Flash存儲(chǔ)器的核心存儲(chǔ)單元是“浮柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管”，其設(shè)計(jì)靈感源于EEPROM，但通過(guò)結(jié)構(gòu)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了更高的集成度。這種晶體管包含控制柵、浮柵、氧化層和襯底四個(gè)關(guān)鍵部分，其中浮柵被兩層氧化層（隧道氧化層和插值氧化層）完全包裹，形成一個(gè)與外界隔絕的“電荷陷阱”。正是這一結(jié)構(gòu)，讓Flash能夠在斷電后長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)。 

當(dāng)需要寫入數(shù)據(jù)時(shí)，電子通過(guò)兩種方式被注入浮柵：在NOR Flash中，常用“熱電子注入”技術(shù)——控制柵施加高電壓（10-15V），源極接地，漏極施加中等電壓，溝道中的電子獲得能量后沖破隧道氧化層進(jìn)入浮柵；而NAND Flash則多采用“Fowler-Nordheim隧道效應(yīng)”，通過(guò)在控制柵與襯底之間施加強(qiáng)電場(chǎng)，使電子通過(guò)量子隧道效應(yīng)穿過(guò)氧化層。無(wú)論哪種方式，一旦電子進(jìn)入浮柵，就會(huì)被絕緣氧化層禁錮，即使斷電也能保留數(shù)年甚至數(shù)十年。 

存儲(chǔ)單元的狀態(tài)通過(guò)浮柵中的電荷量來(lái)區(qū)分：無(wú)額外電子時(shí)，晶體管導(dǎo)通閾值較低，對(duì)應(yīng)二進(jìn)制“1”；注入電子后，負(fù)電荷削弱控制柵電場(chǎng)，導(dǎo)通閾值升高，對(duì)應(yīng)“0”。讀取數(shù)據(jù)時(shí)，控制柵施加固定電壓，通過(guò)檢測(cè)晶體管是否導(dǎo)通即可判斷存儲(chǔ)的是“1”還是“0”。這種基于電荷的存儲(chǔ)方式，構(gòu)成了Flash存儲(chǔ)器的底層邏輯。 

Flash存儲(chǔ)器主要分為NOR Flash和NAND Flash兩大類型，其結(jié)構(gòu)差異決定了各自的應(yīng)用場(chǎng)景。NOR Flash采用并行結(jié)構(gòu)，每個(gè)存儲(chǔ)單元通過(guò)金屬線直接連接到地址線和數(shù)據(jù)線，支持隨機(jī)訪問(wèn)——就像書(shū)架上的每本書(shū)都有獨(dú)立的編號(hào)，可直接取出指定書(shū)籍。這種結(jié)構(gòu)使其讀取速度極快（幾十納秒），但存儲(chǔ)密度較低，制造成本高，適合存儲(chǔ)程序代碼，如嵌入式系統(tǒng)的Bootloader、BIOS固件等。 

NAND Flash則采用串行結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)單元按“頁(yè)”和“塊”排列，每頁(yè)包含數(shù)千字節(jié)，每塊包含數(shù)十至數(shù)百頁(yè)，如同將書(shū)籍按章節(jié)裝訂成冊(cè)，需先找到對(duì)應(yīng)冊(cè)再翻到指定頁(yè)。這種結(jié)構(gòu)大幅提高了存儲(chǔ)密度（相同面積下容量是NOR的3-5倍），但隨機(jī)訪問(wèn)速度較慢，更適合連續(xù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，如U盤、固態(tài)硬盤（SSD）中的用戶數(shù)據(jù)。