女人被狂躁到高潮视频免费无遮挡,内射人妻骚骚骚,免费人成小说在线观看网站,九九影院午夜理论片少妇,免费av永久免费网址

當(dāng)前位置:首頁 > 電源 > 電源DC/DC
[導(dǎo)讀]凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本,該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動器,為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本,該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動器,為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。該驅(qū)動器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結(jié)合,可構(gòu)成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作,而 I 級版本的工作溫度范圍為 -40°C 至 125°C。

該器件集成了自適應(yīng)貫通保護(hù)功能,以最大限度地縮短死區(qū)時(shí)間,同時(shí)防止高端和低端 MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通。這些強(qiáng)大的驅(qū)動器在 1.5Ω 下拉阻抗時(shí)能提供高達(dá) 1.4A 以驅(qū)動高端 MOSFET,在 0.75Ω下拉阻抗時(shí)則能提供 1.75A 以驅(qū)動低端 MOSFET,從而使該器件非常適用于驅(qū)動大柵極電容、大電流 MOSFET。LTC4444H/-5 可驅(qū)動多個(gè)并聯(lián)的 MOSFET,以用于較大電流的應(yīng)用。當(dāng)驅(qū)動 1000pF 負(fù)載時(shí),高端 MOSFET 的快速 8ns上升時(shí)間、5ns 下降時(shí)間和低端 MOSFET 的 6ns 上升時(shí)間、3ns 下降時(shí)間可最大限度地降低開關(guān)損耗。

LTC4444H/-5 針對兩個(gè)與電源無關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高端輸入邏輯信號的電平從內(nèi)部移位至自舉電源,該信號可在比地高 114V 時(shí)工作。LTC4444-5 在 4.5V 至 13.5V 的范圍內(nèi)驅(qū)動高端和低端的 MOSFET 柵極,而 LTC4444 則在 7.2V 至 13V 的范圍內(nèi)驅(qū)動高端和低端的 MOSFET 柵極。

這兩款器件都采用耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝。千片批購價(jià)均為每片 2.00 美元。


性能概要:LT4444H/-5
• 高速 / 高壓同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器
• 100V 最高電源電壓
• -40°C 至 +150°C 的工作結(jié)溫范圍
• 在 0.75Ω 下拉阻抗時(shí)提供大驅(qū)動電流
• 4.5V/7.2V 至 13.5V 的柵極驅(qū)動電壓
• 自適應(yīng)貫通保護(hù)
• 驅(qū)動高端和低端 MOSFET
• 驅(qū)動 1000pF 負(fù)載時(shí),高端柵極具 8ns 上升時(shí)間、5ns 下降時(shí)間
• 驅(qū)動 1000pF 負(fù)載時(shí),低端柵極具 6ns 上升時(shí)間、3ns 下降時(shí)間
• 用于柵極驅(qū)動電壓的欠壓閉鎖
• 耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝
 

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

現(xiàn)階段,多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速,令這些器件所需功率急劇增加,直接導(dǎo)致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級需求:一是穩(wěn)壓器的功率密度(單位體積的功率)升級,為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要...

關(guān)鍵字: ADI 單片驅(qū)動器 MOSFET

傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...

關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開關(guān)

為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗,必須盡快對柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場提供了特殊的電路來最小化這個(gè)過渡期。如果驅(qū)動器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會更短。一般來說,柵極驅(qū)動器執(zhí)行以下任務(wù)...

關(guān)鍵字: 柵極驅(qū)動器 MOSFET

在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡易開關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真,帶來更多的工程洞見。然而,與制造商精細(xì)的器件模型相比,這種簡易的器件模型無法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文...

關(guān)鍵字: 英飛凌 MOSFET

該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...

關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管

2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨(dú)特的柵極負(fù)壓開啟機(jī)制,使其成為...

關(guān)鍵字: MOSFET 柵極驅(qū)動

在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開關(guān)時(shí)間太長,尤其是在高功率時(shí)。這樣,它們不能保證良好的飽和度,因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場效應(yīng)”技術(shù),使用稱為 Power-mos 或場效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件,這個(gè)問題...

關(guān)鍵字: 電力電子 MOSFET IGBT

這有點(diǎn)像灰姑娘或丑小鴨的童話故事:多年來,各種類型、大小和速度的處理器都是一般媒體關(guān)注的迷人主題以及主要的研發(fā)投資。與此同時(shí),功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——顯然被低估了,并且作為本應(yīng)乏味的功率...

關(guān)鍵字: 功率器件 柵極驅(qū)動器

碳化硅 (SiC) 因其更高的開關(guān)頻率和更高的結(jié)溫而被稱為汽車行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外,在過去五年中,汽車行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗(yàn)場。事實(shí)證明,通過 SiC 轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn) DC 到 A...

關(guān)鍵字: 碳化硅 (SiC) MOSFET

工業(yè)電源應(yīng)用基于強(qiáng)大的電動機(jī),可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱中找到。三相電動機(jī)是最常見的電動機(jī)類型,它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動器驅(qū)動。它可以吸收一個(gè)行業(yè)高達(dá) 60% 的全部電力需求,因此對于驅(qū)動器提供高...

關(guān)鍵字: Si MOSFET 工業(yè)電源

電源

8293 篇文章

關(guān)注

發(fā)布文章

編輯精選

技術(shù)子站

關(guān)閉