NAND閃存無疑是當(dāng)下乃至未來最主流的存儲技術(shù)，但也有不少新的存儲技術(shù)在探索和推進(jìn)，Intel 3D XPoint(傲騰)就是典型代表(曾與美光合作研發(fā)如今已分手)，產(chǎn)品也是多點開花，Intel對它頗為倚重。

不過，鎧俠(Kioxia/原東芝存儲)對于Intel傲騰技術(shù)卻有些不屑一顧，認(rèn)為還是應(yīng)該堅持走NAND路線，尤其是自家新研發(fā)的XL-Flash技術(shù)更有前景。

Intel 3D XPoint存儲使用相變材料來調(diào)節(jié)存儲單元的電阻，再通過電子選擇器開關(guān)來訪問，通過交替改變字線和位線的方向保比特位可尋址特性。如果需要堆疊更多層數(shù)，就需要增加額外的字線和位線，以及其間的單元。

鎧俠認(rèn)為，3D XPoint傲騰這種存儲技術(shù)存在很多缺陷，尤其是仍然局限于單層，而相比于在每一層內(nèi)增加比特位，增加層數(shù)會導(dǎo)致復(fù)雜性、成本急劇增加，控制電路也會損失一部分面積，并嚴(yán)重影響產(chǎn)能。

相比之下，3D NAND閃存技術(shù)要成熟得多，蝕刻和填充步驟可以一次覆蓋多層，目前已有大量的90多層產(chǎn)品已上市，100多層的也就在不遠(yuǎn)處，這是一種行之有效的思路，面積上的損失幾乎為零，產(chǎn)能影響也很小。

另外，3D NAND的成本會隨著層數(shù)的不斷增加而持續(xù)降低，盡管會越來越不明顯，但是3D XPoint技術(shù)在堆疊到四五層后，成本反而會迅速增加，失去擴(kuò)展性。

當(dāng)然，鎧俠的這一番言論目的還是推銷自家的XL-Flash，去年8月份才剛剛提出，將在今年大規(guī)模量產(chǎn)。

這種技術(shù)介于傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存、NAND Flash閃存之間，可以理解為一種采用3D立體封裝、延遲超低的SLC閃存，單Die容量128Gb，支持兩個、四個、八個Die整合封裝，單顆容量最大128GB，而且分成了多達(dá)16層，延遲不超過5微秒。

對于這樣的說法，Intel肯定不會同意。事實上，Intel一直在并行發(fā)展3D NAND、3D XPoint，前者已經(jīng)量產(chǎn)96層QLC，明年還會有144層QLC，后者也準(zhǔn)備好了擴(kuò)展到雙層，未來還有四層、八層。

Intel還已透露，下代傲騰產(chǎn)品“Aerospike”預(yù)計可以做到130萬左右的超高IOPS，是現(xiàn)在傲騰SSD DC P4800X的大約三倍，更是NAND閃存硬盤的四倍多，同時失敗率極低，只有NAND閃存的大約50分之一，而作為拿手好戲的延遲更是一騎絕塵。

此外針對3D NAND閃存，Intel、鎧俠等都在研究5個比特位的PLC。