女人被狂躁到高潮视频免费无遮挡,内射人妻骚骚骚,免费人成小说在线观看网站,九九影院午夜理论片少妇,免费av永久免费网址

當(dāng)前位置:首頁 > 模擬 > 模擬
[導(dǎo)讀]1引言設(shè)計了一種低功耗的單節(jié)鋰離子電池保護電路,此保護電路不僅對鋰離子電池提供過充電,過放電,放電過流保護,還提供充電異常保護,零伏電池充電禁止等功能。用1.0μm雙阱CMOS工藝實現(xiàn)。2鋰電池保護IC的功能原

1引言

設(shè)計了一種低功耗的單節(jié)鋰離子電池保護電路,此保護電路不僅對鋰離子電池提供過充電,過放電,放電過流保護,還提供充電異常保護,零伏電池充電禁止等功能。用1.0μm雙阱CMOS工藝實現(xiàn)。

2鋰電池保護IC的功能原理分析

鋰電池保護電路的原理圖如圖1所示,E+和E-端之間加充電器或負載。電路工作原理如下:


圖1鋰電池保護原理圖

正常狀態(tài):當(dāng)電池電壓在過放電檢測電壓以上且在過充電檢測電壓以下,VM端子的電壓在充電器檢測電壓以上且在過電流檢測電壓以下時,充電控制用FET2和放電控制用FET1的兩方均打開。

這時可以進行自由的充電和放電。這種狀態(tài)叫做正常狀態(tài)。

過充電保護:在充電過程中,當(dāng)電池電壓高于過充電檢測電壓,且該狀態(tài)持續(xù)到過充電檢測延遲時間后,控制電路輸出一個低電平,關(guān)斷充電控制用FET2,禁止充電。

過放電保護:在放電過程中,當(dāng)電池電壓低于過放電檢測電壓,且該狀態(tài)持續(xù)到過放電檢測延遲時間后,控制電路輸出一個低電平,關(guān)斷放電控制用FET1,禁止放電。

過電流保護:過電流保護包括一級過流保護,二級過流保護,短路保護,當(dāng)放電電流過大,VM端電壓上升,超過過流檢測電壓,且該狀態(tài)持續(xù)時間超過過流檢測延遲時間后,控制電路輸出低電平,關(guān)斷放電控制用FET1,放電禁止。在放電過程中,VM端電壓就是兩個處于導(dǎo)通態(tài)的FET上的壓降(見圖1),即VVM=I×2RFET.式中I是通過FET的電流,即放電電流,RFET是FET的通態(tài)電阻。

充電異常保護:電池在充電過程中如果電流過大,使VM端電壓下降,當(dāng)?shù)陀谀硞€設(shè)定值,并且這個狀態(tài)持續(xù)到過充電檢測延遲時間以上時,控制電路關(guān)斷充電控制用FET2,停止充電。當(dāng)VM端電壓重新上升到設(shè)定值以上后,充電控制用FET1打開,充電保護異常解除。

零伏電池充電禁止:電池在久放不用的情況下,會自身放電使電池電壓下降,甚至為零伏,有些鋰電池因其特性的原因在被完全放電后不適宜再度充電。當(dāng)電池電壓低于某個設(shè)定值時,充電控制用FET2的柵極被固定在低電位,禁止充電。只有電池本身電壓在零伏電池禁止充電電壓以上時,才被允許充電。

3電路設(shè)計

如圖2所示,鋰電池保護電路主要由基準(zhǔn)源,比較器,邏輯控制電路以及一些附加功能塊組成。比較器檢測所用到的基準(zhǔn)電壓都要通過一個基準(zhǔn)源電路來提供,此基準(zhǔn)源在正常工作情況下,必須高精度,低功耗,以滿足芯片要求,且能夠在電源電壓低至2.2V時正常工作。


圖2鋰電池保護電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

圖3就是符合此要求的帶隙基準(zhǔn)源。在該電路中,P4,P5,P6,P7,N3,N4,N6組成一個二級運放作為基準(zhǔn)源的反饋,而運放的偏置電壓由基準(zhǔn)源來提供,既簡化了電路與版圖,又減少了額外功耗。通過調(diào)節(jié)MOS管的尺寸,使運放具有較高增益,較低失調(diào)電壓?;鶞?zhǔn)源采用級連二極管的形式,Q1,Q2發(fā)射區(qū)面積相等,Q3,Q4發(fā)射區(qū)面積相等,為了減少功耗,取Q3的面積為Q2的兩倍。級連二極管形式能有效減少運放失調(diào)對輸出基準(zhǔn)電壓精度的影響。

保護電路中所用的檢測電壓一般較低,比如一級過流檢測電壓為0.15V左右,二級過流檢測電壓為0.6V左右,但一般帶隙基準(zhǔn)電路只能輸出1.2V左右的電壓,電阻R5的引入就是通過對輸出基準(zhǔn)電壓進行再次分壓來解決這個問題。以下給出輸出基準(zhǔn)電壓的計算公式:


圖3基準(zhǔn)源電路結(jié)構(gòu)

從式(4)中可以看出2ln(IS3/IS2)VT相對于ln(IS3/IS2)VT受失調(diào)電壓VOS的影響明顯減少,即級連二極管的采用使基準(zhǔn)電壓受運放失調(diào)影響減少。

式中產(chǎn)生因子R5/(R4+R5),通過調(diào)整R4,R5的電阻值,可以得到小于1.2V的基準(zhǔn)電壓。

圖1中N1,N2,P1,P2,P3,C1作為啟動電路,有源電阻P1,P2起限流作用。N5,P13為開關(guān)管,當(dāng)保護電路處于休眠狀態(tài)時,電路必須停止工作,使功耗降為最低,此時通過內(nèi)部控制電路使L1為低電位,P13管打開,使偏置點VBIAS上升為高電位,P4,P7,P8,P9,P10,P11,P12管截止,N5管關(guān)閉,切斷由P13,N6形成的支路,該電路停止工作,電流幾乎為零。經(jīng)仿真,該基準(zhǔn)電路在2.2V電壓下可正常工作。

以下介紹此款鋰電池保護IC的附加功能,包括充電異常檢測功能,零伏電池充電禁止功能。如圖4所示。


圖4附加功能電路結(jié)構(gòu)

當(dāng)鋰電池接上充電器進行充電時,VM端相當(dāng)于充電器的負端(見圖1),產(chǎn)生一個-4V左右的脈沖電壓,N1管瞬間導(dǎo)通,同時OUT1端也產(chǎn)生-4V的脈沖電壓,當(dāng)邏輯電路監(jiān)測到OUTI端的負脈沖電壓后通過邏輯控制使L2為高電位,使N3管導(dǎo)通,又因為P1管的柵極接地,當(dāng)VDD大于P1管的閾值電壓時,P1管導(dǎo)通,D1點為高電位,N2管導(dǎo)通,D2點為低電位,P4管導(dǎo)通,CO為高電位,充電控制用FET2打開,允許充電,即充電器檢測完成。

當(dāng)鋰電池由于自放電使自身電壓降為PMOS管閾值以下時,P1管截止,D1為低電位,使N2管截止,節(jié)點D2無法下降到VM端電壓,P4管截止,CO端為低電位,充電控制用FET2關(guān)閉,禁止充電,即為零伏電池充電禁止功能。在充電過程中,VM端電位為-I×2RFET(見圖1),I為充電電流,RFET為FET導(dǎo)通電阻。當(dāng)電流過大,使VM端電位下降到負的NMOS閾值以下時,N5管導(dǎo)通,D3電位下降,P6管導(dǎo)通,輸出OUT2為高電位,當(dāng)該狀態(tài)持續(xù)一段時間以后,控制邏輯判斷該狀態(tài)有效,使L2為低電位,N3管截止,P3管導(dǎo)通,D2為高電位,使CO端為低,充電控制用FET2關(guān)閉,充電停止,即為充電異常檢測功能。

4仿真時序圖

圖5為過充與過放電檢測的HSPICE仿真時序圖,從中可以看出,當(dāng)比較器檢測到電池過充,在這里過充檢測點為4.25V,且該狀態(tài)保持時間達到過充電檢測延遲時間,在這里約為1.2秒,CO輸出低電平,關(guān)斷充電用FET2,停止充電。當(dāng)檢測到電池過放電,這里過放電檢測點為2.25V,且該狀態(tài)保持時間達到過放電檢測延遲時間約150毫秒,DO輸出低電平,關(guān)斷放電用FET1,停止放電。其它如放電過流檢測等功能經(jīng)HSPICE仿真完全符合要求,在這里不一一列出。


圖5過充與過放電檢測仿真時序圖

5結(jié)論

設(shè)計的單節(jié)鋰電池保護IC在正常工作狀態(tài)下消耗電流為3.3uA,休眠狀態(tài)下為0.15uA,過充電檢測精度為±25mV,能在-40°C~85°C的溫度下工作,產(chǎn)品性能完全符合要求。

更多資訊請關(guān)注:21ic模擬頻道

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

隨著技術(shù)的飛速發(fā)展,商業(yè)、工業(yè)及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C)的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性,亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手段攻克相關(guān)技術(shù)難題?。本文致力于探討高溫對集成電路的影響,介紹高結(jié)溫...

關(guān)鍵字: IC設(shè)計 集成電路 晶體管

June 12, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2025年第一季因國際形勢變化促使終端電子產(chǎn)品備貨提前啟動,以及全球各地興建AI數(shù)據(jù)中心,半導(dǎo)體芯片需求優(yōu)于以往淡季水平,助力IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)表...

關(guān)鍵字: IC設(shè)計 AI 半導(dǎo)體

隨著技術(shù)的飛速發(fā)展,商業(yè)、工業(yè)、軍事及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C)的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性,亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手段攻克相關(guān)技術(shù)難題?。通過深入分析高溫產(chǎn)生的根源,我們旨在緩解...

關(guān)鍵字: IC設(shè)計 集成電路 功率驅(qū)動器

日前,2025國際集成電路展覽會暨研討會(IIC Shanghai)在上海舉行。作為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上游的領(lǐng)軍企業(yè),安謀科技(中國)有限公司(簡稱“安謀科技”)受邀出席此次盛會。在同期舉辦的2025中國IC領(lǐng)袖峰會暨中國I...

關(guān)鍵字: IC設(shè)計 集成電路 半導(dǎo)體

March 17, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究,2024年全球前十大IC設(shè)計業(yè)者營收合計約2,498億美元,年增49%。AI熱潮帶動整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向上,特別是NVIDIA(英偉達)202...

關(guān)鍵字: 英偉達 IC設(shè)計 AI

如果我們將前面圖 3 至圖 17 中任何一個中的電位器 VR1 替換為交流信號加直流偏置信號,壓控衰減器就可以變成幅度調(diào)制器電路。例如,在圖 15(P 溝道 MOSFET)中,如果輸入信號 Vin 是高頻載波信號和 VR...

關(guān)鍵字: FET 電壓控制

之前我們研究了 FET 壓控電阻器、基本壓控電阻器電路以及平衡或推挽壓控電阻器 (VCR) 電路。接下來,我們來看看帶反饋的 N 溝道 JFET 衰減器電路(圖 8)。

關(guān)鍵字: FET 電壓控制

我很高興在我們的行業(yè)中仍然有一些公司在制造精密、分立的晶體管;線性集成系統(tǒng)是我遇到過的最好的系統(tǒng)之一。有如此多的應(yīng)用需要使用優(yōu)質(zhì)分立元件而不是集成電路來設(shè)計電路。

關(guān)鍵字: FET 電壓控制

12月11日至12日,作為中國半導(dǎo)體行業(yè)備受矚目的年度盛會,上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨中國集成電路設(shè)計業(yè)展覽會(ICCAD 2024)在上海世博展覽館成功舉辦。國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上游的領(lǐng)軍企業(yè)安謀科技今年再度受邀...

關(guān)鍵字: IC設(shè)計 集成電路 算力

2024年12月11日至12日,上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨第三十屆集成電路設(shè)計業(yè)展覽會(ICCAD-Expo 2024)在上海世博展覽館舉行。全球毫米波雷達芯片領(lǐng)域的重要創(chuàng)新者加特蘭應(yīng)邀出席大會,在閉幕晚宴上...

關(guān)鍵字: IC設(shè)計 集成電路 毫米波雷達
關(guān)閉