女人被狂躁到高潮视频免费无遮挡,内射人妻骚骚骚,免费人成小说在线观看网站,九九影院午夜理论片少妇,免费av永久免费网址

當前位置:首頁 > 嵌入式 > 嵌入式硬件
[導(dǎo)讀]近日,國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局、國家標準化管理委員會批準《半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法》等 20 項國家標準,并予以公布。據(jù)悉,這 20 項標準將于 2018 年 8 月 1 日實施。

近日,國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局、國家標準化管理委員會批準《半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法》等 20 項國家標準,并予以公布。據(jù)悉,這 20 項標準將于 2018 年 8 月 1 日實施。

其中,北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司(以下簡稱“兆易創(chuàng)新”)的兩項標準也包含在內(nèi)。2015 年 9 月,兆易創(chuàng)新提出的“串行 NAND 型快閃存儲器接口規(guī)范”和“串行 NOR 型快閃存儲器接口規(guī)范”立項申請獲得工信部審批。2016 年 1 月,兆易創(chuàng)新將完成的標準征求意見稿提交至電子工業(yè)部標準化研究所。

在 NAND Flash 方面,兆易創(chuàng)新于 2012 年底創(chuàng)新的推出全球第一顆高性能、低成本的 SPI 接口 NAND Flash,并制定了自己的企業(yè)標準。由于此產(chǎn)品相比傳統(tǒng)的并行 NAND Fash 具備成本低、易集成、性能高和兼容性好的特點,在市場上取得了良好反響,眾多系統(tǒng)廠商如國內(nèi)華為海思、中興、展訊、RDA 以及全球 Broadcom、Marvel、MTK、Mstar 等主芯片很快大量采用。

在 NOR Flash 方面,兆易創(chuàng)新專注于 Flash 技術(shù)以及產(chǎn)品的開發(fā),在細分領(lǐng)域不斷推出最具全球競爭力的產(chǎn)品。目前已經(jīng)成為 SPI 接口 NOR Flash 領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商之一,市場份額達到國內(nèi)第一、全球第三,客戶包括Intel、Samsung、Toshiba、華為、聯(lián)想和中興等國內(nèi)外大廠。

NOR Flash和NAND Flash作為存儲的兩大細分領(lǐng)域(另外還有DRAM),目前發(fā)展形勢一直受到業(yè)界人士關(guān)注。

全球存儲發(fā)展史

存儲器,是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為3400億美金,存儲器就占了768億美元。對于你身邊的手機、平板、PC、筆記本等所有電子產(chǎn)品來說,存儲器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè),是名副其實的電子行業(yè)“原材料”。如果再將存儲器細分,又可分為DRAM、NAND Flash和Nor Flash三種,其中DRAM主要用來做PC機內(nèi)存(如DDR)和手機內(nèi)存(如LPDDR),兩者各占三成。

DRAM領(lǐng)域經(jīng)過幾十年的周期循環(huán),玩家從80年代的40~50家,逐漸減少到了08年金融危機之前的五家,分別是:三星(韓)、SK海力士(韓)、奇夢達(德)、鎂光(美)和爾必達(日),五家公司基本控制了全球DRAM供給,終端產(chǎn)品廠商如金士頓,幾乎沒有DRAM生產(chǎn)能力,都要向它們采購原材料。

其中三星充分利用了存儲器行業(yè)的強周期特點,依靠政府的輸血,在價格下跌、生產(chǎn)過剩、其他企業(yè)削減投資的時候,逆勢瘋狂擴產(chǎn),通過大規(guī)模生產(chǎn)進一步下殺產(chǎn)品價格,從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產(chǎn),世人稱之為“反周期定律”。在存儲器這個領(lǐng)域,三星一共祭出過三次“反周期定律”,前兩次分別發(fā)生在80年代中期和90年代初,讓三星從零開始,做到了存儲器老大的位置。但三星顯然覺得玩的還不夠大,于是在2008年金融危機前后,第三次舉起了“反周期”屠刀。

2007 年初,微軟推出了狂吃內(nèi)存的Vista操作系統(tǒng),DRAM廠商判斷內(nèi)存需求會大增,于是紛紛上產(chǎn)能,結(jié)果Vista 銷量不及預(yù)期,DRAM 供過于求價格狂跌,加上08 年金融危機的雪上加霜,DRAM 顆粒價格從2.25 美金雪崩至0.31 美金。就在此時,三星做出令人瞠目結(jié)舌的動作:將2007 年三星電子總利潤的118%投入DRAM 擴張業(yè)務(wù),故意加劇行業(yè)虧損,給艱難度日的對手們,加上最后一根稻草。

于是,DRAM價格一路飛流直下,08年中跌破了現(xiàn)金成本,08年底更是跌破了材料成本。2009年初,第三名德系廠商奇夢達首先撐不住,宣布破產(chǎn),歐洲大陸的內(nèi)存玩家就此消失。2012年初,第五名爾必達宣布破產(chǎn),曾經(jīng)占據(jù)DRAM市場50%以上份額的日本,也輸?shù)袅俗詈笠粡埮啤?/p>

至此,DRAM領(lǐng)域最終只剩三個玩家:三星、海力士和鎂光。爾必達破產(chǎn)后的爛攤子,在2013年被換了新CEO的鎂光以20多億美金的價格打包收走。20億美金實在是個跳樓價,5年之后,鎂光市值從不到100億美元漲到460億,20億美元差不多是它市值一天的振幅。

除了DRAM之外,存儲器另外一個領(lǐng)域NAND Flash,也面臨類似的情況。NAND Flash市場的玩家,有三星、東芝/閃迪、美光、SK 海力士,四家總共占市場99%份額。相比DRAM市場,多了一個東芝/閃迪。NAND Flash主要用在兩個領(lǐng)域,一個是手機的閃存,另外一個是固態(tài)硬盤SSD。

Nor Flash市場比較特別,雖然價格也在漲,但邏輯卻不太一樣。在功能機時代,手機對內(nèi)存的要求不高,NOR Flash憑借著NOR+PSRAM的XiP架構(gòu),得到廣泛應(yīng)用。但到了智能機時代,大量吃內(nèi)存的APP涌現(xiàn),NOR的容量小成本高的缺點就暴露無疑,逐漸被NAND給取代,市場不斷萎縮,三星、鎂光、Cypress等公司都逐步退出NOR市場。

但就在各大廠商關(guān)停NOR產(chǎn)線的同時,NOR卻迎來了第二春。最主要的是AMOLED屏幕需要帶一塊NOR Flash來做電學(xué)補償,AMOLED顯示屏的滲透率正在加速,尤其是蘋果采用了之后,所以NOR的需求就一下子被帶動起來。市場的NOR供應(yīng)有限,導(dǎo)致另外一批廠商,如臺灣的旺宏、華邦,以及大A股的明星兆易創(chuàng)新迅速崛起。

中國存儲產(chǎn)業(yè)近況

近兩年來存儲行業(yè)的強勢價格走勢,已經(jīng)極大地影響了國內(nèi)智能手機產(chǎn)業(yè)乃至整個 IC 芯片行業(yè)的發(fā)展?,F(xiàn)在不論是資本方、產(chǎn)業(yè)鏈還是終端的消費者,對內(nèi)存相關(guān)的消息都異常地敏感和警惕。

就存儲器產(chǎn)業(yè)而言,要能成為國際市場中擁有影響力的廠商,尖端技術(shù)、知識產(chǎn)權(quán)和大規(guī)模量產(chǎn)能力是必要條件。而這些必要條件的建立可能需要數(shù)十年的時間。由此可見,存儲器產(chǎn)業(yè)的進入門檻相當高,目前中國內(nèi)存芯片制造商對美光、 三星及 SK 海力士等主要廠商尚不構(gòu)成威脅。

在移動終端設(shè)備中,NAND Flash 是必不可少的組件之一,而且也是最昂貴的組件之一。舉個例子來說,蘋果新推出的 iPhone X 具有 64G 和 256G 兩個版本,而中國地區(qū)的售價分別高達人民幣 8388 元、9688元。

一直以來,蘋果主要從日本東芝、美國西部數(shù)據(jù)、韓國SK海力士和三星電子等頂級內(nèi)存芯片廠商那里為 iPhone 采購 NAND Flash 芯片。據(jù)研究公司 CINNO 的分析師 Sean Yang 表示,蘋果是全球最大的 NAND Flash 芯片客戶,2017年蘋果的總需求達到 1.6 億片,占全球需求的 15%。

前段時間,據(jù)日本經(jīng)濟新聞此前報道透露,蘋果正與清華紫光集團旗下的長江存儲科技公司就 NAND Flash 采購進行協(xié)商。長江存儲被視為中國在存儲領(lǐng)域趕超并挑戰(zhàn)諸如三星電子、東芝、SK海力士、美光和英特爾等市場領(lǐng)導(dǎo)者的希望。

據(jù)了解,長江存儲于2016年7月26日在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎(chǔ)上正式成立,公司主要股東包括中國集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和紫光集團、湖北政府等,目前為清華紫光集團的子公司。設(shè)計的 NAND Flash 產(chǎn)品以為 32 層為主。

長江存儲的首個 NAND Flash 生產(chǎn)線位于武漢市,一期投資 240 億美元,占地面積 1968 畝,包含 3 座全球單座潔凈面積最大的 3D NAND Flash 生產(chǎn)廠房。據(jù)悉,一號生產(chǎn)及動力廠房已經(jīng)在2017年9月封頂。目前正在進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,預(yù)計2018年4月搬入機臺設(shè)備,力爭第三季度量產(chǎn)。

除了武漢長江存儲的32層3DNAND閃存值得關(guān)注,福建晉華的32納米DRAM利基型產(chǎn)品,以及合肥長鑫(睿力)的19納米DRAM也正在發(fā)力。

福建晉華專注利基型內(nèi)存的開發(fā),主攻消費型電子市場,有望憑借著中國本有的龐大內(nèi)需市場壯大自身產(chǎn)能,甚至在補貼政策下,預(yù)估最快2018年底可能將影響國際大廠在中國市場的銷售策略,并且有機會取得技術(shù)IP走向國際市場。

合肥長鑫直搗國際大廠最核心的移動式內(nèi)存產(chǎn)品。中國品牌手機出貨已占全球逾四成,倘若LPDDR4能順利量產(chǎn)并配合補貼政策,中國政府進口取代的策略即可完成部分階段性任務(wù)。

國產(chǎn)存儲器想要真正逆襲,依然面臨諸多挑戰(zhàn),一個是技術(shù)差距,另一個是制作水平的薄弱。2018將成為中國存儲器發(fā)展的關(guān)鍵年,希望在強有力的政策支持下,加上國內(nèi)廠商的不懈努力,中國存儲器能在不久的將來真正引領(lǐng)世界。

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

中國北京(2025年9月10日)—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)亮相于深圳國際會展中心舉辦的第26屆中國國際光電博覽會(展位號:12C12),全面展示GD25 SPI...

關(guān)鍵字: 光通信 MCU Flash

在嵌入式系統(tǒng)中,F(xiàn)lash存儲器因其非易失性、高密度和低成本特性,成為代碼存儲和關(guān)鍵數(shù)據(jù)保存的核心組件。然而,MCU驅(qū)動Flash讀寫時,開發(fā)者常因?qū)τ布匦岳斫獠蛔慊虿僮髁鞒淌韬?,陷入性能下降、?shù)據(jù)損壞甚至硬件損壞的陷...

關(guān)鍵字: MCU驅(qū)動 Flash

2025年8月14日,致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下詮鼎推出基于新突思(Synaptics)SL1680嵌入式處理器的AI疲勞駕駛檢測方案。

關(guān)鍵字: AI 嵌入式處理器 Type-C

June 24, 2025 ---- 近期市場對于NVIDIA RTX PRO 6000系列產(chǎn)品的討論聲量高,預(yù)期在需求支撐下,整體出貨將有不俗表現(xiàn)。然而,TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷認為,該系列產(chǎn)品受...

關(guān)鍵字: 存儲器 供應(yīng)鏈 邊緣AI

在人工智能訓(xùn)練、實時圖形渲染與科學(xué)計算領(lǐng)域,存儲器帶寬已成為制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。HBM3與GDDR7作為當前顯存技術(shù)的兩大巔峰之作,分別通過三維堆疊與信號調(diào)制技術(shù)的突破,為不同應(yīng)用場景提供了差異化解決方案。本文從架構(gòu)...

關(guān)鍵字: 存儲器 HBM3

傳統(tǒng)存儲器技術(shù)逼近物理極限,鐵電場效應(yīng)晶體管(FeFET)憑借其獨特的極化翻轉(zhuǎn)機制與非易失性邏輯特性,成為突破馮·諾依曼架構(gòu)瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。FeFET通過將鐵電材料集成至晶體管柵極,實現(xiàn)了存儲與邏輯功能的深度融合,其物理...

關(guān)鍵字: FeFET 存儲器

數(shù)字化轉(zhuǎn)型與人工智能技術(shù)驅(qū)動,數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)磁盤陣列向全閃存與新型內(nèi)存技術(shù)的深度變革。全閃存陣列(AFA)憑借亞毫秒級延遲與高IOPS性能重塑存儲性能基準,而持久化內(nèi)存(PMEM)則通過填補DRAM與SSD...

關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)中心 存儲器
關(guān)閉