近年來(lái)，日本制造業(yè)企業(yè)數(shù)據(jù)造假屢見(jiàn)不鮮。日本引以為傲的工匠精神也在不斷的造假風(fēng)波中走下神壇。

日本三菱電機(jī)公司(Mitsubishi Electric)20日就一系列檢查違規(guī)問(wèn)題，公布了外部專(zhuān)家組成的調(diào)查委員會(huì)的最終報(bào)告，透露稱(chēng)自今年5月公布第3份報(bào)告以后，在11個(gè)生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)新發(fā)現(xiàn)了總計(jì)70起違規(guī)。累計(jì)違規(guī)數(shù)達(dá)到1...

在最新的功率半導(dǎo)體技術(shù)中，開(kāi)關(guān)速度是最顯眼的屬性，但是在實(shí)際電路中，高邊緣速率會(huì)造成獨(dú)有的問(wèn)題。本博客將講解這個(gè)問(wèn)題和簡(jiǎn)單的解決方法。

在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)時(shí)間太長(zhǎng)，尤其是在高功率時(shí)。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開(kāi)關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場(chǎng)效應(yīng)”技術(shù)，使用稱(chēng)為 Power-mos 或場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的開(kāi)關(guān)器件，這個(gè)問(wèn)題...

8月22日，A股收盤(pán)后，士蘭微發(fā)布了2022年半年度報(bào)告，公司上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入41.85億元，同比增長(zhǎng)26.49%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)5.99億元，同比增長(zhǎng)39.12%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈...

2022中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“智博會(huì)”)于2022年8月22日至24日召開(kāi)。三菱電機(jī)(中國(guó))有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“三菱電機(jī)”)以“云發(fā)布”的形式亮相本屆智博會(huì)，這也是三菱電機(jī)第四次出展智博會(huì)。三菱電機(jī)株式會(huì)社執(zhí)...

我們中的許多人都熟悉低功率直流電機(jī)，因?yàn)槲覀冊(cè)谌粘Ｉ钪须S處可見(jiàn)它們。我們可能看不到所有更大的交流工業(yè)電機(jī)在幕后工作，以自動(dòng)化我們的汽車(chē)組裝或提升我們每天乘坐的電梯。這些大功率電機(jī)由具有不同要求和更高電流的電子設(shè)備驅(qū)動(dòng)。...

在本系列的第 1 部分中，我們討論了如何正確選擇 IGBT 的控制電壓。這一次，您將了解有關(guān)隔離要求以及如何計(jì)算正確的IGBT 驅(qū)動(dòng)功率的更多信息。 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)包括上下橋絕緣水平的選擇、驅(qū)動(dòng)電壓水平的確定、驅(qū)...

IGBT全稱(chēng)叫絕緣柵雙極型晶體管，是一種復(fù)合型結(jié)構(gòu)器件，它結(jié)合了MOS晶體管和BJT雙極型晶體管的優(yōu)點(diǎn)，在電壓電流轉(zhuǎn)換，電能輸出領(lǐng)域用的非常多，特別是在高壓大電流領(lǐng)域，IGBT占主導(dǎo)地位，是人類(lèi)控制電能，利用電能的核心半...

N 溝道 IGBT 基本上是構(gòu)建在 p 型襯底上的 N 溝道功率 MOSFET，的通用 IGBT 橫截面所示。（PT IGBT 有一個(gè)額外的 n+ 層，將在后面說(shuō)明。）因此，IGBT 的操作與功率 MOSFET 非常相似...

所謂PT(PunchThrough，穿通型)，是指電場(chǎng)穿透了N-漂移區(qū)，電子與空穴的主要匯合點(diǎn)在N一區(qū)。NPT在實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)的時(shí)間(1982年)要早于PT(1985)，但技術(shù)上的原因使得PT規(guī)模商用化的時(shí)間比NPT早，所以...

從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對(duì)電源電路設(shè)計(jì)人員有用且方便的相關(guān)信息，用于選擇合適的器件以及預(yù)測(cè)其在應(yīng)用中的性能。提供圖表以使設(shè)計(jì)人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應(yīng)該注意的是，測(cè)試結(jié)果非常依賴(lài)于電路，尤其是寄...

從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對(duì)電源電路設(shè)計(jì)人員有用且方便的相關(guān)信息，用于選擇合適的器件以及預(yù)測(cè)其在應(yīng)用中的性能。提供圖表以使設(shè)計(jì)人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應(yīng)該注意的是，測(cè)試結(jié)果非常依賴(lài)于電路，尤其是寄...

IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓 的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也 可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在...

一個(gè)等效的 IBGT 模型，其中包括端子之間的電容。輸入、輸出和反向傳輸電容是這些電容的組合。數(shù)據(jù)表中規(guī)定了測(cè)量電容的測(cè)試條件。

這是從芯片結(jié)到器件外殼外部的熱阻。熱量是設(shè)備本身功率損失的結(jié)果，熱阻與基于這種功率損失的芯片的熱度有關(guān)。之所以稱(chēng)為熱阻，是因?yàn)槭褂秒姎饽Ｐ透鶕?jù)穩(wěn)態(tài)功率損耗預(yù)測(cè)溫升。

與低功率同類(lèi)產(chǎn)品不同，MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會(huì)產(chǎn)生大量熱量。因此，有效的熱管理對(duì)于確保電力電子設(shè)備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關(guān)重要，包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料制成的設(shè)...

e絡(luò)盟與東芝加強(qiáng)全球合作，以方便全球用戶獲取市場(chǎng)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體和其他分立器件，推動(dòng)新技術(shù)加速上市

是德科技公司(NYSE：KEYS)近日宣布，發(fā)布具有增強(qiáng)功能的下一代雙脈沖測(cè)試儀(DPT)——功率動(dòng)態(tài)參數(shù)分析儀PD1550A，使客戶能夠比以往更快、更簡(jiǎn)單地測(cè)試功率模塊。是德科技提供先進(jìn)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證解決方案，旨在加速創(chuàng)...

氣候變化和社會(huì)對(duì)環(huán)境問(wèn)題日益敏感，需要為化石燃料動(dòng)力車(chē)輛開(kāi)發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求內(nèi)燃機(jī)的設(shè)計(jì)具有較小的容積、較高的發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速，并且能夠以較不濃的燃料混合物運(yùn)行。