選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的

隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進步，系統(tǒng)設(shè)計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指

具有超快瞬態(tài)響應(yīng)和低功耗的有源整流控制器

ISO 16750 或 LV124 等汽車標準規(guī)定，汽車電子控制單元 (ECU) 可能面臨一個具有高達 6 V p-p(在高達 30 kHz 頻率下)AC 紋波之疊加的供電電源。用于控制外部MOSFET的諸如 LT8672 的門極驅(qū)動等器件足夠強大，能處理高達 100 kHz 的紋波頻率，從而最大限度減小了反向電流。圖 1 所示為這種 AC 紋波整流的一個例子。

快速二極管MOSFET在三相逆變器拓撲中的應(yīng)用

高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問題。三相無刷直流電機因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)備中以及很多其他應(yīng)用中。此外，由于采用了電子換向器代替機械換向裝

意法半導(dǎo)體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技術(shù)達到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDm

LTC4366浪涌抑制器工作原理詳解

LTC4366浪涌抑制器可保護負載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在MOSFET兩端承載過壓的情況下，負載可以保持運

AnalogicTech推出低阻抗半橋MOSFET驅(qū)動器AAT4910

解決SMPS難題

電源能效對環(huán)境的影響問題越來越受到世界范圍的關(guān)注，致力于自然資源保護的全球各國政府和標準化制定機構(gòu)已相繼推出各項措施，積極推廣高能效電源。美國加州能源委員會(CEC

IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池

Fairchild 新型有源橋解決方案為基于IoT的以太網(wǎng)供電 設(shè)備提供業(yè)界最佳的性能

GreenBridge 提供的熱性能、效率和尺寸優(yōu)勢都要優(yōu)于 POE PD 中使用的二極管高性能半導(dǎo)體解決方案全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Fairchild (NASDAQ: FCS) 今天發(fā)布了FDMQ8205，這增強了其業(yè)

LTC4366高壓浪涌抑制器應(yīng)用深入講解（獨家收錄）

LTC4366浪涌抑制器可保護負載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在MOSFET兩端承載過壓的情況下，負載可以保持運

Littelfuse推出其首款1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

Littelfuse公司近日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。

Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關(guān)電源IC

深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司(納斯達克股票代號POWI)近日發(fā)布集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列離線式開關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設(shè)計8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應(yīng)用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設(shè)計。

電池充電器 反向電壓保護

處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡潔，但是二極管在便攜式或備份應(yīng)用中是不起作用的，因為電池在充電時必須吸收電流，而在不充電時則須供應(yīng)電流。

電源設(shè)計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分

關(guān)于智能負載切換有助于實現(xiàn)可靠的熱插拔系統(tǒng)

服務(wù)器、磁盤陣列和其他高可用性系統(tǒng)幾乎無一例外被要求在無需關(guān)閉供電系統(tǒng)的情況下更換功能模塊。系統(tǒng)工作時更換模塊通常被稱為熱插拔。能夠提供熱插拔功能的一個關(guān)鍵因素

LTC4366高壓浪涌抑制器實例應(yīng)用講解（獨家）

LTC4366浪涌抑制器可保護負載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在 MOSFET兩端承載過壓的情況下，負載可以保持

Keithley技術(shù)文獻：半導(dǎo)體C-V測量基礎(chǔ)

通用測試 電容-電壓（C-V）測試廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進行特征分析，包括雙極結(jié)型

LTC4366浪涌抑制器入門簡介

概述：LTC4366浪涌抑制器可保護負載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在MOSFET兩端承載過壓的情況下，負載可以

飛兆半導(dǎo)體的80 V MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封裝的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572，具備綜合的性能優(yōu)勢，能同時為DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級和次級同步整流開關(guān)電源設(shè)計提供優(yōu)異的整體系統(tǒng)效率。FDS3572提供7

電源設(shè)計小貼士46：正確地同步降壓FET時序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階段：低壓側(cè)開關(guān)開啟和高壓側(cè)開關(guān)開啟。低壓側(cè)開啟開關(guān)至關(guān)重要，