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[導(dǎo)讀]這個(gè)設(shè)計(jì)思路展示給大家如何去創(chuàng)建一個(gè)可靠、低成本、簡(jiǎn)單的電感測(cè)試儀。這個(gè)測(cè)試儀的基礎(chǔ)是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器(圖一)。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由

這個(gè)設(shè)計(jì)思路展示給大家如何去創(chuàng)建一個(gè)可靠、低成本、簡(jiǎn)單的電感測(cè)試儀。這個(gè)測(cè)試儀的基礎(chǔ)是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器(圖一)。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由于這個(gè)高增益,這個(gè)逆變器比一個(gè)非緩沖門消耗的功率低,甚至是很小的信號(hào)就是可以驅(qū)動(dòng)輸出端得高低。

LCπ網(wǎng)絡(luò)形成了一個(gè)平行共振,共振的頻率為 fO=1/2π。這個(gè)頻率對(duì)應(yīng)在CS=C1||C2=50 nF這個(gè)時(shí)期。所以你可以通過測(cè)量共振頻率fO計(jì)算出電感LX。在共振頻率期間,LCπ網(wǎng)絡(luò)提供一個(gè)從輸入到輸出的180 °相移。振蕩器周圍振蕩回路fO的相移必須為360 °,并且震蕩回路的增益必須大于一。這樣才能產(chǎn)生震蕩。逆變器IC1A提供了一個(gè)額外的從輸入到輸出的180 °相移和一個(gè)高增益來補(bǔ)償衰減網(wǎng)絡(luò)。

電阻R的值可以從1到10 MΩ。電阻R2的分離輸出閘門IC1A使您可以從輸出門端獲得一個(gè)自身產(chǎn)生的清晰的方波。另外,

由于R2增加了共振頻率周圍的偏移相位來提高頻率穩(wěn)定性。為了得到最佳性能,可以使用低自感的薄膜電容器,如mkp1837聚丙烯薄膜電容器系列。低電源電流的電路可以讓你用一個(gè)電池作為電源。

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