2024年6月12日--智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)， 最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊，與其他同類產品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。該800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來業(yè)界領先的能效表現，有助于降低系統(tǒng)成本并簡化設計。應用于 150 千瓦的逆變器中時，QDual3 模塊的損耗比同類最接近的競品少 200 瓦（W），從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設計，非常適合用于大功率變流器，例如太陽能發(fā)電站中央逆變器、儲能系統(tǒng) (ESS)、商用農業(yè)車輛（CAV）和工業(yè)電機驅動器。目前，根據不同的應用需求有兩種產品可供選擇——NXH800H120L7QDSG 和 SNXH800H120L7QDSG。

隨著可再生能源采用率不斷提高，對于高峰需求管理和持續(xù)供電保障等相關解決方案的需求也隨之日益增長。要想維持電網穩(wěn)定性和降低成本，就必須要削減電力需求高峰時段的用電量，即采取削峰填谷。利用 QDual3 模塊，制造商可以在相同系統(tǒng)尺寸下，設計出發(fā)電和蓄電能力更強的太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)，提高能源管理效率，增強儲存能力，從而更平穩(wěn)地將太陽能電力并網到電網中。此外，該模塊還支持將多余的電力儲存在儲能系統(tǒng)中，能夠有效緩解太陽能發(fā)電的間歇性問題，確保供電的可靠性和穩(wěn)定性。對于大型系統(tǒng)應用，可以將這些模塊通過并聯來提升輸出功率，達到數兆瓦級別。與傳統(tǒng)的600A模塊解決方案相比，800A的QDual3模塊顯著減少了所需模塊的數量，極大地簡化了設計復雜度并降低了系統(tǒng)成本。

QDual3 IGBT 模塊采用 800 A 半橋配置，集成了新的第 7 代溝槽場截止 IGBT 和二極管技術，采用安森美的先進封裝技術，從而降低了開關損耗和導通損耗。得益于 FS7 技術，裸片尺寸縮小了 30%，每個模塊可以容納更多的裸片，從而提高了功率密度，最大電流容量達到 800 A 或更高。該 800 A QDual3 模塊的 IGBT Vce(sat) 低至 1.75V（175℃），Eoff較低，能量損耗比最接近的替代方案低 10%。此外，QDual3 模塊還滿足汽車應用所要求的嚴格標準。

“隨著卡車和巴士等商用車隊的電氣化程度提高，以及市場對可再生能源的需求增加，需要能夠更高效地發(fā)電、儲存及分配電力的解決方案。以盡可能低的功率損耗將可再生能源輸送到電網、儲能系統(tǒng)及下游負載正變得日益關鍵?！卑采离娫捶桨甘聵I(yè)群工業(yè)電源部副總裁Sravan Vanaparthy指出，“QDual3采用遵循行業(yè)標準的引腳排列，提供出色的能效，為電力電子設計師們提供了一種即插即用的解決方案，并即刻實現系統(tǒng)性能的提升?！?