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[導(dǎo)讀]  引 言  Flash存儲(chǔ)器又稱閃速存儲(chǔ)器,是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn),既可以在線擦除、改寫,又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。  NOR Flash是Flash存儲(chǔ)器中

  引 言

  Flash存儲(chǔ)器又稱閃速存儲(chǔ)器,是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn),既可以在線擦除、改寫,又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。

  NOR Flash是Flash存儲(chǔ)器中最早出現(xiàn)的一個(gè)品種,與其他種類的Flash存儲(chǔ)器相比具有以下優(yōu)勢:可靠性高、隨機(jī)讀取速度快,可以單字節(jié)或單字編程,允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲(chǔ)器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單片機(jī)為例,針對(duì)大容量NORFlash在8位低檔單片機(jī)中應(yīng)用的特殊性,詳細(xì)介紹了其接口硬件和接口軟件的設(shè)計(jì)方法。

  1 SST39SF040芯片介紹

  SST39SF040是SST公司最近推出的一種基于SuperFlash技術(shù)的NORFlash存儲(chǔ)器,屬于SST公司并行閃速存儲(chǔ)器系列;適用于需要程序在線寫入或大容量、非易失性數(shù)據(jù)重復(fù)存儲(chǔ)的場合。

  1.1 芯片內(nèi)部功能結(jié)構(gòu)和外部引腳

  圖1是SST39SF040的內(nèi)部功能結(jié)構(gòu)框圖,由Super-Flash存儲(chǔ)單元、行譯碼器、列譯碼器、地址緩沖與鎖存器、輸入/輸出緩沖和數(shù)據(jù)鎖存器以及控制邏輯電路等部分組成。圖2是其外部引腳分布圖,其中A18~A0為地址線,CE為芯片選通信號(hào),OE可作為讀信號(hào),WE為寫信號(hào),DQ7~DQ0為數(shù)據(jù)線。

  1.2 芯片的主要特性

  ① 容量為512KB,按512K×8位結(jié)構(gòu)組織。

  ② 采用單一的5V電源供電,編程電源VPP在芯片內(nèi)部產(chǎn)生。

 ?、?芯片可反復(fù)擦寫100000次,數(shù)據(jù)保存時(shí)間為100年。

  ④ 工作電流典型值為10mA,待機(jī)電流典型值為30μA。

 ?、?扇區(qū)結(jié)構(gòu):扇區(qū)大小統(tǒng)一為4KB。

 ?、?讀取、擦除和字節(jié)編程時(shí)間的典型值:數(shù)據(jù)讀取時(shí)間為45~70 ns;扇區(qū)擦除時(shí)間為18ms,整片擦除時(shí)間為70ms;字節(jié)編程時(shí)間為14μs。

 ?、?有記錄內(nèi)部擦除操作和編程寫入操作完成與否的狀態(tài)標(biāo)志位。

 ?、?具有硬、軟件數(shù)據(jù)保護(hù)功能。

 ?、?具有地址和數(shù)據(jù)鎖存功能。

  1.3 芯片的操作

  1.3.1 芯片的軟件操作命令序列

  SST39SF040的軟件操作可以分成兩類:普通讀操作和命令操作。

  普通讀操作非常簡單,與RAM的讀操作類似,當(dāng)OE和CE信號(hào)同時(shí)為低電平時(shí),即可從芯片讀出數(shù)據(jù)。

  芯片的命令操作包括芯片的識(shí)別、字節(jié)編程、扇區(qū)擦除以及整片擦除等。這些操作分別由各自的軟件操作命令序列來完成,如表1所列。其中,BA為待編程字節(jié)的地址,Data為字節(jié)編程數(shù)據(jù),SAX為待擦除扇區(qū)的地址。命令中的地址只有低15位有效,高4位可任意設(shè)置為“0”或“1”。

  SST39SF040的軟件操作命令序列實(shí)際上是由一個(gè)或多個(gè)總線寫操作組成的。以SST39SF040的扇區(qū)擦除為例,其操作過程包括3個(gè)步驟:第1步,開啟擦除方式,用表1中給出的第1至第5周期的總線寫操作來實(shí)現(xiàn);第2步,裝載扇區(qū)擦除命令(30H)和待擦除扇區(qū)的地址,用其對(duì)應(yīng)的第6周期的總線寫操作來實(shí)現(xiàn);第3步,進(jìn)行內(nèi)部擦除。內(nèi)部擦除時(shí)間最長為25ms。

  總線寫操作時(shí),OE必須保持為高電平,CE和WE應(yīng)為低電平。地址和數(shù)據(jù)的鎖存由CE和WE兩個(gè)信號(hào)的邊沿進(jìn)行控制。它們當(dāng)中后出現(xiàn)的下降沿將鎖存地址,先出現(xiàn)的上升沿將鎖存數(shù)據(jù)。

  1.3.2 字節(jié)編程和擦除操作的狀態(tài)檢測

  芯片在進(jìn)行內(nèi)部字節(jié)編程或擦除操作時(shí)都需要花費(fèi)一定的時(shí)間,雖然可以采用固定的延時(shí)來等待這些操作的完成,但為了優(yōu)化系統(tǒng)的字節(jié)編程和擦除操作時(shí)間,以及時(shí)判斷內(nèi)部操作的完成與否,SST39SF040提供了兩個(gè)用于檢測的狀態(tài)位,即跳變位DQ6和數(shù)據(jù)查詢位DQ7。在芯片進(jìn)行內(nèi)部操作時(shí),只要根據(jù)圖3的流程對(duì)DQ6或者DQ7進(jìn)行查詢就能及時(shí)作出判斷。

  2 SST39SF040與MCS-51的接口設(shè)計(jì)

  2.1 硬件設(shè)計(jì)

  硬件設(shè)計(jì)就是搭建合適的接口電路,將SST39SF040連接到MCS-51的系統(tǒng)總線上。根據(jù)SST39SF040和MCS-51系列單片機(jī)的結(jié)構(gòu)特性,我們發(fā)現(xiàn)SST39SF040的數(shù)據(jù)線和讀、寫信號(hào)線可以很容易地連接到MCS-51的系統(tǒng)總線上,所以要考慮的主要問題是SST39SF040地址線的連接。由于其容量已經(jīng)超出了MCS-51的尋址范圍,19根地址線無法全部連接到MCS-51的地址總線上,因此必須在該系統(tǒng)中進(jìn)行進(jìn)一步的存儲(chǔ)器擴(kuò)展。存儲(chǔ)器擴(kuò)展通??衫脝纹瑱C(jī)空閑的I/O口線作為頁面地址輸出引腳來實(shí)現(xiàn)。但是許多應(yīng)用系統(tǒng)當(dāng)中,單片機(jī)的I/O口線都是非常緊張的,在沒有多余的I/O口線時(shí),頁面地址就必須提前從數(shù)據(jù)總線輸出并存放在鎖存器中備用。具體做法是:將鎖存器直接掛在數(shù)據(jù)總線上,為其安排一個(gè)I/O地址,從而構(gòu)成頁面寄存器,在訪問存儲(chǔ)器時(shí),提前將頁面地址作為數(shù)據(jù)寫入頁面寄存器即可。

  根據(jù)以上分析可設(shè)計(jì)出SST39SF040與MCS-51之間的接口電路,如圖4所示。本系統(tǒng)中,將512 KB的存儲(chǔ)器分為32頁面,每頁大小為16 KB。由此可得,頁面地址需要5位,頁內(nèi)偏移量需要14位。頁面地址的給出是在進(jìn)行存儲(chǔ)器訪問之前完成的,具體的方法是:用一條“MOVX”’命令將頁面地址輸出到鎖存器74LS374中,再由74LS374將頁面地址保持在存儲(chǔ)器的地址引腳A14~A18上。頁內(nèi)偏移量則直接在存儲(chǔ)器的讀寫命令中給出,執(zhí)行命令時(shí),低8位地址A0~A7從P0口輸出到74LS373中保持;地址A8~A13則由單片機(jī)的P2.0~P2.5直接提供。以上分時(shí)輸出的地址信號(hào)A0~A18將在讀/寫控制信號(hào)開始作用后,同時(shí)有效,以實(shí)現(xiàn)對(duì)SST39SF040的512KB全地址空間的訪問。P2.6和P2.7分別用作SKT39SF040和鎖存器74LS374的片選信號(hào),SST39SF040的片選信號(hào)地址范圍是8000H~BFFFH,74LS374的片選信號(hào)地址范圍是4000H~7FFFH。

  2.2 軟件設(shè)計(jì)

  軟件設(shè)計(jì)就是編寫對(duì)SST39SF040的操作程序,包括字節(jié)讀出、扇區(qū)或整片擦除以及字節(jié)編程等。下面給出第1個(gè)扇區(qū)的擦除程序,其中DELAY25為25ms延時(shí)子程序,其他操作程序可參照編寫。

  程序編寫過程中的難點(diǎn)是,如何將SST39SF040中待訪問的單元地址進(jìn)行分解并對(duì)應(yīng)到讀寫命令中去。以扇區(qū)擦除操作的第1個(gè)命令為例,該命令的功能是將數(shù)據(jù)AAH寫入地址5555H中。對(duì)于地址5555H,其最高5位A18~A14是01H,低14位A13~A0為1555H。最高5位地址決定的頁面號(hào)必須先作為數(shù)據(jù)寫入鎖存器74LS374中,再將數(shù)據(jù)AAH寫入該頁中由低14位地址決定的單元。寫入頁面號(hào)時(shí),指令中的地址可在4000H~7FFFH范圍內(nèi)任選一個(gè),即選中鎖存器74LS374;寫人數(shù)據(jù)AAH時(shí),指令中的地址可由低14位地址1555H加上8000H得到,其值為9555H。

  結(jié) 語

  本文從硬件和軟件兩個(gè)方面對(duì)大容量NORFlash存儲(chǔ)器與8位單片機(jī)的接口技術(shù)進(jìn)行了分析、探討,給出了具體的設(shè)計(jì)方案。其思想和方法對(duì)嵌入式系統(tǒng)的應(yīng)用設(shè)計(jì)具有較高的參考價(jià)值,筆者已將它應(yīng)用到一款考勤機(jī)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)開發(fā)當(dāng)中。


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