過(guò)年前,幾乎所有寫(xiě)字樓里“坐辦公室”的人都有一個(gè)共同任務(wù),寫(xiě)年終總結(jié)。大家都說(shuō),年終總結(jié)寫(xiě)的其實(shí)是糾結(jié)。錢報(bào)寫(xiě)字樓QQ群里,剛工作不到6個(gè)月的云兒給記者發(fā)來(lái)了一個(gè)50K大小、將近20頁(yè)的文檔,她用一
公司要求年終總結(jié)5000字起步 字?jǐn)?shù)不夠扣獎(jiǎng)金
其實(shí)arl模板很容易寫(xiě),只要明白d表的內(nèi)容就可以,也可以照350自帶的arl修改,復(fù)制粘貼很快就可以搞定.主要是幾個(gè)關(guān)鍵位置 FMT_SKIPUNTIL ???? $skipe 和FMT_ROUND $skip D$dcode .... 其他關(guān)鍵字 見(jiàn)350的幫助
本文示舉兩例,介紹納米技術(shù)在微電子連接方面的應(yīng)用。納米技術(shù)(nanotechnology)是一門(mén)在0.1~100nm空間尺度內(nèi)操縱原子和分子,對(duì)材料進(jìn)行加工,制造具有特定功能的產(chǎn)品,或?qū)δ澄镔|(zhì)進(jìn)行研究,掌握其原子和分子的運(yùn)
簡(jiǎn)介本文介紹了求職過(guò)程中,25個(gè)必須注意的問(wèn)題。記住這些問(wèn)題,很多讀者在找工作時(shí),一定會(huì)增加成功的機(jī)會(huì)。 當(dāng)你找工作時(shí),若你覺(jué)得許多因素你不能掌控從而影響了你得到工作的可能性那會(huì)使你發(fā)狂。經(jīng)濟(jì),你所在的
相位解包裹是使用相移顯微干涉法測(cè)量MEMS/NEMS表面3-D輪廓時(shí)的重要步驟.本文針對(duì)普通的相位解包裹方 法在復(fù)雜輪廓或包含非理想數(shù)據(jù)區(qū)的表面輪廓測(cè)量中的局限性,提出一種基于模板的廣度優(yōu)先搜索相位展開(kāi)方法.通過(guò)模板 的使用,先將非相容區(qū)域標(biāo)記出來(lái),在相位解包裹的過(guò)程中繞過(guò)這些區(qū)域,即可得到準(zhǔn)確可靠的相位展開(kāi)結(jié)果.通過(guò)具體的應(yīng) 用實(shí)例可以證明,使用不同模板可以根據(jù)不同應(yīng)用的需要靈活而準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)表面3-D輪廓測(cè)量中的相位展開(kāi). 關(guān)鍵詞:MEMS/NEMS;表面輪廓測(cè)量;模板;相位解包裹;邊緣檢測(cè)
測(cè)試成本已成為芯片設(shè)計(jì)的一個(gè)主要問(wèn)題,相信這一點(diǎn)沒(méi)有人會(huì)提出質(zhì)疑。但真正讓人不解的是這個(gè)問(wèn)題的嚴(yán)重性,不僅因?yàn)闇y(cè)試成本在某些系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)中已是芯片成本最大組成部分,而且有些設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)判定后發(fā)現(xiàn)是不可能
如何找個(gè)好工作
相位解包裹是使用相移顯微干涉法測(cè)量MEMS/NEMS表面3-D輪廓時(shí)的重要步驟.本文針對(duì)普通的相位解包裹方 法在復(fù)雜輪廓或包含非理想數(shù)據(jù)區(qū)的表面輪廓測(cè)量中的局限性,提出一種基于模板的廣度優(yōu)先搜索相位展開(kāi)方法.通過(guò)模板 的使用,先將非相容區(qū)域標(biāo)記出來(lái),在相位解包裹的過(guò)程中繞過(guò)這些區(qū)域,即可得到準(zhǔn)確可靠的相位展開(kāi)結(jié)果.通過(guò)具體的應(yīng) 用實(shí)例可以證明,使用不同模板可以根據(jù)不同應(yīng)用的需要靈活而準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)表面3-D輪廓測(cè)量中的相位展開(kāi). 關(guān)鍵詞:MEMS/NEMS;表面輪廓測(cè)量;模板;相位解包裹;邊緣
基于電池供電的傳感器網(wǎng)絡(luò)通常運(yùn)行在火山地帶、戰(zhàn)區(qū)等人無(wú)法接近的惡劣甚至危險(xiǎn)的遠(yuǎn)程環(huán)境之中,網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)的電源更換或再充電等工作通常無(wú)法進(jìn)行。廣泛分布于被測(cè)環(huán)境的傳感器節(jié)點(diǎn)既要負(fù)責(zé)收集敏感數(shù)據(jù),又要完成數(shù)據(jù)
基于電池供電的傳感器網(wǎng)絡(luò)通常運(yùn)行在火山地帶、戰(zhàn)區(qū)等人無(wú)法接近的惡劣甚至危險(xiǎn)的遠(yuǎn)程環(huán)境之中,網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)的電源更換或再充電等工作通常無(wú)法進(jìn)行。廣泛分布于被測(cè)環(huán)境的傳感器節(jié)點(diǎn)既要負(fù)責(zé)收集敏感數(shù)據(jù),又要完成數(shù)據(jù)
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道,美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種名為“納米隧道電穿孔”的新技術(shù),或稱為NEP。利用其給細(xì)胞注射基因治療藥劑時(shí),不用針頭,而是用電脈沖通過(guò)微小的納米隧道,幾毫秒內(nèi)就能把精確劑
1、前言 在現(xiàn)代電子產(chǎn)品世界中,PCB(印刷電路板)是組成電子產(chǎn)品的重要環(huán)節(jié),很難想象在一臺(tái)電子設(shè)備 中有不采用PCB的,所以PCB的質(zhì)量如何將對(duì)電子產(chǎn)品能否長(zhǎng)期正??煽抗ぷ鲙?lái)非常大的影響。提高 PCB的質(zhì)量是
針對(duì)OLED顯示屏的自動(dòng)化缺陷檢測(cè)問(wèn)題,提出了一種新的檢測(cè)方法。首先,基于顯示屏的原圖像,提取其骨架信息,進(jìn)行分塊處理后快速地與模板圖像配準(zhǔn),通過(guò)差影法實(shí)現(xiàn)斑痕缺陷的初次提取。然后通過(guò)大津法確定圖像的閾值,將圖像分割并進(jìn)行差影操作后,實(shí)現(xiàn)斑痕缺陷的檢測(cè);最后,通過(guò)列舉的實(shí)例,驗(yàn)證了本方法的有效性。
1、前言 在現(xiàn)代電子產(chǎn)品世界中,PCB(印刷電路板)是組成電子產(chǎn)品的重要環(huán)節(jié),很難想象在一臺(tái)電子設(shè)備中有不采用PCB的,所以PCB的質(zhì)量如何將對(duì)電子產(chǎn)品能否長(zhǎng)期正??煽抗ぷ鲙?lái)非常大的影響。提高 PCB的質(zhì)量是電子
針對(duì)OLED顯示屏的自動(dòng)化缺陷檢測(cè)問(wèn)題,提出了一種新的檢測(cè)方法。首先,基于顯示屏的原圖像,提取其骨架信息,進(jìn)行分塊處理后快速地與模板圖像配準(zhǔn),通過(guò)差影法實(shí)現(xiàn)斑痕缺陷的初次提取。然后通過(guò)大津法確定圖像的閾值,將圖像分割并進(jìn)行差影操作后,實(shí)現(xiàn)斑痕缺陷的檢測(cè);最后,通過(guò)列舉的實(shí)例,驗(yàn)證了本方法的有效性。
日前,由加拿大、中國(guó)、土耳其、德國(guó)科學(xué)家組成的科研小組稱,一種之前被認(rèn)為不可能存在的化合物——周期性中孔硅氫化合物合成成功,其在高溫下能轉(zhuǎn)為光致發(fā)光材料,可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能設(shè)備等設(shè)備中,相關(guān)研究發(fā)表在
劃片機(jī)視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)設(shè)計(jì)原理分析1 視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)構(gòu)成劃片機(jī)的視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)是以計(jì)算機(jī)為主的實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)。如圖1所示: 由光學(xué)照明系統(tǒng),CCD攝像器件,圖像處理軟件等部分組成。 識(shí)別系統(tǒng)的目的是實(shí)現(xiàn)自動(dòng)
采用模板印制和絲網(wǎng)印制,都可以僅用一個(gè)操作步驟就將所有的焊錫沉積在印制電路板上,當(dāng)刮刀在模板或絲網(wǎng)上刮過(guò)以后,焊錫膏被擠進(jìn)模板或絲網(wǎng)上的開(kāi)口中,這部分焊錫膏就和電路板相接觸。模板或絲網(wǎng)的開(kāi)口與所有的焊
絲網(wǎng)印制較模板印制的優(yōu)點(diǎn)是其成本較低,而且它可以印制較大的區(qū)域,其缺點(diǎn)是印制的精度有限且覆層的厚度有限。在絲網(wǎng)印制工藝中,焊錫膏在網(wǎng)眼上滾過(guò),電路板上在絲網(wǎng)網(wǎng)眼附近不需要焊錫膏的地方應(yīng)涂有一層藥膜。絲