一直以來，MOS管都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞰OS管的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請看下文。

一、MOS 管的工作原理

從圖1-2-（a）可以看出，增強型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵-源電壓VGS=0 時，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏-源極間沒有導(dǎo)電溝道（沒有電流流過），所以這時漏極電流ID=0。此時若在柵-源極間加上正向電壓，圖 1-2-(b)所示，即VGS＞0，則柵極和硅襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個柵極指向P型硅襯底的電場，由于氧化物層是絕緣的，柵極所加電壓 VGS無法形成電流，氧化物層的兩邊就形成了一個電容，VGS等效是對這個電容充電，并形成一個電場，隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在這個電容的另一邊就聚集大量的電子并形成了一個從漏極到源極的N型導(dǎo)電溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VT（一般約為2V）時，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID，我們把開始形成溝道時的柵-源極電壓稱為開啟電壓，一般用VT表示?？刂茤艠O電壓VGS的大小改變了電場的強弱，就可以達到控制漏極電流 ID的大小的目的，這也是MOS管用電場來控制電流的一個重要特點，所以也稱之為場效應(yīng)管。

二、MOS管的兩種使用（含電路圖）

MOS管的使用通?？梢苑譃閮煞N情形：

①參與普通的邏輯控制，和三極管一樣作為開關(guān)管使用，電流可達數(shù)安培，如圖1為MOS管驅(qū)動直流電機電路。R6下拉電阻是必須的（取值一般10--20k），原理和NPN三極管下拉電阻一樣。此類應(yīng)用的MOS管Vgs電壓大于門檻電壓4.5V（又叫平臺電壓）即可正常使用。小功率的邏輯控制本人還是選擇使用三極管。

圖1：邏輯控制MOS管

②參與PWM控制，橋式驅(qū)動電路以及開關(guān)電源電路等應(yīng)用廣泛。

如圖2為有刷直流電機橋式驅(qū)動電路，G1、G2、G3、G4為推挽PWM控制，VS1、VS2接電機，可實現(xiàn)大功率直流電機調(diào)速，正反轉(zhuǎn)控制。此類應(yīng)用的MOS管Vgs電壓大于10V，通常使用12V（為保證導(dǎo)通深度，PWM的幅值為12V）。且G極的電阻必須是小電阻通常取4.7--100Ω，與電阻并聯(lián)一個反向二極管，目的是保證MOS管的關(guān)斷速度比導(dǎo)通速度快，防止上橋與下橋直通短路。

圖2：有刷直流電機橋式驅(qū)動電路

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。希望大家對MOS管已經(jīng)具備了初步的認(rèn)識，最后的最后，祝大家有個精彩的一天。