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[導(dǎo)讀]今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OS管的有關(guān)報(bào)道,通過閱讀這篇文章,大家可以對(duì)MOS管具備清晰的認(rèn)識(shí),主要內(nèi)容如下。

今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/MOS" target="_blank">MOS管的有關(guān)報(bào)道,通過閱讀這篇文章,大家可以對(duì)MOS管具備清晰的認(rèn)識(shí),主要內(nèi)容如下。

一、兩個(gè)MOS管串聯(lián)接法的應(yīng)用

該部分是關(guān)于兩個(gè)MOS 管串聯(lián)組成反向電流阻斷電路的介紹。

兩個(gè)MOS管背靠背串聯(lián),組成雙向開關(guān)。

Figure 1 示例為Back-to-Back Connected PMOS 組成的Bidirectional Power Switch.

兩個(gè)MOS管串聯(lián)接法有何應(yīng)用?MOS管柵極串聯(lián)電阻有什么作用

Figure 1: Back-to-Back Connected PMOS

應(yīng)用場(chǎng)景: 鋰電池充放電電路。

A. 通過USB 給Battery 充電,當(dāng)控制Q3 導(dǎo)通, USB 電源通過Q1 體二極管與Q3 形成通路,VGS(Q1)=VGS(Q2) < 0, 于是Q1 和 Q2 導(dǎo)通, 實(shí)現(xiàn)Battery 充電。

B. Battery 給USB 外接的負(fù)載供電,當(dāng)控制Q3 導(dǎo)通, Battery電源通過Q2 體二極管與Q3 形成通路,VGS(Q1)=VGS(Q2) < 0, 于是Q1 和 Q2 導(dǎo)通, 實(shí)現(xiàn)給USB 接口電路供電。

C. 當(dāng)控制Q3 關(guān)斷時(shí), USB 無法給Battery 充電, Battery 也無法給USB 負(fù)載供電,這種架構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)電流防倒灌功能/反向電流阻斷。

D. MOS 管基極的電容C 充使得導(dǎo)通變緩,可以起到限制雙向的浪涌電流。

E. 兩個(gè)NMOS 組成的反向電流阻斷電路,參考Figure 2, Figure 3,其中Figure 2 的接法更為常見。

Figure 2: Back-to-Back Connected NMOS in Common Drain

Figure 3: Back-to-Back Connected NMOS in Common Source

為什么要用兩個(gè)MOS 背靠背串聯(lián)呢? 可以用單獨(dú)一個(gè)MOS來實(shí)現(xiàn)嗎?

A.使用1個(gè)MOS管,當(dāng)控制MOS 關(guān)斷時(shí),由于MOS 體二極管的作用,Battery 還可以通過體二極管放電,起不到關(guān)斷作用,參考Figure 4.

Figure 4: One MOS Design

B. 使用2個(gè)MOS管,當(dāng)控制兩個(gè)MOS 都關(guān)斷時(shí),由于MOS 體二極管反向串聯(lián),可以起到阻斷Battery 放電作用, 參考Figure 5.

Figure 5: Two MOS in Series Design

二、MOS管柵極串聯(lián)電阻有什么作用

與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路

驅(qū)動(dòng)電路電壓源為MOS結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過柵極電阻,柵極電阻降低了充電功率,延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到MOS管開啟電壓的速度;結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)過二極管,放電功率不受限制,故此情況下MOS管開啟速度較關(guān)斷速度慢,形成硬件死區(qū)。

限流

當(dāng)使用含內(nèi)部死區(qū)的驅(qū)動(dòng)或不需要硬件死區(qū)時(shí),是否可以省去柵極電阻呢?答案是不行。

當(dāng)開啟MOS管為結(jié)電容充電瞬間,驅(qū)動(dòng)電路電壓源近似短接到地,當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路電壓源等價(jià)電源內(nèi)阻較小時(shí),存在過流燒毀驅(qū)動(dòng)(可能是三態(tài)門三極管光耦甚至是單片機(jī)不能短接到地的IO口等等)的風(fēng)險(xiǎn)。

消除振鈴

同時(shí),由于PCB布線電感、布線電阻和結(jié)電容構(gòu)成構(gòu)成LCR震蕩,在布線電阻R及電壓源輸出阻抗較小的一般情況下,MOS管柵極電壓波動(dòng)可能十分明顯,造成振鈴現(xiàn)象使MOS管開啟不穩(wěn)定。在柵極串接一個(gè)阻值合適的電阻,可減小震蕩的波動(dòng)幅度,降低MOS管開啟不穩(wěn)定的風(fēng)險(xiǎn)。

上述所有信息便是小編這次為大家推薦的有關(guān)MOS管的內(nèi)容,希望大家能夠喜歡,想了解更多有關(guān)它的信息或者其它內(nèi)容,請(qǐng)關(guān)注我們網(wǎng)站哦。

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