在實際的項目中，我們可能需要保存一些數(shù)據(jù)，希望下次啟動的時候數(shù)據(jù)還可以使用。在這里介紹使用STM32內(nèi)部flash來保存數(shù)據(jù)的方法。

在這里我使用STM32F103C8T6這款芯片做介紹。flash大小64K。本例子0x0800 0000~0x800 3000作為bootloader使用，0x0800 3000~0x0800 C000作為程序存放地址，0x0800 C000~0x0800 FFFF作為本例子的數(shù)據(jù)存放區(qū)域。

程序：

#include "stm32f10x_flash.h"
#define PageSize 1024
u32 data[10] = {1,2,3,4,5,6,7,8,9,10};
u32 data_temp[10] = {0};
u8 flash_write(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size);
int flash_read(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size);

/******************************************************************************
* flash的寫函數(shù)：輸入：
u32 StartAddr flash起始地址
u32 *p_data 待寫入數(shù)據(jù)指針u32 size寫入數(shù)據(jù)的數(shù)量
輸出：0：正確執(zhí)行
非0：出錯
注意：輸入數(shù)據(jù)一定是u32 的指針，即數(shù)據(jù)一定是按照4字節(jié)對齊寫入的。
所以：size也是u32的個數(shù)（字節(jié)數(shù)的4分之一）
*******************************************************************************/
u8 flash_write(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size)
{
volatile FLASH_Status FLASHStatus;
u32 EndAddr=StartAddr+size*4;
vu32 NbrOfPage = 0;
u32 EraseCounter = 0x0, Address = 0x0;
int i;
int MemoryProgramStatus=1;
//為一是通過
FLASH_Unlock(); //解鎖函數(shù)
NbrOfPage=((EndAddr-StartAddr)>>10)+1;//有多少個頁被擦除//清除所有已有標志
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
//擦頁
FLASHStatus=FLASH_COMPLETE;
for(EraseCounter=0;(EraseCounter{
FLASHStatus=FLASH_ErasePage(StartAddr+(PageSize*EraseCounter));
}
//開始寫數(shù)據(jù)
Address = StartAddr;
i=0;
while((Address{ FLASHStatus=FLASH_ProgramWord(Address,p_data[i++]);
Address=Address+4;
}
//檢驗數(shù)據(jù)是否出錯
Address = StartAddr;
i=0;
while((Address < EndAddr) && (MemoryProgramStatus != 0))
{
if((*(vu32*) Address) != p_data[i++])
{ MemoryProgramStatus = 0;
return 1;
}
Address += 4;
}
return 0;
}




int flash_read(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size)
{
u32 EndAddr=StartAddr+size*4;
int MemoryProgramStatus=1;
u32 Address = 0x0;
int i=0;
Address = StartAddr;
while((Address < EndAddr) && (MemoryProgramStatus != 0))
{
p_data[i++]=(*(vu32*) Address);
Address += 4;
}
return 0;
}

調(diào)用例子：

flash_write(0x0800C000,&data[0],10);
flash_read(0x0800C000,&data_temp[0],10);

注意：#define PageSize 1024 根據(jù)不同型號有1K與2K的不同

STM32根據(jù)FLASH主存儲塊容量、頁面的不同，系統(tǒng)存儲器的不同，分為小容量、中容量、大容量、互聯(lián)型，共四類產(chǎn)品。

小容量產(chǎn)品主存儲塊1-32KB，每頁1KB。系統(tǒng)存儲器2KB。

中容量產(chǎn)品主存儲塊64-128KB，每頁1KB。系統(tǒng)存儲器2KB。

大容量產(chǎn)品主存儲塊256KB以上，每頁2KB。系統(tǒng)存儲器2KB。

互聯(lián)型產(chǎn)品主存儲塊256KB以上，每頁2KB。系統(tǒng)存儲器18KB。

還有Flash當EEPROM用還是很蛋疼很不好用的，尤其是數(shù)據(jù)較多的時候，因為Flash是要先整頁擦除，再寫入數(shù)據(jù)的，改變頁中的一個數(shù)據(jù)就要備份該頁的全部數(shù)據(jù)，然后再整頁重新寫一遍！

頁面大小

按1.2的方法下得該MCU的參考手冊，STM32F103RBT6對應的參考手冊為RM0008 Reference manual，定位到Embedded Flash memory章節(jié)(也可以通過搜索0x0800 0000來定位)。STM32有4種Flash module organization，分別是：low-density devices(32KB，1KB/page)、medium-density devices(128KB，1KB/page)、high-density devices(512KB，2KB/page)、connectivity line devices(256KB，2KB/page)、XL-density(devices(1M，2KB/page)。從上面分析可知，STM32F103RBT6的Flash是128KB，可見是medium-density devices，如下圖所示：

圖4 Flash module organization (medium-density devices)

注意數(shù)據(jù)寫入的地址必須是偶數(shù)，否則flash讀到的數(shù)據(jù)全為0，最好為1K的整數(shù)倍，否則 寫入數(shù)據(jù)時會擦除相鄰的扇區(qū)的數(shù)據(jù)