MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

Diodes車用MOSFET為汽車電子控制單元提供電池反向保護(hù)

Diodes公司推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET，旨在為車用電子控制單元提供電池反向保護(hù)。電子控制單元在愈來(lái)愈多車用控制應(yīng)用內(nèi)使用，有些汽車更安

汽車電子
2015-11-12

MOSFET DIODES 電池汽車電子控制
更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應(yīng)用

Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，拓展了高頻電力電子應(yīng)用的范圍。相比于相當(dāng)于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場(chǎng)通過(guò)擴(kuò)大我們?cè)诮K端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品

通信技術(shù)
2015-11-06

PFC POWER SIC MOSFET
開關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)選擇BJT優(yōu)于MOSFET？

MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。但在一些實(shí)例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM" style="margin: 0px; padding: 0px; font-size: 14px; line-heigh

電源
2015-11-06

控制器開關(guān)電源設(shè)計(jì) AC MOSFET
Diodes車用MOSFET為汽車電子控制單元提供

21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET，旨在為車用電子控制單元提供電池反向保護(hù)。電子控制單元在愈來(lái)愈多車用控制應(yīng)用內(nèi)使用，有些汽

汽車電子
2015-11-05

電子控制單元 MOSFET DIODES 汽車電子控制
走進(jìn)閃存技術(shù)

作為EPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)兩種存儲(chǔ)器的折衷，閃存是20世紀(jì)80年代問(wèn)世的。像EEPROM存儲(chǔ)器一樣，閃存支持電擦除數(shù)據(jù);保存新數(shù)據(jù)

嵌入式硬件
2015-10-24

電子絕緣閃存技術(shù) MOSFET
性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世

模擬
2015-10-14

電流 SIC MOSFET管 MOSFET
Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的性能

21ic訊，日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封裝的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiH

顯示光電
2015-10-12

封裝 Vishay KELVIN MOSFET
實(shí)現(xiàn)更高能效的新一代同步整流驅(qū)動(dòng)控制器NCP4305

同步整流旨在通過(guò)用低導(dǎo)通電阻的MOSFET代替常規(guī)的肖特基二極管進(jìn)行整流來(lái)減小損耗，提升能效。以5 V應(yīng)用為例，使用肖特基二極管整流將產(chǎn)生0.3 V的導(dǎo)通壓降，而同步MOSFET的

功率器件
2015-10-05

同步整流驅(qū)動(dòng)控制器 NCP MOSFET
不斷發(fā)展的ROHM最新功率元器件

用于功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體功率元器件，由于對(duì)所有設(shè)備的節(jié)能化貢獻(xiàn)巨大，其未來(lái)的技術(shù)發(fā)展動(dòng)向受到業(yè)界廣泛關(guān)注。ROHM針對(duì)這種節(jié)能化要求日益高漲的歷史潮流，致力將在使分立半

功率器件
2015-09-23

元器件 ROHM SIC MOSFET
如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

一、引言MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損

功率器件
2015-09-18

電壓 EMI BSP MOSFET
如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

摘要：本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI　　金升陽(yáng)R3一

功率器件
2015-09-18

電壓吸收電路 EMI MOSFET
實(shí)現(xiàn)更高能效的新一代同步整流驅(qū)動(dòng)控制器NCP4305

同步整流旨在通過(guò)用低導(dǎo)通電阻的MOSFET代替常規(guī)的肖特基二極管進(jìn)行整流來(lái)減小損耗，提升能效。以5 V應(yīng)用為例，使用肖特基二極管整流將產(chǎn)生0.3 V的導(dǎo)通壓降，而同步MOSFET的

功率器件
2015-09-14

同步整流驅(qū)動(dòng)控制器 NCP MOSFET
卡車、汽車和重型設(shè)備必須具備堅(jiān)固的電源轉(zhuǎn)換

卡車、汽車和重型設(shè)備環(huán)境對(duì)任何類型的電源轉(zhuǎn)換器件要求都是非?？量痰?。寬工作電壓范圍加之很大的瞬態(tài)和寬溫度變化范圍，所有這些因素使可靠的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)變得非常有挑戰(zhàn)性。使設(shè)計(jì)時(shí)須考慮的因素更加復(fù)雜的是，有些應(yīng)用要求將電源轉(zhuǎn)換器件安裝在引擎罩內(nèi)，因而要求很高的溫度額定值。同時(shí)，由于電子組件數(shù)量不斷增加，所以可用空間也在不斷縮小，從而由于空間限制而使高效率轉(zhuǎn)換變得至關(guān)重要了。

汽車電子
2015-09-14

汽車電源 LTC MOSFET
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。該款升級(jí)版平臺(tái)，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴(kuò)展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對(duì)市場(chǎng)更新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)

半導(dǎo)體
2015-09-07

導(dǎo)通電阻 BSP SIC MOSFET
Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET

Fairchild 推出了其行業(yè)領(lǐng)先的中壓MOSFET產(chǎn)品，采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產(chǎn)品，在尺寸縮減了一半的同時(shí)，提供了更高功率密度和更佳效率，且通過(guò)在封裝上下表面同時(shí)流動(dòng)的氣流提高了散熱性能。

功率器件
2015-08-31

封裝 FAIRCHILD COO MOSFET
安森美推出14款車載半導(dǎo)體芯片包括電源IC和MOSFET等

美國(guó)安森美半導(dǎo)體公司于2015年8月6日發(fā)布消息稱，推出了14款車載設(shè)備用半導(dǎo)體芯片，包括三款滿足M-LVDS(Multipoint- Low Voltage Differential Signaling)標(biāo)準(zhǔn)的線性驅(qū)動(dòng)

汽車電子
2015-08-19

安森美半導(dǎo)體芯片電源IC MOSFET
“2015 ROHM 科技展”青島站回顧

7 月 24 日，“2015 ROHM科技展”巡回展抵達(dá)青島站，本次科技展會(huì)由ROHM(羅姆)半導(dǎo)體集團(tuán)主辦、21ic中國(guó)電子網(wǎng)承辦，以“羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”為主題，從應(yīng)用層面出發(fā)，以產(chǎn)品展示及專業(yè)講座的形式，向半導(dǎo)體業(yè)界人士展示功率電子、車載電子、傳感器網(wǎng)絡(luò)、通信技術(shù)等方面的羅姆最新產(chǎn)品和技術(shù)，并進(jìn)行了眾多的高新技術(shù)主題演講。

半導(dǎo)體
2015-07-29

傳感器 rohm 科技展 MOSFET
世界首家※！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家※開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計(jì)劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為R

功率器件
2015-07-15

rohm 電源新品 MOSFET
Diodes優(yōu)化互補(bǔ)式MOSFET 提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度

21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補(bǔ)式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設(shè)計(jì)針對(duì)負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器，為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標(biāo)應(yīng)用包括以太網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器、網(wǎng)絡(luò)接口控制器、交換機(jī)、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務(wù)器和機(jī)頂盒等設(shè)備的處理器。

功率器件
2015-06-18

diodes 電源新品 MOSFET
SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動(dòng)電源

本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。

功率器件
2015-06-12

電源技術(shù)解析驅(qū)動(dòng)電源 MOSFET

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MOSFET

Diodes車用MOSFET為汽車電子控制單元提供電池反向保護(hù)

更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應(yīng)用

開關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)選擇BJT優(yōu)于MOSFET？

Diodes車用MOSFET為汽車電子控制單元提供

走進(jìn)閃存技術(shù)

性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的性能

實(shí)現(xiàn)更高能效的新一代同步整流驅(qū)動(dòng)控制器NCP4305

不斷發(fā)展的ROHM最新功率元器件

如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

實(shí)現(xiàn)更高能效的新一代同步整流驅(qū)動(dòng)控制器NCP4305

卡車、汽車和重型設(shè)備必須具備堅(jiān)固的電源轉(zhuǎn)換

業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET

安森美推出14款車載半導(dǎo)體芯片包括電源IC和MOSFET等

“2015 ROHM 科技展”青島站回顧

世界首家※！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

Diodes優(yōu)化互補(bǔ)式MOSFET 提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度

SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動(dòng)電源

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