女人被狂躁到高潮视频免费无遮挡,内射人妻骚骚骚,免费人成小说在线观看网站,九九影院午夜理论片少妇,免费av永久免费网址

當前位置:首頁 > 半導體 > 意法半導體
[導讀]中國,2019年7月17日——意法半導體的STDRIVE601三相柵極驅(qū)動器用于驅(qū)動600V N溝道功率MOSFET和IGBT管,穩(wěn)健性居目前業(yè)內(nèi)最先進水平,可耐受低至-100V的負尖峰電壓,邏輯輸入響應速度在85ns以內(nèi),處于同級產(chǎn)品一流水平。

中國,2019年7月17日——意法半導體的STDRIVE601三相柵極驅(qū)動器用于驅(qū)動600V N溝道功率MOSFET和IGBT管,穩(wěn)健性居目前業(yè)內(nèi)最先進水平,可耐受低至-100V的負尖峰電壓,邏輯輸入響應速度在85ns以內(nèi),處于同級產(chǎn)品一流水平。

ST新聞稿2019年7月17日——意法半導體推出 600V三相智能關斷柵極驅(qū)動器,提高工業(yè)應用性能和安全性.jpg

STDRIVE601內(nèi)置智能關斷電路,可提高保護功能的啟動速度,在檢測到過載或短路后,立即關閉柵極驅(qū)動器輸出。用外部電容和電阻設定斷態(tài)持續(xù)時間,必要時,設計人員可以用較大的C-R值設置所需時間,而不會影響關斷反應時間。STDRIVE601具有低電平有效故障指示器引腳。

STDRIVE601可以替代三個半橋驅(qū)動器,簡化PCB電路板布局設計,優(yōu)化三相電機驅(qū)動器的性能,可以驅(qū)動家電、工業(yè)縫紉機、工業(yè)驅(qū)動器和風扇等設備。

所有輸出均可灌入350mA電流,源出200mA電流,柵極驅(qū)動電壓范圍為9V-20V,可驅(qū)動N溝道功率MOSFET或IGBT管。低邊和高邊之間的延遲匹配功能消除了周期失真現(xiàn)象,并允許高頻開關操作,而互鎖和死區(qū)插入特性可防止交叉導通。

STDRIVE601采用意法半導體的BCD6S離線功率開關制造工藝,驅(qū)動電源是高達21V的邏輯電源電壓和高達600V的高邊自舉電壓。驅(qū)動器集成自舉二極管,節(jié)省物料清單成本,并且低邊和高邊驅(qū)動電路都有欠壓鎖定(UVLO)功能,可防止電源開關在低能效或危險條件下運行。

EVALSTDRIVE601評估板現(xiàn)已上市,可以幫助用戶探索STDRIVE601驅(qū)動器的功能,快速創(chuàng)建并運行首個原型系統(tǒng)。

STDRIVE601 芯片現(xiàn)已投入生產(chǎn),采用SO28封裝。

本站聲明: 本文章由作者或相關機構授權發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

中國上海,2025年9月10日——全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)與德國大型汽車零部件供應商舍弗勒集團(總部位于德國赫爾佐根奧拉赫,以下簡稱“舍弗勒”)宣布,作為戰(zhàn)略合作伙伴關系的重要里程碑,舍弗勒開始量產(chǎn)...

關鍵字: SiC MOSFET 電動汽車

-三款新器件助力提升工業(yè)設備的效率和功率密度-

關鍵字: SiC MOSFET 開關電源

在電子系統(tǒng)中,MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)作為一種常用的開關器件,其開關過程中的電磁干擾(EMI)問題備受關注。

關鍵字: MOSFET

【2025年8月1日,德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出了采用頂部散熱(TSC)Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOS...

關鍵字: MOSFET 電動汽車 伏逆變器

7月18日,由魯歐智造(山東)數(shù)字科技有限公司主辦、中關村集成電路設計園、北航確信可靠性聯(lián)合實驗室協(xié)辦的第三屆用戶大會在北京朗麗茲西山花園酒店成功舉辦。本次大會以“開啟電子熱管理技術圈的正向設計之門”為主題,吸引了來自全...

關鍵字: SiC MOSFET 功率半導體

許多電源轉(zhuǎn)換應用都需要支持寬輸入或輸出電壓范圍。ADI公司的一款大電流、高效率、全集成式四開關降壓-升壓型電源模塊可以滿足此類應用的需求。該款器件將控制器、MOSFET、功率電感和電容集成到先進的3D集成封裝中,實現(xiàn)了緊...

關鍵字: 穩(wěn)壓器 控制器 MOSFET

在電力電子系統(tǒng)中,MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)作為核心開關器件,其可靠性直接影響系統(tǒng)壽命。據(jù)統(tǒng)計,功率器件失效案例中,MOSFET占比超過40%,主要失效模式包括雪崩擊穿、熱失控、柵極氧化層擊穿等。本文從...

關鍵字: MOSFET 電力電子系統(tǒng)

在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進的進程中,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導通電阻、高頻開關特性及高溫穩(wěn)定性,成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而,其高速開關過程中產(chǎn)生的直流電磁干擾(EM...

關鍵字: 碳化硅 MOSFET 直流EMI

美國賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現(xiàn)已全面量產(chǎn),首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時,一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進入送樣階段。

關鍵字: MOSFET 功率器件 IGBT

協(xié)議旨在整合利用Microchip mSiC?技術與臺達智能節(jié)能解決方案,加速可持續(xù)應用開發(fā)

關鍵字: 碳化硅 電源管理 MOSFET
關閉