Flash存儲(chǔ)器的工作過(guò)程需嚴(yán)格遵循“擦除-編程-讀取”的順序，每個(gè)環(huán)節(jié)都依賴精密的電壓控制和時(shí)序管理。 

擦除操作是將浮柵中的電子釋放，使存儲(chǔ)單元恢復(fù)為“1”狀態(tài)。此時(shí)控制柵施加反向高電壓，襯底接地，浮柵中的電子通過(guò)隧道效應(yīng)回到襯底，整個(gè)過(guò)程針對(duì)“塊”進(jìn)行（NAND Flash的塊大小通常為128KB-2MB）。擦除時(shí)間較長(zhǎng)（毫秒級(jí)），這是因?yàn)樾枰_保塊內(nèi)所有單元的電荷完全釋放，否則會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)干擾。 

編程（寫入）操作是向浮柵注入電子的過(guò)程，針對(duì)“頁(yè)”進(jìn)行（NAND Flash的頁(yè)大小通常為2KB-16KB）。編程前需確保對(duì)應(yīng)塊已完成擦除，然后通過(guò)地址信號(hào)定位目標(biāo)頁(yè)，施加編程電壓將數(shù)據(jù)寫入。為提高效率，現(xiàn)代NAND Flash支持“多頁(yè)編程”，可連續(xù)寫入多個(gè)頁(yè)數(shù)據(jù)，將單次編程的時(shí)間壓縮至微秒級(jí)。 

讀取操作則通過(guò)檢測(cè)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)實(shí)現(xiàn)，支持隨機(jī)讀取單頁(yè)數(shù)據(jù)。控制器發(fā)送頁(yè)地址后，存儲(chǔ)陣列通過(guò)行 decoder 選中目標(biāo)頁(yè)，列 decoder 輸出具體數(shù)據(jù)，整個(gè)過(guò)程耗時(shí)約幾十至幾百納秒。NAND Flash還會(huì)在讀取時(shí)進(jìn)行“錯(cuò)誤校驗(yàn)”（如ECC校驗(yàn)），通過(guò)算法修正少量位錯(cuò)誤，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。 

這種按塊擦除、按頁(yè)編程的機(jī)制，是Flash平衡存儲(chǔ)密度與操作效率的結(jié)果，但也帶來(lái)了“寫入放大”等特殊問(wèn)題——更新小量數(shù)據(jù)時(shí)，需先讀取整個(gè)塊、修改數(shù)據(jù)、擦除塊再重新寫入，導(dǎo)致實(shí)際寫入量遠(yuǎn)大于理論數(shù)據(jù)量。