采用0.18微米、5伏特制程所達(dá)到的性能提升包括：雜訊改善幅度提升一個(gè)數(shù)量級(jí)、待機(jī)漏電流降低70%、線(xiàn)性度改善50%、以及電容與電阻匹配改善幅度達(dá)50%。利用新平臺(tái)所開(kāi)發(fā)的ADI新近發(fā)表產(chǎn)品包括隔離式CAN (控制區(qū)域網(wǎng)路)收發(fā)器、HART (高速可尋址遠(yuǎn)端換能器)數(shù)據(jù)機(jī)IC、ECG AFE (心電圖類(lèi)比前端)、一系列數(shù)位電位計(jì)以及音訊編解碼器等。

臺(tái)積電的0.18微米、BCD(Bipolar CMOS -DMOS，雙極–互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體–雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體)制程支援寬廣的操作電壓范圍，并以最小的占位面積與高度的能源效率提供深具成本效益的運(yùn)作方式。這些特點(diǎn)使其非常適用于許多電腦、工業(yè)以及消費(fèi)性等應(yīng)用。

「ADI與TSMC之間緊密而長(zhǎng)期的技術(shù)關(guān)系，使這項(xiàng)領(lǐng)先業(yè)界的新類(lèi)比技術(shù)平臺(tái)得以開(kāi)發(fā)?！笰DI類(lèi)比技術(shù)副總裁David Robertson表示，最佳化制程結(jié)合電路和架構(gòu)的創(chuàng)新，是該公司們高性能轉(zhuǎn)換器與線(xiàn)性產(chǎn)品的關(guān)鍵要素。「ADI與TSMC是從0.6微米與0.35微米類(lèi)比制程就開(kāi)始共同合作?！?，臺(tái)積電美國(guó)子公司總經(jīng)理Rick Cassidy表示：「雙方在此重要且嶄新平臺(tái)的合作上展現(xiàn)了兩家公司對(duì)于特殊技術(shù)開(kāi)發(fā)及提升更廣大產(chǎn)品應(yīng)用的承諾?！?/font>