【導(dǎo)讀】早前，惠普公司聲稱(chēng)他們將在2013年可以發(fā)售裝載記憶電阻器的計(jì)算產(chǎn)品。不過(guò)最近，惠普記憶變阻器研發(fā)小組的負(fù)責(zé)人Stan Williams表示這個(gè)發(fā)售時(shí)間可能要推遲到14年或者更晚。Willimams解釋道推遲的最主要原因是并非是科研上的技術(shù)壓力，而是經(jīng)濟(jì)方面的壓力。

摘要：  早前，惠普公司聲稱(chēng)他們將在2013年可以發(fā)售裝載記憶電阻器的計(jì)算產(chǎn)品。不過(guò)最近，惠普記憶變阻器研發(fā)小組的負(fù)責(zé)人Stan Williams表示這個(gè)發(fā)售時(shí)間可能要推遲到14年或者更晚。Willimams解釋道推遲的最主要原因是并非是科研上的技術(shù)壓力，而是經(jīng)濟(jì)方面的壓力。

關(guān)鍵字：  惠普，電阻器，晶體管，電壓

　　早前，惠普公司聲稱(chēng)他們將在2013年可以發(fā)售裝載記憶電阻器的計(jì)算產(chǎn)品。不過(guò)最近，惠普記憶變阻器研發(fā)小組的負(fù)責(zé)人Stan Williams表示這個(gè)發(fā)售時(shí)間可能要推遲到14年或者更晚。Willimams解釋道推遲的最主要原因是并非是科研上的技術(shù)壓力，而是經(jīng)濟(jì)方面的壓力。惠普于2008年宣布投入開(kāi)發(fā)研究記憶電阻器的工作中。

　　

　　Williams表示，模擬中，一個(gè)記憶電阻器的功率等同于10個(gè)晶體管的功率，因?yàn)樗皇鞘褂么蜷_(kāi)或者關(guān)閉模式來(lái)代表晶體管上的0或者1，它使用的是一個(gè)涵蓋了所有電壓的模擬值。

　　記憶變阻器可以為固態(tài)硬盤(pán)提供更加小型而快速的原件。不過(guò)由于越來(lái)越少的記憶變阻器用于晶體管中，所以這些儲(chǔ)存設(shè)備可能要比DRAM儲(chǔ)存的價(jià)格還要低。