器件提供關(guān)鍵保護(hù)功能以及出色的共模瞬態(tài)抑制性能對(duì)于目前的高功耗工業(yè)應(yīng)用,設(shè)計(jì)人員傳統(tǒng)上對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)器使用分立器件,導(dǎo)致整體設(shè)計(jì)復(fù)雜性和系統(tǒng)成本大大提高。 為了幫助設(shè)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出采用增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9003及EPC9006開(kāi)發(fā)板, 展示最新推出、專為驅(qū)動(dòng)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動(dòng)器可幫助工程師簡(jiǎn)單地及以低成本從硅器件轉(zhuǎn)用氮化鎵技術(shù)
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)損耗。該 UC
21ic訊 羅姆株式會(huì)社開(kāi)發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器“BM6103FV-C”,最適合作為電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力車(HEV)逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)元件。本產(chǎn)品融合了羅姆獨(dú)創(chuàng)的BiCDMOS技術(shù)與新開(kāi)發(fā)的
21ic訊 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)損耗
當(dāng)前,新能源汽車技術(shù)和市場(chǎng)正處于一個(gè)火熱發(fā)展的階段,以節(jié)能為核心的相關(guān)技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用也擴(kuò)大到包括傳統(tǒng)汽車和新能源汽車在內(nèi)的整個(gè)汽車領(lǐng)域。對(duì)于汽車應(yīng)用工程師來(lái)說(shuō),當(dāng)前所面臨的最大挑戰(zhàn)是:為汽車帶來(lái)更高效
當(dāng)前,新能源汽車技術(shù)和市場(chǎng)正處于一個(gè)火熱發(fā)展的階段,以節(jié)能為核心的相關(guān)技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用也擴(kuò)大到包括傳統(tǒng)汽車和新能源汽車在內(nèi)的整個(gè)汽車領(lǐng)域。對(duì)于汽車應(yīng)用工程師來(lái)說(shuō),當(dāng)前所面臨的最大挑戰(zhàn)是:為汽車帶來(lái)更高效
21ic訊 汽車應(yīng)用工程師面臨提供具有更高效率、更大驅(qū)動(dòng)電流和更強(qiáng)抗噪能力的逆變器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),尤其是在混合動(dòng)力汽車(HEV)和電動(dòng)汽車(EV)領(lǐng)域。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconduct
21ic訊 汽車應(yīng)用工程師面臨提供具有更高效率、更大驅(qū)動(dòng)電流和更強(qiáng)抗噪能力的逆變器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),尤其是在混合動(dòng)力汽車(HEV)和電動(dòng)汽車(EV)領(lǐng)域。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconduct
21ic訊 汽車應(yīng)用工程師面臨提供具有更高效率、更大驅(qū)動(dòng)電流和更強(qiáng)抗噪能力的逆變器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),尤其是在混合動(dòng)力汽車(HEV)和電動(dòng)汽車(EV)領(lǐng)域。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconduct
高靈活低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器帶來(lái)高效率與高電源密度日前,德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。 LM5114 可驅(qū)動(dòng)同步整流器與功率因數(shù)轉(zhuǎn)
高靈活低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器帶來(lái)高效率與高電源密度日前,德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。 LM5114 可驅(qū)動(dòng)同步整流器與功率因數(shù)轉(zhuǎn)
21i訊 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動(dòng)器,進(jìn)一步壯大其 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營(yíng)。首款 120 V 啟動(dòng)高側(cè)/低側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 UCC27210 與 UCC27211
21ic訊 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司近日宣布,推出業(yè)界首款針對(duì)高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)而優(yōu)化的100V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體新推出的LM5113是一款高度集成的高邊和低邊GaN FET驅(qū)
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級(jí)) 版本,該器件是一款 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,在 -55°C 至 125°C 的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級(jí)) 版本,該器件是一款 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,在 -55°C 至 125°C 的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級(jí)版本,該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)
低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC是專用放大器,普遍用于電源設(shè)計(jì)中,根據(jù)來(lái)自PWM控制器的輸入信號(hào)開(kāi)關(guān)接地參考MOSFET和 IGBT。對(duì)于低于100~200W的低功率轉(zhuǎn)換器,這些驅(qū)動(dòng)器可以成功地集成到PWM控制器中以減少元件數(shù),只要滿足
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動(dòng)器FAN7080x系列,讓工程師開(kāi)發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng),從而
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動(dòng)器FAN7080x系列,讓工程師開(kāi)發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng),從而