女人被狂躁到高潮视频免费无遮挡,内射人妻骚骚骚,免费人成小说在线观看网站,九九影院午夜理论片少妇,免费av永久免费网址

當(dāng)前位置:首頁 > EDA > 電子設(shè)計自動化
[導(dǎo)讀]一直以來,混合集成電路電磁兼容性都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在,小編將為大家?guī)黼姶偶嫒菪缘南嚓P(guān)介紹,詳細(xì)內(nèi)容請看下文。

一直以來,混合集成電路電磁兼容性都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在,小編將為大家?guī)黼姶偶嫒菪缘南嚓P(guān)介紹,詳細(xì)內(nèi)容請看下文。

一、混合集成電路電磁兼容性設(shè)計

混合集成電路電磁兼容性設(shè)計時首先要做功能性檢驗,在方案已確定的電路中檢驗電磁兼容性指標(biāo)能否滿足要求,若不滿 足就要修改參數(shù)來達(dá)到指標(biāo),如發(fā)射功率、工作頻率、重新選擇器件等。其次是做防護性設(shè)計,包括濾波、屏蔽、接地與搭接設(shè) 計等。第三是做布局的調(diào)整性設(shè)計,包括總體布局的檢驗,元器件及導(dǎo)線的布局檢驗等。通常,電路的電磁兼容性設(shè)計包括:工藝和部件的選擇、電路布局及導(dǎo)線的布設(shè)等。

在這里,我們主要介紹電磁兼容性設(shè)計中的工藝和部件的選擇。

混合集成電路有三種制造工藝可供選擇,單層薄膜、多層厚膜和多層共燒厚膜。薄膜工藝能夠生產(chǎn)高密度混合電路所需的小 尺寸、低功率和高電流密度的元器件,具有高質(zhì)量、穩(wěn)定、可靠和靈特點,適合于高速高頻和高封裝密度的電路中。但只能 做單層布線且成本較高。多層厚膜工藝能夠以較低的成本制造多層互連電路,從電磁兼容的角度來說,多層布線可以減小線路板 的電磁輻射并提高線路板的抗干擾能力。因為可以設(shè)置專門的電源層和地層,使信號與地線之間的距離僅為層間距離。這樣,板 上所有信號的回路面積就可以降至最小,從而有效減小差模輻射。

其中多層共燒厚膜工藝具有更多的優(yōu)點,是目前無源集成的主流技術(shù)。它可以實現(xiàn)更多層的布線,易于內(nèi)埋元器件,提高組 裝密度,具有良好的高頻特性和高速傳輸特性。此外,與薄膜技術(shù)具有良好的兼容性,二者結(jié)合可實現(xiàn)更高組裝密度和更好性能 的混合多層電路。

混合電路中的有源器件一般選用裸芯片,沒有裸芯片時可選用相應(yīng)的封裝好的芯片,為得到最好的EMC特性,盡量選用表貼 式芯片。選擇芯片時在滿足產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)的前提下,盡量選用低速時鐘在 HC能用時絕不使用AC,CMOS4000能行就不用HC。電容 應(yīng)具有低的等效串聯(lián)電阻,這樣可以避免對信號造成大的衰減?;旌想娐返姆庋b可采用可伐金屬的底座和殼蓋,平行縫焊,具有很好的屏蔽作用。

二、提升電磁兼容性的方法

提升電磁兼容性能的方法有以下幾種:

設(shè)計屏蔽和絕緣:通過在電子設(shè)備或線路中添加屏蔽和絕緣材料,可以減少電磁輻射和敏感性。

地線和接地設(shè)計:良好的地線和接地系統(tǒng)可以有效地降低電磁噪聲和提高抗干擾能力。

濾波器:使用電源濾波器、信號濾波器和濾波電容等,可以濾除高頻噪聲和電磁干擾,提高系統(tǒng)的抗干擾能力。

電磁屏蔽:對敏感設(shè)備進行電磁屏蔽,阻隔外部電磁場的入侵,減少電磁輻射和敏感性。

良好的布局和布線:合理布置電路板和線束,避免干擾源和受干擾設(shè)備之間的相互干擾。

地址信號處理:采用差分信號傳輸、編碼和解碼技術(shù),可以減小信號干擾和提高抗干擾能力。

標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)測試:遵循電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范進行測試和驗證,確保產(chǎn)品符合相關(guān)法規(guī)要求。

抗干擾措施:如使用屏蔽罩、濾波器、電磁隔離器等來隔離和抵御外部電磁場的干擾。

優(yōu)化電路設(shè)計:優(yōu)化電路結(jié)構(gòu)和信號傳輸路徑,降低電磁噪聲產(chǎn)生和傳播。

系統(tǒng)綜合設(shè)計:在系統(tǒng)設(shè)計階段考慮電磁兼容性需求,合理選擇器件和材料,減少潛在的干擾和敏感性。

綜上所述,提升電磁兼容性能需要綜合考慮各個方面的因素,從設(shè)計到測試都需要遵循一定的原則和方法。

以上所有內(nèi)容便是小編此次為大家?guī)淼挠嘘P(guān)電磁兼容性的所有介紹,如果你想了解更多有關(guān)它的內(nèi)容,不妨在我們網(wǎng)站或者百度、google進行探索哦。

聲明:該篇文章為本站原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)不予轉(zhuǎn)載,侵權(quán)必究。
換一批
延伸閱讀

"十四五"期間GDP年均增長9.6%,每年安排產(chǎn)業(yè)發(fā)展資金超百億元 北京2025年9月5日 /美通社/ -- 9月4日,在北京市人民政府新聞辦公室舉行的"一把手發(fā)布?京華巡禮"系...

關(guān)鍵字: 人工智能 自動駕駛 集成電路 4S店

Puttshack 的 Trackaball 以 Nordic nRF54L15 系統(tǒng)級芯片 (SoC) 監(jiān)控傳感器并實現(xiàn)低功耗藍(lán)牙連接,并以nPM2100 電源管理集成電路(PMIC)節(jié)省耗電

關(guān)鍵字: SoC 傳感器 集成電路

EMC電磁兼容性包括EMI(interference)和EMS(susceptibility),也就是電磁干擾和電磁抗干擾。隨著智能化技術(shù)的發(fā)展,單片機的應(yīng)用也日益廣泛。雖然單片機本身有一定的抗干擾能力,但是用單片機為核...

關(guān)鍵字: 電磁兼容 電磁

隨著單片機系統(tǒng)越來越廣泛地應(yīng)用于消費類電子、醫(yī)療、工業(yè)自動化、智能化儀器儀表、航空航天等各領(lǐng)域,單片機系統(tǒng)面臨著電磁干擾(EMI)日益嚴(yán)重的威脅。電磁兼容性(EMC)包含系統(tǒng)的發(fā)射和敏感度兩方面的問題。

關(guān)鍵字: 單片機 電磁兼容

近日,我國首臺自主研發(fā)的商用電子束光刻設(shè)備“羲之”在浙江余杭正式發(fā)布,標(biāo)志著我國在高端半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域又邁出了重要一步!

關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 集成電路

通過將Ceva的NeuPro-Nano和NeuPro-M神經(jīng)處理單元(NPU)集成在揚智科技的VDSS平臺中,可為智能邊緣設(shè)備提供高效的人工智能加速,從而推動揚智科技的設(shè)計服務(wù)業(yè)務(wù)發(fā)展,以滿足人工智能帶動的專用集成電路設(shè)...

關(guān)鍵字: 人工智能 集成電路 智能顯示屏

隨著集成電路技術(shù)持續(xù)向更小尺寸、更高集成度發(fā)展,天線效應(yīng)已成為影響芯片性能與可靠性的關(guān)鍵因素。在芯片制造過程中,特定工藝步驟會產(chǎn)生游離電荷,而暴露的金屬線或多晶硅等導(dǎo)體宛如天線,會收集這些電荷,致使電位升高。若這些導(dǎo)體連...

關(guān)鍵字: 集成電路 天線效應(yīng) 芯片

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,集成電路(IC)的性能對于整個系統(tǒng)的功能和可靠性起著至關(guān)重要的作用。而確保電源以低阻抗進入 IC 是維持其良好性能的關(guān)鍵因素之一。電源去耦作為一種重要手段,能夠有效減少電源噪聲和紋波,保持電源的穩(wěn)定性,...

關(guān)鍵字: 集成電路 去耦 低阻抗

復(fù)旦大學(xué)與復(fù)旦微電子集團正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,標(biāo)志著校企雙方在科研協(xié)同、技術(shù)轉(zhuǎn)化、機制共建等關(guān)鍵領(lǐng)域邁入深層次合作新階段。

關(guān)鍵字: 集成電路

在電子電路的設(shè)計與應(yīng)用中,確保電源進入集成電路(IC)的穩(wěn)定性至關(guān)重要。電源去耦作為一種關(guān)鍵技術(shù)手段,對于維持電源進入 IC 各點的低阻抗發(fā)揮著不可或缺的作用。無論是模擬集成電路,如放大器和轉(zhuǎn)換器,還是混合信號器件,像...

關(guān)鍵字: 集成電路 電源去耦 低阻抗
關(guān)閉