器Ryzen 3及商用Ryzen Pro平臺也將在下半年陸續(xù)上市。 此外，虛擬貨幣挖礦、電競及人工智能運(yùn)算等需求強(qiáng)勁，超威及輝達(dá)(NVIDIA)下半年將推出新一代繪圖芯片搶攻市場商機(jī)。

厲害了！MOSFET 驅(qū)動器，可提供100%的占空比

亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices， Inc.，簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7001，該器件以高達(dá) 150V 電源電壓運(yùn)行。其內(nèi)部充電泵全面增強(qiáng)了外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)，使其能夠保持無限期接通。LTC7001 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動器可憑借非常短的轉(zhuǎn)換時間和 35ns 傳播延遲，非常方便地驅(qū)動?xùn)艠O電容很大的 MOSFET，因此很適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。