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自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
泰克在最近的文章“自動執(zhí)行WBG器件的雙脈沖測試”中探討了如何通過對SiC和GaN功率器件等寬帶隙器件自動執(zhí)行雙脈沖測試，從而顯著縮短設置和分析時間。
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助力SiC功率半導體國產(chǎn)化替代，美浦森和泰克攜手產(chǎn)業(yè)鏈合作共贏
兩年前，泰克交付給美浦森半導體一套DPT1000A功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，這是泰克在華南交付的首臺DPT1000A。這套SiC功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)由泰克科技領先研發(fā)，專門用于三代半導體功率器件的動態(tài)特性分析測試，助力全球碳化硅MOSFET領先生產(chǎn)商美浦森及其客戶、合作伙伴加速創(chuàng)新進程、快速解決疑難問題。
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REASUNOS瑞森半導體超高壓MOS在輔助電源上的應用
輔助電源單開關反激式線路應用，推薦瑞森半導體超高壓MOS系列，800V-1500V的研發(fā)及量產(chǎn)，填補了國內市場空白，打破了進口品牌壟斷的局面。
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REASUNOS瑞森半導體碳化硅二極管在大功率電源上的應用
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時實現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
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太陽能逆變器的優(yōu)化應用及如何設計？
近年來光伏發(fā)電在各國的普及和應用取得可觀的進展。作為電能轉換的關鍵環(huán)節(jié)，電力電子變換器對于光伏系統(tǒng)的整體性能與可靠性占有舉足輕重的地位。電力電子的設計對于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的整體效能具有舉足輕重的地位。最高的轉換效率永遠是系統(tǒng)設計工程師考慮的首要因素。
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ROHM開發(fā)出EcoGaN Power Stage IC
通過替換現(xiàn)有的Si MOSFET，可將器件體積減少約99%，功率損耗減少約55%。
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實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試
量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家，這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場上具有標志性意義。
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TIF2023泰克創(chuàng)新論壇圓滿落幕，6大關鍵詞概括領先測試方案
日前，泰克科技以“啟智未來、測試為先”為主題的TIF2023年度大會圓滿落幕。本次大會圍繞半導體晶圓級測試、汽車電動化和智能化測試，聚焦6大關鍵詞，囊括了泰克近兩年的領先測試解決方案。
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矽電-泰克晶圓級探針測試測量聯(lián)合實驗室正式成立
構筑國產(chǎn)化合物半導體功率器件測試驗證的能力基石！
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RS瑞森半導體系列產(chǎn)品在PD快充上的應用
PD快充市場瑞森半導體主推：碳化硅二極管、超結COOL MOS、低壓SGT MOS、低壓Trench MOS
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Navitas 在 GaN 半導體領域的設計之旅
Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化鎵 (GaN) 功率器件供應商，在拉斯維加斯舉行的 CES 2023 上展示了其最新產(chǎn)品。這些基于 GaN 的設備涵蓋從 20-W 手機充電器到 2-kW 數(shù)據(jù)中心電源和 20-kW 電動汽車 (EV) 充電器到兆瓦級并網(wǎng)產(chǎn)品。
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下一代氮化鎵 (GaN)半橋 IC 可以提供 2 MHz 的開關頻率
傳統(tǒng)上，電源設計人員必須使用分立晶體管和多個外部元件(例如驅動器、電平轉換器、傳感器、自舉電路和外圍設備)構建半橋電路。Navitas Semiconductor最近宣布推出業(yè)界首款 GaNSense 半橋功率 IC，采用緊湊型 6×8-mm 表面貼裝 PQFN 封裝。
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SiC 與半導體垂直整合的復興，先進 SiC 解決方案的需求不斷增長
碳化硅 (SiC) 半導體在處理高功率和導熱方面比電動汽車 (EV) 系統(tǒng)和能源基礎設施中的傳統(tǒng)硅更有效的能力現(xiàn)已得到廣泛認可。SiC 器件有助于更有效地將電力從電池傳輸?shù)?EV 系統(tǒng)組件中的電機，從而將 EV 的行駛里程增加 5% 至 10%。
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SiC 和 GaN：兩種半導體的故事以及以后發(fā)展的預測
在過去的幾十年里，碳化硅和氮化鎵技術的進步以發(fā)展、行業(yè)接受度的提高和有望帶來數(shù)十億美元的收入為特征。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，該行業(yè)有望超過 40 億美元。
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碳化硅 (SiC) 用于各種應用已有 100 多年的歷史,為什么SiC 突然流行起來
碳化硅 (SiC) 用于各種應用已有 100 多年的歷史。然而，如今半導體材料比以往任何時候都更受歡迎，這在很大程度上是由于其在工業(yè)應用中的使用。
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SiC 半導體功率器件對能源效率的重要性
電力電子新技術的發(fā)展已將工業(yè)市場引向其他資源以優(yōu)化能源效率。硅和鍺是當今用于生產(chǎn)半導體的兩種主要材料。損耗和開關速度方面的有限發(fā)展已將技術引向新的寬帶隙資源，例如碳化硅 (SiC)。
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RS瑞森半導體在PC電源上的應用
瑞森半導體高壓MOS系列，專有的功率MOS結構，高溫特性優(yōu)良，滿足不同功率段PC電源需求
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功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
泰克科技推出的功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)DPT1000A采用轉接板的方式，滿足了絕大多數(shù)封裝形式分立器件的測試需求。
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通過最新 GaN 器件提高設備電源效率，降低能源消耗
從 EPC 的角度來看，我們將通過我們的 GaN 器件推出全新一代技術。所以那將是一個令人興奮的發(fā)布。我們顯然也期待與我們在汽車行業(yè)以及最近真正起飛的太陽能行業(yè)的合作伙伴公司討論我們在 GaN 方面的所有新技術。因此，電源解決方案的設計人員面臨挑戰(zhàn)，并且越來越多地轉向所謂的寬帶隙技術來克服硅的局限性。其中之一是 GaN，您非常了解它。所以正如你在一篇文章中所說，GaN技術有一個硅無法比擬的優(yōu)勢。這就是將功率器件與信號和數(shù)字器件集成的能力。那么你在哪里押注 GaN，為什么?
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垂直 GaN 技術：GaN 在橫向和縱向技術方面的主要技術差異
垂直結構通常被認為有利于高電壓、高功率器件，因為它便于電流擴散和熱管理，并允許在不增大芯片尺寸的情況下實現(xiàn)高電壓幾乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直結構此外，與GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同質外延層具有更低的位錯密度，(VON)是由GaN的大能帶隙引起的。先進的sbd是非?？扇〉模驗樗鼈兘Y合了肖特基樣正向特性(具有低VON)和pn樣反向特性(峰值電場從表面移到半導體中)。
