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比亞迪長沙IGBT項目致力于解決新能源汽車電子核心功率器件問題
3 月 5 日訊，計劃建設集成電路制造生產線的長沙比亞迪?IGBT?項目正式啟動建設，該項目致力于解決新能源汽車電子核心功率器件“卡脖子”問題。 據(jù)了解，比亞迪近年來一直致力于微電子領域
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功率MOSFET應用的一些小總結，你值得擁有
什么是功率MOSFET?他有什么作用?從事電源電子行業(yè)的工程師們對功率MOSFET肯定不陌生，今天小編為大家總結了一些MOSFET應用心得，很經(jīng)典很實用，不要錯過哦!
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【泰克電源設計與測試】致工程師系列之二：功率器件的標定及選擇
對市場新推出的低功耗IC 及功率器件特性無法準確把握?是否真正在自己的電源設計中發(fā)揮最大的作用，缺少一種簡單經(jīng)濟的評價方法。
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Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設計
領先的汽車咨詢公司在技術演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認證的GaN FET器件
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華虹集團舉行了華虹七廠首批功率器件產品交付儀式
半導體產業(yè)近期，華虹集團 2020 年全球設備、材料等主要供應商迎新座談會在位于江蘇無錫的華虹七廠隆重召開。在晚宴上，華虹集團舉行了華虹七廠首批功率器件產品交付儀式。
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著名半導體器件及微電子學專家陳星弼院士逝世
據(jù)中國科學院官方微博12月4日消息，陳星弼院士逝世。 2019年12月4日17時10分，半導體器件及微電子學專家、“中國功率器件領路人”陳星弼在四川成都逝世，享年89歲。陳星弼，1931年1月出生于上
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除了業(yè)界最小RDSon之外，與硅器件相同的驅動特性才是United SiC FET的殺手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共柵的方式將其燒結在一起，是United SiC的最大設計特色。這種結構確保其產品可以保持與Si類功率器件保持一致的驅動電壓，從而可以幫助可以直接在原有的Si基礎的電路中進行直接的升級和替換。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的業(yè)界最低Rds(on)將SiC器件的性能提升到了新的高度，面對電動汽車和5G等全新應用需求，United SiC可以給客戶提供集成度更高、更加高效、更為穩(wěn)定可靠的解決方案。
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“中國功率器件領路人”陳星弼院士去世，享年89歲
2019年12月4日17時10分，“中國功率器件領路人”陳星弼在四川成都逝世，享年89歲。 陳星弼，1931年1月出生于上海，1952年畢業(yè)于國立同濟大學電機系，先后在廈門大學、南京工學院及中國科學院物理研究所工
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關于功率器件的保護措施
隨著社會的不斷進步，技術的不斷發(fā)展，科技產品也日新月異，產品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設計者來設計，功率器件對電子產品是功不可沒的。本文介紹目前用于電子產品和自動化電子控制設備及功率半導體器件的保護方法。
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功率器件散熱器的選取
隨著社會的不斷進步，技術的不斷發(fā)展，科技產品也日新月異，產品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設計者來設計，功率器件對電子產品是功不可沒的。散熱器一般是標準件，也可提供型材，由用戶根據(jù)要求切割成一定長度而制成非標準的散熱器。散熱器的表面處理有電泳涂漆或黑色氧極化處理，其目的是提高散熱效率及絕緣性能。
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功率器件計算實例
在科學技術飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產品，然而大家只關注這些產品的使用，只有研究人員會關注內部結構，這其中就要數(shù)功率器件了。一功率運算放大器PA02作低頻功放，器件為8引腳TO-3金屬外殼封裝。器件工作條件如下：工作電壓Vs為18V，負載阻抗RL為4劍?繃魈跫?鹿ぷ髕德士紗?kHz，環(huán)境溫度設為40℃，采用自然冷卻。
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功率器件散熱計算
在科學技術飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產品，然而大家只關注這些產品的使用，只有研究人員會關注內部結構，這其中就要數(shù)功率器件了。最常用的散熱方法是將功率器件安裝在散熱器上，利用散熱器將熱量散到周圍空間，必要時再加上散熱風扇，以一定的風速加強散熱。在某些大型設備的功率器件上還采用流動冷水冷卻板，它有更好的散熱效果。
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功率器件熱性能的主要參數(shù)
在日常生活中，電子產品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。功率器件受到的熱應力可來自器件內部，也可來自器件外部。若器件的散熱能力有限，則功率的耗散就會造成器件內部芯片有源區(qū)溫度上升及結溫升高，使得器件可靠性降低，無法安全工作。表征功率器件熱能力的參數(shù)主要有結溫和熱阻。
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新產品系列-50A碳化硅功率器件
在日常生活中，電子產品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。2012年5月9日，中國上海訊-碳化硅功率器件的市場領先者科銳公司(Nasdaq:CREE)將重新界定大功率應用的性能和能效，推出全新產品系列-50A碳化硅功率器件。
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SiC等新一代材料的功率器件開發(fā)
在科學技術飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產品，然而大家只關注這些產品的使用，只有研究人員會關注內部結構，這其中就要數(shù)功率器件了。從誕生之日起，市場對功率器件的需求都是一致的，即追求更快的開關速度、更高的耐壓、更大的電流、更強的耐沖擊性能、更好的高頻性能、更低的驅動損耗等。
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基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A
在科學技術飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產品，然而大家只關注這些產品的使用，只有研究人員會關注內部結構，這其中就要數(shù)功率器件了。2013年7月23日 -- 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。
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首款適用于電路設計的功率器件分析儀 Agilent B1506A
在科學技術飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產品，然而大家只關注這些產品的使用，只有研究人員會關注內部結構，這其中就要數(shù)功率器件了。安捷倫科技公司日前宣布推出業(yè)界首款適用于電路設計的功率器件分析儀 Agilent B1506A。B1506A 能夠在不同工作條件和 -50 °C 至 +250 °C 溫度范圍內對功率器件參數(shù)進行全面自動表征，覆蓋高達 1500 A 和 3 kV 的電流和電壓范圍。
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減少功率轉換損耗的SiC功率器件
在現(xiàn)代能源基礎設施中，電力電子技術仍以過去幾十年的陳舊技術為基礎。隨著社會的不斷進步，技術的不斷發(fā)展，科技產品也日新月異，產品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設計者來設計，功率器件對電子產品是功不可沒的。硅材料在很多方面已經(jīng)接近其理論性能極限，因此業(yè)界在不斷尋找新的半導體元器件材料，以期從根本上提升轉化和利用電力的效率。
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功率器件市場分析
在日常生活中，電子產品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。過去幾年功率器件市場波動巨大，2009年全球功率半導體市場銷售額下跌16%，2010年則暴漲44%，創(chuàng)下有史以來的最高增長記錄，2011年增長11%。后面兩年由于市場對于經(jīng)濟增長不確定性的擔憂而采取去庫存、壓價與推遲購買等舉措，功率器件市場又經(jīng)歷了30多年來首次連續(xù)兩年下跌(2012年下跌8%，2013年下跌6%)。2014年功率器件市場增長14%，終于結束了連續(xù)兩年的艱難時光。
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一款簡便易用的圖形源測量單元(SMU)儀器
在科學技術飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產品，然而大家只關注這些產品的使用，只有研究人員會關注內部結構，這其中就要數(shù)功率器件了。2016年1月14日，測試測量和監(jiān)測儀器提供商——泰克科技公司日前宣布，推出一款簡便易用的圖形源測量單元(SMU)儀器，用以優(yōu)化和分析高功率材料、器件和模塊的特性。
