On Semi公司的LV8907是高性能AEC-Q100許可的無傳感器三相無刷直流(BLDC)馬達控制器,集成了用來驅(qū)動外接N-MOSFET的柵極驅(qū)動器,兩級電荷泵提供各種低RDS(ON)外
穩(wěn)健和服役期長從而低成本的特點促使三相感應(yīng)或永磁無刷電機備受工業(yè)界青睞。隨著高效率、清潔、安靜運行、小體積和輕量化需求的不斷提高,家用電器中簡單經(jīng)濟的有刷和單相電機正逐漸被三相電機替代。
MOSFET驅(qū)動器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動器,可利用一個同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達 100V 的電源電壓來驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET。強大的驅(qū)動能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗。東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出柵驅(qū)動器開關(guān)智能功率器件“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(ECU)的供電電流的通斷。
TMC6200是新型高壓柵極驅(qū)動器,具有在線電機電流檢測功能,可使用外部MOSFET實現(xiàn)高達100A的BLDC電機和PMSM伺服電機。 2019年4月于德國漢堡,TRINAMIC 運動控
TMC6200是新型高壓柵極驅(qū)動器,具有在線電機電流檢測功能,可使用外部MOSFET實現(xiàn)高達100A的BLDC電機和PMSM伺服電機。 德國漢堡,TRINAMIC 運動控制公司
前不久,國內(nèi)宣布新能源汽車補貼新政,將新能源汽車的補貼時間延長至2022年,為國內(nèi)新能源汽車市場注入了一針強心劑。
中國上海,2020年5月14日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出柵驅(qū)動器開關(guān)IPD“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(ECU)的供電電流的通斷,并計劃于今日開始出貨。
中國,2020年5月11日——意法半導(dǎo)體L99UDL01通用型車門鎖IC集成6個MOSFET半橋輸出和兩個半橋柵極驅(qū)動器,以及電路保護和診斷功能,可提升方案安全性,簡化設(shè)計,節(jié)省空間。
2020年3月20日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售Maxim Integrated的MAX22701E隔離式柵極驅(qū)動器。
協(xié)助設(shè)計師為數(shù)據(jù)中心、汽車HEV和工業(yè)應(yīng)用實現(xiàn)碳化硅節(jié)能
MAX22701E將CMTI性能提升3倍、總體系統(tǒng)能耗降低30%,有效延長系統(tǒng)運行時間
在功率電子(例如驅(qū)動技術(shù))中,IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制,其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗,要求具備較短的開關(guān)時間。然而,快速開關(guān)同時隱含著高壓瞬變的危險,這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。
TMC2590是Trinamic最新的2相步進電機柵極驅(qū)動器。低功耗的EMI優(yōu)化芯片具有保護和診斷功能,使得為極具競爭力的解決方案提供小型化設(shè)計成為可能。
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開關(guān)頻率范圍:直流至100kHz。IGBT可以是單一器件,甚至是半橋器件,如為圖1所示設(shè)計選擇的。
在隔離系統(tǒng)中,它們還可實現(xiàn)隔離,將系統(tǒng)帶電側(cè)的高電壓信號與在安全側(cè)的用戶和敏感低電壓電路分離。為了充分利用GaN/SiC技術(shù)能夠提供更高開關(guān)頻率的功能,柵極驅(qū)動器必須提高其控制信號的頻率。
TMC6200是新型高壓柵極驅(qū)動器,具有在線電機電流檢測功能,可使用外部MOSFET實現(xiàn)高達100A的BLDC電機和PMSM伺服電機。
作者:Wenjia Liu就像每個MOSFET需要一個柵極驅(qū)動器來切換它,每個電機后面總是有一個驅(qū)動力。根據(jù)復(fù)雜程度和系統(tǒng)成本、尺寸和性能要求,驅(qū)動電機的方式多樣。最簡單和離散
在太陽能光伏(PV)和儲能應(yīng)用中,提高功率密度已經(jīng)成為一種趨勢,另外我們還需要不斷提高效率。碳化硅(SiC)功率器件提供了這個問題的解決方案。SiC器件是寬帶隙器件,能夠在高于1000 V dc的電壓下工作,通常具有較低的漏源阻抗(RDSON)。SiC器件還能滿足降低導(dǎo)電性從而提高效率的需求。SiC器件還能達到高于100 kHz的快速開關(guān)速度,而且開關(guān)過程中的寄生電容和相關(guān)電荷也比較低。但它們也存在一些缺點,包括要求柵極驅(qū)動器具有大于100 kV/μs的較高共模瞬變抗擾度(CMTI)。另一個缺點是,SiC
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為集電極和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT,通常須將一個電壓施加于柵極(相對于器件的源極/發(fā)射極而言[QC1] )。使用專門驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流[QC2] 。本文討論柵極驅(qū)動器是什么,為何需要柵極驅(qū)動器,以及如何定義其基本參數(shù),如時序、驅(qū)動強度和隔離度。
一款智能電源模組需要在封裝中集成控制、保護、柵極驅(qū)動器和功率切換器件,以滿足緊湊、高效要求,以及特定應(yīng)用的電源管理需求。目前,兩個主要的解決方案是智能電源模組(IPM)和即插即用柵極驅(qū)動器板。為了滿足新一代