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iDEAL的SuperQ技術正式量產，推出150V與200V MOSFET，展示業(yè)界領先的性能指標
美國賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現(xiàn)已全面量產，首款產品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。
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碳化硅：推動車載充電技術隨電壓等級的飛躍
在全球倡導綠色出行與可持續(xù)發(fā)展的大背景下，電動汽車(EV)產業(yè)蓬勃發(fā)展，成為汽車行業(yè)轉型升級的重要方向。隨著電動汽車市場的迅速擴張，消費者對其性能的要求也日益提高，其中充電速度和續(xù)航里程成為關注焦點。為了滿足這些需求，汽車制造商不斷探索新技術，碳化硅(SiC)材料及其相關功率器件應運而生，并在推動車載充電技術隨電壓等級提高方面發(fā)揮著關鍵作用。
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IGBT 主導新能源汽車上半場，SiC 提速上車劍指新周期
在新能源汽車產業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，功率器件作為核心 “大腦”，其重要性不言而喻?；仡欉^往，IGBT 主導了新能源汽車的上半場，而如今，SiC 正加速上車，開啟新的發(fā)展周期。
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英飛凌OptiMOS? 80 V、100 V以及MOTIX?功率器件為Reflex Drive無人機提供高性能電機控制解決方案
【2025年6月20日, 德國慕尼黑訊】來自印度的深科技初創(chuàng)公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的半導體功率器件，用于其下一代無人機（UAV）電機控制解決方案。通過集成英飛凌OptiMOS? 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的電子調速器（ESC）實現(xiàn)了更好的熱管理和更高的效率，從而在緊湊的設計中實現(xiàn)了高功率密度。此外，通過采用將XMC1404微控制器與MOTIXTM 6EDL7141 三相柵極驅動器IC結合的英飛凌MOTIX? IMD701控制器解決方案，實現(xiàn)了緊湊、精準且可靠的電機控制。此舉不僅提高了無人機的性能與可靠性，還延長了其飛行時間。
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GaN 功率器件：提升電源管理設計的秘訣
在當今的電子設備領域，電源管理設計至關重要，其性能直接影響著設備的整體表現(xiàn)。隨著科技的不斷進步，氮化鎵(GaN)功率器件應運而生，為電源管理設計帶來了新的突破和提升。
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【對話前沿專家】香港科技大學黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望
在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。
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意法半導體披露公司全球計劃細節(jié),重塑制造布局和調整全球成本基數(shù)
2025年4月17日，中國 – 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計劃細節(jié)，進一步更新了公司此前發(fā)布的全球計劃。2024年10月，意法半導體發(fā)布了一項覆蓋全公司的計劃，擬進一步增強企業(yè)的競爭力，鞏固公司全球半導體龍頭地位，利用公司的技術研發(fā)、產品設計、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產，保障公司的垂直整合制造 (IDM) 模式長期發(fā)展。
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氮化鎵器件的發(fā)展之路并非一帆風順
在半導體領域，氮化鎵(GaN)器件以其卓越的性能優(yōu)勢，如高電子遷移率、高擊穿電場、低導通電阻等，被視為極具潛力的下一代功率器件，有望在眾多領域掀起變革。然而，盡管前景誘人，氮化鎵器件的發(fā)展之路并非一帆風順，諸多不利因素成為其大規(guī)模推廣應用的絆腳石。
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汽車級大功率 IGBT 現(xiàn)狀及未來趨勢研究
在全球汽車產業(yè)向電動化、智能化加速轉型的浪潮中，汽車級大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心功率器件，正處于聚光燈下。它的性能優(yōu)劣、市場供應情況以及技術發(fā)展走向，深刻影響著新能源汽車的能效、動力表現(xiàn)和整體競爭力，成為行業(yè)發(fā)展的關鍵變量。
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功率電子器件在新能源汽車電源系統(tǒng)中的應用
隨著全球對環(huán)境保護和可持續(xù)發(fā)展的日益重視，新能源汽車產業(yè)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展。作為新能源汽車的核心技術之一，功率電子器件在電源系統(tǒng)中扮演著至關重要的角色。本文將深入探討功率電子器件在新能源汽車電源系統(tǒng)中的應用，并分析其未來的發(fā)展趨勢。
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泰克與遠山半導體合作再結碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度
近日，泰克科技與遠山半導體的合作迎來又一重要里程碑，雙方攜手對遠山半導體最新推出的1700V GaN器件進行了深入測試與評估，成果斐然，為該器件在高端應用市場的拓展注入強勁動力。
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【“源”察秋毫系列】多次循環(huán)雙脈沖測試應用助力功率器件研究及性能評估
多次循環(huán)雙脈沖測試技術應運而生，為功率器件的可靠性研究和性能評估提供了一種有效的手段。這種測試方法通過模擬電路中的實際工作條件，能夠評估功率器件在重復高應力條件下的性能變化，預測其壽命，對于器件的長期穩(wěn)定性和可靠性至關重要。
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Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動出行和數(shù)據(jù)中心應用而優(yōu)化設計
該系列產品支持多種拓撲結構、電流和電壓范圍
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Power Integrations推出1700V氮化鎵開關IC， 為氮化鎵技術樹立新標桿
1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux-2 IC可在1000VDC母線電壓下實現(xiàn)高于90%的效率， 并通過三路精確調整的輸出提供高達70W的功率
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【泰克先進半導體實驗室】遠山半導體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
遠山半導體最近發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并在泰克先進半導體實驗室進行了詳盡的測試，這些測試結果為我們提供了對遠山半導體氮化鎵功率器件性能的全面了解。
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如何計算功率器件的散熱？功率器件封裝類型有哪些
在這篇文章中，小編將對功率器件的相關內容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內容吧。
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提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受時間
在工業(yè)電機驅動功率轉換中采用寬帶隙 (WBG) 功率器件可以顯著提高系統(tǒng)效率和功率密度，并提供其他優(yōu)勢，例如更少的可聽噪聲和更快的切換帶來的更精確的控制。在這些應用中，降低轉換損耗是實現(xiàn)凈零碳足跡以應對氣候變化的關鍵部分，因為電機驅動器占總用電量的 60%。在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。
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Nexperia擴展功率器件產品組合，新增標準和車規(guī)級理想二極管
低壓理想二極管可將功率損耗降低一個量級
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泰克先進半導體實驗室：量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試
在泰克先進半導體開放實驗室，2024年8月份，我們有幸見證了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化鎵（GaN）功率器件的動態(tài)參數(shù)測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產1200V氮化鎵功率器件的廠商，其最新產品在性能上的顯著提升，不僅展現(xiàn)了技術的進步，也為我們的客戶帶來了新的解決方案。
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Nexperia為其功率器件產品組合添加了具有出色限流精度的新型大電流eFuse
集成自動復位低電阻FET，降低工作功耗
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