MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款40V汽車級(jí)MOSFET

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級(jí)MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET F7制造技術(shù)，開關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動(dòng)力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時(shí)優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。

功率器件
2016-11-04

MOSFET 意法半導(dǎo)體電源新品
ROHM開發(fā)出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的超小型MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向引擎ECU*1為首的電子化日益普及的各種車載應(yīng)用，開發(fā)出符合AEC-Q101*2標(biāo)準(zhǔn)的超小型MOSFET“AG009DGQ3”?！癆G009DGQ3”是實(shí)現(xiàn)高可靠性安裝、且安裝面積可比以往產(chǎn)品減少達(dá)64%的產(chǎn)品。

功率器件
2016-11-01

rohm MOSFET 電源新品
借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

近日在中國(guó)深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。“您碰巧在設(shè)計(jì)中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通

工業(yè)控制
2016-10-14

負(fù)載開關(guān) 工業(yè)元件 MOSFET
借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

近日在中國(guó)深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師?！澳銮稍谠O(shè)計(jì)中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實(shí)碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面積僅為1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見圖1)

功率器件
2016-10-13

電源技術(shù)解析 MOSFET
TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%，同時(shí)，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開關(guān)的封裝體積

工業(yè)控制
2016-07-18

lga封裝 MOSFET
Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的雙片不對(duì)稱封裝12V和20V MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，

功率器件
2016-07-11

雙片不對(duì)稱封裝 MOSFET 電源新品
步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

H橋功率驅(qū)動(dòng)電路可應(yīng)用于步進(jìn)電機(jī)、交流電機(jī)及直流電機(jī)等的驅(qū)動(dòng)。永磁步進(jìn)電機(jī)或混合式步進(jìn)電機(jī)的勵(lì)磁繞組都必須用雙極性電源供電，也就是說繞組有時(shí)需正向電流，有時(shí)需反向

嵌入式硬件
2016-07-05

步進(jìn)電機(jī) 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)開發(fā) MOSFET
東芝推出適用于LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中負(fù)載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先小尺寸、低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET

東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出小封裝尺寸的N溝道MOSFET，該MOSFET適用于LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中的負(fù)載開關(guān)，包括汽車儀表盤儀表和前照燈以及LED電視背光燈，它們是業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通

顯示光電
2016-06-23

負(fù)載開關(guān) led驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動(dòng)與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后，MOSFET 開關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對(duì)負(fù)載電容充電時(shí)能夠保持在安全水平。

功率器件
2016-06-21

電源技術(shù)解析安全工作區(qū) 穩(wěn)固熱插拔 MOSFET
MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？

MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū)

功率器件
2016-05-13

電源技術(shù)解析三極管開關(guān)狀態(tài) MOSFET
Vishay 推出 650V快速體二極管MOSFET 可提高軟開關(guān)電壓余量

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴(kuò)大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴(kuò)大了該公司的600V產(chǎn)品，為工業(yè)、通信和可再生能源應(yīng)用提供了迫切需要的電壓余量。

工業(yè)控制
2016-05-12

Vishay 電壓余量 MOSFET
基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)

1.MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電平的上升時(shí)間和下降時(shí)間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies，SMPS)的整流組件，不過

電源AC/DC
2016-05-03

電源技術(shù)解析筆記本電源降壓變換器 MOSFET
功率MOSFET在正激式驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用簡(jiǎn)析

功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設(shè)計(jì)類型進(jìn)行了簡(jiǎn)單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會(huì)就這一功率器

線性電源
2016-03-31

驅(qū)動(dòng) 電源技術(shù)解析正激電路 MOSFET
MOSFET開關(guān)損耗分析

摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對(duì)MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET開關(guān)損耗的來源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少M(fèi)OSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。

功率器件
2016-03-30

電源技術(shù)解析開關(guān)損耗帶電插拔緩啟動(dòng) MOSFET
6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門

由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助。當(dāng)MOSFET作用在電路

線性電源
2016-03-25

igbt 電源技術(shù)解析隔離驅(qū)動(dòng) MOSFET
大功率電源MOSMOSFET問題的分析

在現(xiàn)代科技的環(huán)境下，傳統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)方案已經(jīng)無法再滿足人們的需要。因此功率更為強(qiáng)大的大功率電源開始成為設(shè)計(jì)者們的新寵。但是在應(yīng)用過程中大功率電源也遇到了這樣或那樣

功率器件
2016-03-22

電源電源技術(shù)解析 MOSFET
同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇

進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過程的一個(gè)組成部分，你會(huì)有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些

電源
2016-03-21

電阻降壓電源技術(shù)解析 MOSFET
大功率電源MOS工作溫度確定之計(jì)算功率耗散

在電子電路設(shè)計(jì)中，散熱設(shè)計(jì)是非常重要的一項(xiàng)指標(biāo)。但在很多設(shè)計(jì)環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計(jì)與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤其明顯。為了盡量控制

功率器件
2016-03-21

電源技術(shù)解析大功率電功率耗散 MOSFET
高效高可靠性LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)心得技巧分享

近日，LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方面的資深達(dá)人DougBailey總結(jié)了設(shè)計(jì)工作中需要注意的問題和親身設(shè)計(jì)心得，為大家分享總結(jié)如下：一、不要使用雙極型功率器件DougBailey指出由于雙極

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2016-03-17

電源技術(shù)解析設(shè)計(jì)技巧 LED驅(qū)動(dòng) MOSFET
入門必看的MOSFET小功率驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)分享

功率器件MOSFET是目前應(yīng)用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學(xué)習(xí)時(shí)的重點(diǎn)方向。如果設(shè)計(jì)得當(dāng)，MOSFET驅(qū)動(dòng)電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系

功率器件
2016-03-16

電源技術(shù)解析驅(qū)動(dòng)電路電源設(shè)計(jì) MOSFET

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MOSFET

意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款40V汽車級(jí)MOSFET

ROHM開發(fā)出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的超小型MOSFET

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的雙片不對(duì)稱封裝12V和20V MOSFET

步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

東芝推出適用于LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中負(fù)載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先小尺寸、低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET

MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？

Vishay 推出 650V快速體二極管MOSFET 可提高軟開關(guān)電壓余量

基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)

功率MOSFET在正激式驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用簡(jiǎn)析

MOSFET開關(guān)損耗分析

6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門

大功率電源MOSMOSFET問題的分析

同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇

大功率電源MOS工作溫度確定之計(jì)算功率耗散

高效高可靠性LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)心得技巧分享

入門必看的MOSFET小功率驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)分享

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