MOSFET
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飛兆半導(dǎo)體的80 V MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封裝的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572，具備綜合的性能優(yōu)勢，能同時為DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級和次級同步整流開關(guān)電源設(shè)計(jì)提供優(yōu)異的整體系統(tǒng)效率。FDS3572提供7
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電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時序
由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階段：低壓側(cè)開關(guān)開啟和高壓側(cè)開關(guān)開啟。低壓側(cè)開啟開關(guān)至關(guān)重要，
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隔離式3.3V轉(zhuǎn)5V轉(zhuǎn)換器的分立設(shè)計(jì)
隔離式3.3V到5V轉(zhuǎn)換器通常用于遠(yuǎn)距離數(shù)據(jù)傳輸網(wǎng)絡(luò)，這種網(wǎng)絡(luò)中總線節(jié)點(diǎn)控制器由一個3.3V電源工作以節(jié)省電量，而總線電壓為5V,以保證在遠(yuǎn)距離傳輸過程中的信號完整性并提供
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具高級輸入和負(fù)載保護(hù)功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器
引言 總線電壓浪涌不僅對DC/DC轉(zhuǎn)換器構(gòu)成危險，也對負(fù)載帶來威脅。傳統(tǒng)的過壓保護(hù)方案采用熔絲，其動作速度和可靠性均未必足以保護(hù)諸如FPGA、ASIC和微處理器等負(fù)載。一種
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為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設(shè)計(jì)小貼士
歡迎來到電源設(shè)計(jì)小貼士！隨著現(xiàn)在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào)，我們創(chuàng)建了該專欄，就各種電源管理課題提出一些對您有幫助的小技巧。該專欄面向各級設(shè)計(jì)工程
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IR推出100V集成MOSFET方案
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFETMOSFET集成在一個功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針
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隔離式柵極驅(qū)動器揭秘
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加于柵極(相對于器件的源極/發(fā)射極而言[QC1] )。使用專門驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流[QC2] 。本文討論柵極驅(qū)動器是什么，為何需要柵極驅(qū)動器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時序、驅(qū)動強(qiáng)度和隔離度。
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憑借對SiC MOSFET的大力推廣 世強(qiáng)獲Littelfuse最佳市場開發(fā)代理商
近日，全球排名第一的電路保護(hù)品牌Littelfuse向世強(qiáng)頒發(fā)了“最佳市場開發(fā)代理商獎”，以表彰其2018年在產(chǎn)品推廣與市場開發(fā)方面所作出的杰出貢獻(xiàn)。
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ADI宣布推出 Power by Linear LTC7840，可驅(qū)動兩級外部 N 溝道功率 MOSFET
LTC7840 的一種典型應(yīng)用是利用第一個通道將 12V 輸入電壓提升到 48V，第二個通道將 48V 升壓至240V 并提供高達(dá) 700mA 的輸出電流，因而使其非常適合汽車、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用。
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IR推出新型DirectFET MOSFET
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V)，導(dǎo)電損耗可比同類解決方案減少30%。 單個采用SO-8封裝的IRF6648
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一款功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與制作
標(biāo)稱功率300W的逆變電源，用于家庭電風(fēng)扇、電視機(jī)，以及日常照明等是不成問題的。300W逆變器，利用12V/60AH蓄電池向上述家用電器供電，一次充滿電后，可使用近5小時。不過，
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ROHM株式會社小型大功率封裝MOSFET MPT6
半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社（總社設(shè)在京都市）最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動機(jī)驅(qū)動器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率
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從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用
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功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
目前國內(nèi)大多數(shù)采用的長延時熱脫扣試驗(yàn)方案是通過變壓器直接對斷路器施加一個電壓以獲得測試電流。在測試過程中，由于電網(wǎng)電壓的波動、載流電路中引線電阻變化、負(fù)載本身電
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利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障
用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“
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MOSFET安全工作區(qū)對實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或
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安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于汽車自動空調(diào)的電源、電機(jī)驅(qū)動及分立元件等方案
在當(dāng)今的汽車設(shè)計(jì)中，空調(diào)已是標(biāo)準(zhǔn)的舒適性配置。從功能上講，當(dāng)今的汽車空調(diào)實(shí)際上是將加熱、制冷及通風(fēng)等功能一體化，成為汽車加熱、通風(fēng)空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)(本文將簡稱為&ld
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NexFETTM：新一代功率MOSFET
對于理想開關(guān)的需求 功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開關(guān)，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負(fù)載電流的開關(guān)。作為負(fù)載開關(guān)使用時，由于切換時
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電源設(shè)計(jì)小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常
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利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對更高功率密度的新挑戰(zhàn)
引言隨著社會經(jīng)濟(jì)從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據(jù)處理、存儲和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)和政府體系等眾多領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用。不過，與此同時，數(shù)據(jù)中
