近日消息，SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))發(fā)布全球晶圓廠(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告，預(yù)計(jì)2019年全球晶圓廠(chǎng)投資將可達(dá)到 566 億美元。

報(bào)告指出，晶圓廠(chǎng)的衰退經(jīng)歷上半年的衰退后，下半年會(huì)隨著存儲(chǔ)芯片投資激增。SEMI 此前預(yù)計(jì) 2019 年下滑幅度高達(dá) 18%，這一數(shù)據(jù)相比 2018 年僅下降 7%。

下滑的原因是存儲(chǔ)芯片價(jià)格快速下降，使得晶圓廠(chǎng)投資減緩，早在 2018 年下半年就露出了端倪，2019 年上半年下降幅度達(dá)到 38%。不過(guò)，隨著存儲(chǔ)市場(chǎng)恢復(fù)，晶圓廠(chǎng)投資出現(xiàn)小高峰，預(yù)計(jì) 2020 年可以達(dá)到 580 億美元。

SEMI 表示，記憶體設(shè)備支出力道是扭轉(zhuǎn)全球晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出放緩趨勢(shì)的關(guān)鍵。整體設(shè)備支出分別在 2018 下半年及 2019 上半年下降 10%及 12%，其中下滑主因便來(lái)自全球記憶體設(shè)備支出萎縮。在 2019 上半年記憶體設(shè)備投資下滑幅度達(dá) 38%，降至 100 億美元的水平之下;其中又以 3D NAND 的設(shè)備投資下滑幅度最為慘烈，衰退幅度達(dá) 57%;DRAM 的設(shè)備投資也在 2018 下半年及 2019 上半年分別下滑各 12%。

在臺(tái)積電與英特爾的引領(lǐng)下，先進(jìn)邏輯晶片制造與晶圓代工業(yè)者的投資預(yù)計(jì)在 2019 下半年攀升 26%，而同一時(shí)期 3D NAND 支出則將大幅成長(zhǎng)逾 70%。盡管今年上半年對(duì)于 DRAM 的投資仍持續(xù)下降，但自 7 月份以來(lái)的下降幅度已較和緩。

此前 SEMI 預(yù)計(jì)，到今年年底，全球?qū)⒂?15 座新晶圓廠(chǎng)開(kāi)建，總投資 380 億美元，其中約一半是 8 英寸晶圓廠(chǎng)。2020 年預(yù)計(jì)將有 18 座新晶圓廠(chǎng)開(kāi)工，其中 10 座晶圓廠(chǎng)達(dá)成率較高，總投資 350 億美元;另外 8 座實(shí)現(xiàn)率相對(duì)較低，總投資 140 億美元。