缺芯，一直是我國科技產業(yè)揮之不去的痛。因為芯片的作用實在太大了，發(fā)展至今它已經滲透到我們的方方面面，比如汽車、各種智能家居、電子產品的正常使用，都依賴于一顆小小的芯片。

數據顯示，中國每年芯片進口規(guī)模在3000億美元以上，超過原油，是我國第一大進口品類。

所以，為了解決“缺芯”的卡脖子問題，近年來我國在政策方面給予了大力的支持，并且也取得了不小的成就。

“碳中和”背景下，大力發(fā)展清潔能源已經是大勢所趨，光伏和風力發(fā)電在能源結構中的占比不斷提升。IGBT作為能源變換與傳輸的核心器件，在新能源汽車、光伏、風電等領域應用極為廣泛。

在傳統(tǒng)能源的消耗端，IGBT在工業(yè)領域的應用能夠有效減少電力消耗，幫助實現節(jié)能減排。2021年，我國光伏發(fā)電市場蓬勃發(fā)展的同時，海外光伏芯片大廠因疫情交期延長，逆變器IGBT芯片供需矛盾凸顯。未來隨著國產替代進程的開啟，IGBT需求及其國產化替代將迎來黃金發(fā)展期。

近期，開源證券電子團隊發(fā)布行業(yè)深度報告《功率半導體專題系列二：風光發(fā)電及儲能前景廣闊，IGBT深度受益——行業(yè)深度報告》，為您深入分析“碳中和”背景下IGBT 等功率半導體器件的行業(yè)發(fā)展機會。

數據顯示，截至2019年，我國半導體市場本土企業(yè)供應約占16%;預計2020-2030年我國半導體供應我國本土企業(yè)滲透率將持續(xù)上升，到2030年將達到40%。

如今在半導體板塊中，尤其引人關注的是功率半導體，而功率半導體中，最吸引眼球的則是IGBT。 給大家簡單科普一下， IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫。

功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，它的作用類似于人類的心臟，主要用于電壓、頻率的調節(jié)以及直流交流轉換，因此功率半導體的應用領域非常廣泛。

逆變器主要由半導體功率器件(和驅動)、控制電路兩大部分組成。逆變器的工作原理是通過功率半導體器件的高頻開關，把直流電能變換成交流電能。

逆變電路中都使用具有開關特性的半導體功率器件(如IGBT、MOSFET等)，由控制電路周期性地對功率器件發(fā)出開、關脈沖控制信號(如PWM脈寬調制信號)，控制各個功率器件輪流導通和關斷，再經過變壓器藕合升壓或降壓后，整形濾波輸出符合要求的正弦波交流電。

作為復合功率半導體器件，IGBT具備控制功率小、輸入阻抗高以及損耗小等諸多優(yōu)點，已經成為電力電子領域開關器件的主流發(fā)展方向，在新能源汽車、軌道交通、航空航天等多個領域有著廣泛的應用。而在全球“碳中和、碳達峰”的大趨勢下，新能源汽車、新能源發(fā)電以及儲能等節(jié)能產品市場，將進一步推動IGBT市場的蓬勃發(fā)展。

IGBT受制于人,從上述來看，IGBT芯片不僅應用廣泛，而且，對于相關產業(yè)的發(fā)展極為重要。不過，如此重要的半導體器件，國內IGBT市場長期以來被外企壟斷。數據顯示，我國IGBT市場主要被英飛凌、三菱、富士電機以及ABB等國際廠商所壟斷，尤其是在高端IGBT芯片市場上，90%主要依賴進口。其實，我國IGBT受制于人的原因有很多，首先，IGBT芯片涉及的技術壁壘較高，根據筆者了解，這類產品在研究過程中，需要應用到諸多學術內容，如電磁學、熱學、力學等等，加上我國本身存在高端人才匱乏的情況，所以，長期以來，IGBT芯片的研究嚴重落后于其他外企。

其次，我國在IGBT器件方面未形成完整的產業(yè)鏈。縱觀IGBT賽道的競爭，頭部效應集中的現象極為明顯，如英飛凌、富士電機，他們從設計、制造以及設備等方面，都已經實現了自主可控，其中英飛凌在IGBT芯片的研發(fā)方面，已經進行了7次技術迭代，達到了頂尖的技術水平。值得一提的是，在“十四五”規(guī)劃中，IGBT已經被我國列為未來重點攻克的技術之一，毫無疑問，在市場和政策的雙加持下，國內IGBT企業(yè)將迎來巨大的發(fā)展機遇。

國產IGBT迎來“猛獸”,就目前來看，我國IGBT市場已經逐漸形成一定的規(guī)模，誕生出了一批功率半導體技術的揚帆啟航者，比如深圳尚陽通科技。成立于2014年的尚陽通，是一家專注功率半導體產品研發(fā)的企業(yè)，通過出色的工藝和IC設計能力，其先后推出了一系列對標一線廠商的功率器件產品。

如今，尚陽通科技更是挺進IGBT賽道，經過不斷的技術研發(fā)和迭代，尚陽通的IGBT產品已經進入第二代，根據不同的場景，尚陽通將自研的IGBT芯片劃分為不同的系列，如U系列、L系列以及H系列。更值得一提的是，尚陽通的IGBT產品已經逐步進入汽車電子、電池管理以及光伏逆變等領域，并受到客戶的青睞。

特斯拉(TSLA.US)、蔚小理在生活周邊越來越多地出現，新能源車的快速滲透直接帶來了寧德時代(300750.SZ)等電池行業(yè)的崛起。而本輪新能源車的發(fā)展，帶來的不僅是動力方式的轉變，還有自動駕駛、智能座艙等智能化的趨勢。電動化用電力資源取代了石油資源成了汽車動力的新血液，而智能化更是賦予了汽車更多感知(傳感器)、決策(主控芯片)等的擬人化感官特征。

攝像頭、大屏幕、主控芯片、存儲芯片都是計算機的重要組成部分，而這些部件也同樣在新能源車中越來越多地出現，新能源車越來越像是一臺“帶輪子的計算機”。那么，在新能源汽車中增加了哪些半導體呢?

汽車電動化：由于動力來源從石油資源轉換成電力資源，原本的核心部件內燃機也由三電系統(tǒng)取代。其中IGBT等功率半導體是新能源車三電系統(tǒng)的重要組成部分;

汽車智能化：通過對汽車的智能化提升，賦予汽車擬人化的感官特征，從而實現自動駕駛、智能座艙等功能。傳感器用于感知、存儲用于記憶、計算控制芯片用于運算控制等，智能化全面提升了新能源車對半導體的需求。

汽車電動化和智能化的雙重推進下，直接提升了汽車半導體的市場空間，而在這么多汽車半導體賽道中，哪個是相對優(yōu)選的賽道呢?

長橋海豚君本篇從市場空間和賽道增速角度比較各賽道的情況：

1)市場空間：2025年IGBT/車用SoC芯片/存儲芯片/MCU>雷達模塊>攝像頭模塊>激光雷達;

2)市場復合增速：未來五年IGBT具有40%以上的復合增速，大幅領先其他領域。攝像頭模塊/存儲芯片/車用SoC芯片/雷達模塊增長幅度都處于15-20%區(qū)間，MCU在集成化的轉變中增速受到抑制，激光雷達隨著L3級自動駕駛有望起量。