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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列
21ic訊 — 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質(zhì)國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地
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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件
21ic訊 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質(zhì)國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地位。這個
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羅姆實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
21ic訊 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布，GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的
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羅姆實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝并開始量產(chǎn)
21IC訊 日本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗低，可靠性高，在各種應(yīng)
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羅姆開發(fā)出SiC肖特基勢壘二極管SCS210AG/AM
21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器、工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器和空調(diào)等的電源電路，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界最小※正向電壓（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM&rdquo
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羅姆開發(fā)出SiC肖特基勢壘二極管SCS210AG/AM
21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器、工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器和空調(diào)等的電源電路，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界最小※正向電壓（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM&rdquo
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蜂窩網(wǎng)絡(luò)趨勢引領(lǐng)新工藝前景方向
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅
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硅襯底，躋身主流待何時？
襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型LE
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硅襯底，躋身主流待何時？
襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型
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Keil C51對標(biāo)準ANSIC的擴展學(xué)習(xí)資料
Keil C51對標(biāo)準ANSIC的擴展學(xué)習(xí)資料
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硅襯底，躋身主流待何時？
襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型LE
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件
與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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搶攻節(jié)能商機日本產(chǎn)官學(xué)合組SiC晶片研發(fā)團隊
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所(產(chǎn)總研)27日發(fā)布新聞稿宣布，攜手富士電機(FujiElectric)、住友電工(SumitomoElectricIndustries)、ALVAC等16家日本企業(yè)設(shè)立的電源控制晶片共同研發(fā)團隊「TsukubaPower-ElectronicsConstella
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件
與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準
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LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法介紹
外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來就用激
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LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法介紹
外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來就用激
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羅姆：依靠高品質(zhì)贏得市場
日本企業(yè)最令人稱道的地方就是對于產(chǎn)品品質(zhì)無止境的追求，而羅姆更是其中的佼佼者。在21ic記者訪問慕尼黑上海電子展羅姆展臺的時候，展臺工程師使用頻率最多的一個詞就是“品質(zhì)”。 在本次展會上，羅姆以
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羅姆（ROHM）四大戰(zhàn)略重裝上陣
經(jīng)過50多年的發(fā)展，羅姆（ROHM）已經(jīng)成為大型的跨國集團公司，在全球擁有多家開發(fā)、生產(chǎn)、銷售分支機構(gòu)。在其產(chǎn)品銷售額中，包括IC和分立元器件在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品占80%以上。以系統(tǒng)IC為首，羅姆擁有豐富多彩的半導(dǎo)體產(chǎn)
