11月15日，高溫半導(dǎo)體解決方案商CISSOID宣布與湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。

寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中為充分發(fā)揮寬禁帶功率模塊的優(yōu)勢，需要驅(qū)動器在耐高溫、可靠性和保護(hù)機(jī)制等方面提供充分支持。

CISSOID公司是來自比利時的高溫半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先廠商，擁有在航空航天、石油、汽車等多個要求嚴(yán)苛的領(lǐng)域驗(yàn)證過的、應(yīng)用超過10年的驅(qū)動器產(chǎn)品，這些驅(qū)動器產(chǎn)品具有耐高溫、高可靠性、高魯棒性等特性，可以助力寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊在各類系統(tǒng)應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。

國芯科技是由中車時代電氣聯(lián)合長安汽車、南方電網(wǎng)、格力電器、中環(huán)股份等8家企業(yè)共同出資成立的集研發(fā)、檢測、技術(shù)服務(wù)于一體的高新企業(yè)，主要開展先進(jìn)IGBT、新型IGCT、MOSFET、功率RF，以及SiC、GaN等寬禁帶功率半導(dǎo)體材料、器件及技術(shù)的研究開發(fā)。

國芯科技攜手中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立了功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心，旨在開展功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)研發(fā)、相關(guān)產(chǎn)品開發(fā)、科技成果轉(zhuǎn)移擴(kuò)散、技術(shù)孵化和商業(yè)化應(yīng)用等工作，并提供設(shè)計(jì)、檢測等技術(shù)服務(wù)，進(jìn)行人才培養(yǎng)和國際交流合作。目前，該創(chuàng)新中心已正式獲批成為湖南省制造業(yè)創(chuàng)新中心，正致力于建設(shè)升級為國家級制造業(yè)創(chuàng)新中心，打造成中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)聚集圈。

國芯科技總經(jīng)理戴小平表示，“很高興可以與CISSOID公司簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，CISSOID公司多年來在高溫驅(qū)動器和高溫封裝方面的技術(shù)可以助力寬禁帶功率模塊在系統(tǒng)級上實(shí)現(xiàn)耐高溫、高能量密度，同時可極大地提高電控系統(tǒng)的可靠性。我們將與CISSOID公司合作研發(fā)寬禁帶功率技術(shù)、模塊及系統(tǒng)應(yīng)用，進(jìn)而推動寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)在中國加速發(fā)展。”、