MOSFET
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Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平
器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝，導(dǎo)通電阻降至2.35 mΩ，柵極電荷為55 nC，COSS為614 pF。
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智能電源方案用于數(shù)據(jù)中心，減小尺寸、增強(qiáng)可靠性并降低運營成本
身處社會，我們每天都在創(chuàng)建、使用和分享前所未有的數(shù)據(jù)，無論是在我們的個人生活中還是在我們工作的時候。
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CISSOID強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅(SiC)功率模塊提供支持
比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年1月14日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動器，以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模塊。
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東芝面向車載應(yīng)用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET
東芝今日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型100V N溝道功率MOSFET。
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除了業(yè)界最小RDSon之外，與硅器件相同的驅(qū)動特性才是United SiC FET的殺手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共柵的方式將其燒結(jié)在一起，是United SiC的最大設(shè)計特色。這種結(jié)構(gòu)確保其產(chǎn)品可以保持與Si類功率器件保持一致的驅(qū)動電壓，從而可以幫助可以直接在原有的Si基礎(chǔ)的電路中進(jìn)行直接的升級和替換。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的業(yè)界最低Rds(on)將SiC器件的性能提升到了新的高度，面對電動汽車和5G等全新應(yīng)用需求，United SiC可以給客戶提供集成度更高、更加高效、更為穩(wěn)定可靠的解決方案。
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Vishay新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET
為節(jié)省PCB空間，減少元件數(shù)量并簡化設(shè)計，該器件采用優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，兩個單片集成TrenchFET® 第四代n溝道MOSFET采用共漏極配置。SiSF20DN源極觸點并排排列，加大連接提高PCB接觸面積，與傳統(tǒng)雙封裝型器件相比進(jìn)一步減小電阻率。這種設(shè)計使MOSFET適合用于24 V系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用雙向開關(guān)
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Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計等優(yōu)點
通用器件輸入電壓范圍寬達(dá)4.5V至60V，內(nèi)部補(bǔ)償功能減少外部元器件
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Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
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Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計等優(yōu)點
通用器件輸入電壓范圍寬達(dá)4.5V至60V，內(nèi)部補(bǔ)償功能減少外部元器件。
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恒流源電路基礎(chǔ)介紹
恒流源由信號源和電壓控制電流源(VCCS)兩部分組成。正弦信號源采用直接數(shù)字頻率合成(DDS)技術(shù)，即以一定頻率連續(xù)從EPROM中讀取正弦采樣數(shù)據(jù)，經(jīng)D/A轉(zhuǎn)換并濾波后產(chǎn)生EIT所需的正弦信號。本系統(tǒng)采用DDS集成芯片AD9830，其內(nèi)部有兩個12位相位寄存器和兩個32位頻率寄存器。在單片機(jī)的控制下對相應(yīng)的寄存器置數(shù)就可以方便得到2MHz以下的任意頻率和相位的輸出，其中頻率精度為1/ 2 32，相位分辨率為2π/2 12，輸出幅度也可以在一定的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，因此能滿足系統(tǒng)多頻激勵(10kHz～1MHz)的要求。
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SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢顯著
摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項關(guān)注度很高的替代技術(shù)。
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LED燈具驅(qū)動電源技術(shù)
繁華的城市離不開LED燈的裝飾，相信大家都見過LED，它的身影已經(jīng)出現(xiàn)在了我們的生活的各個地方，也照亮著我們的生活。要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問題。
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LED驅(qū)動設(shè)計注意事項
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，LED技術(shù)也在不斷發(fā)展，為我們的生活帶來各種便利，為我們提供各種各樣生活信息，造福著我們?nèi)祟?。對于新手來講LED驅(qū)動設(shè)計其實并不是一件容易的事兒，針對這方面問題小編特別總結(jié)了設(shè)計達(dá)人的一些在工作中需要注意的問題和親身的設(shè)計心得進(jìn)行分享。
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新的功率MOSFET-SQJQ402E
在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。日前，Vishay Intertechnology，Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新的8mm x 8mm x 1.8mm Power PAK8x8L封裝40VTrenchFET 功率MOSFET-SQJQ402E，目的是為汽車應(yīng)用提供可替代常用D2PAK和DPAK封裝，實現(xiàn)大電流，并能節(jié)省空間和功耗的方案。
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國產(chǎn)芯片真金質(zhì)!基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測試“火”力全開
挑戰(zhàn)驕陽火焰山，何須芭蕉借又還。 國產(chǎn)芯片真金質(zhì)，不懼火煉過樓蘭。
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針對高耐用性和可靠性電源需求，意法半導(dǎo)體推出市場上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器
中國，2019年7月29日——意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計簡單的優(yōu)點。
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意法半導(dǎo)體推出600V三相智能關(guān)斷柵極驅(qū)動器，提高工業(yè)應(yīng)用性能和安全性
中國，2019年7月17日——意法半導(dǎo)體的STDRIVE601三相柵極驅(qū)動器用于驅(qū)動600V N溝道功率MOSFET和IGBT管，穩(wěn)健性居目前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)水平，可耐受低至-100V的負(fù)尖峰電壓，邏輯輸入響應(yīng)速度在85ns以內(nèi)，處于同級產(chǎn)品一流水平。
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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS? 功率MOSFET
?英飛凌OptiMOS? 3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，與先前型號相比，具有更高的功率密度和穩(wěn)健性，從而降低系統(tǒng)成本和提升整體性能?？蛻艨梢栽L問儒卓力電子商務(wù)平臺www.rutronik24.com.cn了解有關(guān)OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品信息。
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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS?功率MOSFET
英飛凌OptiMOS?3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，與先前型號相比，具有更高的功率密度和穩(wěn)健性，從而降低系統(tǒng)成本和提升整體性能?？蛻艨梢栽L問儒卓力電子商務(wù)平臺www.rutronik24.com.cn了解有關(guān)OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品信息。
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ROHM開發(fā)出節(jié)能優(yōu)勢顯著的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器“BD83070GWL”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)，面向移動設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備，開發(fā)出一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器*1)“BD83070GWL”，該產(chǎn)品實現(xiàn)了超高效率和超低消耗電流。
