對(duì)于關(guān)注國(guó)產(chǎn)內(nèi)存、閃存的用戶來(lái)說(shuō)，從明年開始將會(huì)有實(shí)質(zhì)性的成果，因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲(chǔ)都將量產(chǎn)。據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道稱，2019年，中國(guó)大陸地區(qū)將有三家存儲(chǔ)芯片廠竣工并投入量產(chǎn)。目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在準(zhǔn)備的第一個(gè)訂單是，生產(chǎn)8GB容量的SD存儲(chǔ)卡，訂單規(guī)模為一萬(wàn)套32層3D NAND閃存芯片。

在新產(chǎn)品方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在研發(fā)64層的3D NAND閃存，計(jì)劃在2018年年底前推出樣品。

跟長(zhǎng)江存儲(chǔ)不同的是，晉華公司和Innotron主要負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存芯片的制造。據(jù)說(shuō)前者已經(jīng)開始了8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片的試生產(chǎn)，而后者預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)19nm技術(shù)生產(chǎn)的8Gb DDR4內(nèi)存芯片。

外界普遍認(rèn)為，中國(guó)存儲(chǔ)芯片公司逐步擴(kuò)大產(chǎn)能，全球內(nèi)存閃存芯片市場(chǎng)的價(jià)格有望出現(xiàn)下降。