全球DRAM、NAND存儲(chǔ)芯片基本由美日韓企業(yè)壟斷，三星、SK海力士、美光、東芝等巨頭順勢(shì)賺得盆滿缽滿。受制于資金和技術(shù)上的缺陷，我國(guó)本土的芯片制造企業(yè)仍然數(shù)量少、規(guī)模小、產(chǎn)品落后。存儲(chǔ)是一個(gè)體量驚人的大市場(chǎng)，沒有一個(gè)企業(yè)可以獨(dú)吞這個(gè)蛋糕，業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，中小容量存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將保持在60億-100億美元，物聯(lián)網(wǎng)和智能終端的快速發(fā)展將不斷擴(kuò)大對(duì)中小容量存儲(chǔ)芯片的需求。行業(yè)格局的演變以及存儲(chǔ)大廠廣泛專注于大容量的市場(chǎng)，為東芯這樣專注中小容量存儲(chǔ)芯片的半導(dǎo)體公司創(chuàng)造了歷史性的發(fā)展機(jī)遇。

避開巨頭，走小容量存儲(chǔ)領(lǐng)域

東芯半導(dǎo)體有限公司(下稱“東芯”)成立于2014年11月26日，是東方恒信資本控股集團(tuán)有限公司通過下屬企業(yè)發(fā)起設(shè)立的中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。東芯半導(dǎo)體在成立不到半年的時(shí)間內(nèi)就于2015年4月22日收購(gòu)了韓國(guó)知名半導(dǎo)體廠商Fidelix的股權(quán)，成為其第一大股東和實(shí)際控制人。Fidelix的加入對(duì)東芯無異于錦上添花，需要強(qiáng)調(diào)的是，F(xiàn)idelix在韓國(guó)是繼三星、海力士之后的第三大存儲(chǔ)器芯片生廠商。因此，東芯半導(dǎo)體有著和主流市場(chǎng)接觸和競(jìng)爭(zhēng)的機(jī)會(huì)，也有了引領(lǐng)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展的使命。是目前國(guó)內(nèi)唯一可以同時(shí)提供NAND/ NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。

公司發(fā)展史簡(jiǎn)介：

2014年11月東芯半導(dǎo)體有限公司成立;

2015年6月收購(gòu)韓國(guó)知名半導(dǎo)體廠商Fidelix15.28%的股權(quán)，成為第一大股東;

2015年 1Gb SRI NAND芯片在國(guó)內(nèi)知名晶圓代工廠38nm工藝生產(chǎn)線上成功流片;

2016年7月 4Gb SLC NAND芯片在國(guó)內(nèi)知名晶圓代工廠24nm工藝生產(chǎn)線上成功流片;

2017年3月獲得上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)理事單位榮譽(yù);同年50nm NOR Flash Wide Range 在國(guó)內(nèi)知名晶圓代工廠成功流片;9月 2Gb SPI NAND芯片在國(guó)內(nèi)知名晶圓代工廠38nm工藝生產(chǎn)線上成功流片;

2018年7月完成億元級(jí)A輪融資;

在CITE 2019第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)上東芯半導(dǎo)體展出了不少NOR和NAND產(chǎn)品，東芯產(chǎn)品應(yīng)用廣泛，在各種工業(yè)及消費(fèi)類電子上都可以使用。產(chǎn)品主要分為SPI NOR，PPI NAND，SPI NAND，DDR，LPDDR，MCP六大系列。

東芯半導(dǎo)體展位一角

SPI NOR: 可提供具有通用SPI接口不同規(guī)格的存儲(chǔ)器，性價(jià)比高，應(yīng)用廣泛。

PPI NAND: 自主設(shè)計(jì)，密度大，壽命長(zhǎng)，適用于大數(shù)據(jù)讀寫，可以采用不同封裝方式以便更靈活設(shè)計(jì)，應(yīng)用廣泛。

SPI/PPI NAND產(chǎn)品展示

SPI NAND：業(yè)內(nèi)獨(dú)創(chuàng)的單芯片方案，同時(shí)帶有內(nèi)部ECC。使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時(shí)，節(jié)約了空間提高了穩(wěn)定性，還提升了性價(jià)比。

SPI NAND產(chǎn)品展示

DDR3：標(biāo)準(zhǔn)SSTL接口, 具有8n-bit prefetch DDR架構(gòu)，8個(gè)內(nèi)部bank，在網(wǎng)絡(luò)通信，消費(fèi)電子，智能終端，物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。LPDDR1及LPDDR2系列產(chǎn)品。LPDDR1電壓低至1.8V，LPDDR2電壓更低至1.2V，適合在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)中類似智能終端，可穿戴/遙控設(shè)備等便攜式產(chǎn)品中使用。

MCP：Flash和DDR合并封裝，簡(jiǎn)化走線設(shè)計(jì)，節(jié)省空間，核心電壓1.8V，不僅可用于常見有源器件，更可滿足目前移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)對(duì)低功耗的需求。

在小容量閃存芯片開發(fā)方面，東芯半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)在于：一是，東芯在國(guó)內(nèi)是目前少數(shù)能同時(shí)開發(fā)NAND/NOR/MCP/DRAM的芯片設(shè)計(jì)廠家;二是，堅(jiān)持自主研發(fā)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，目前已推出16Mb~128Mb SPI NOR產(chǎn)品并逐步形成系列;1Gb~4Gb PPI/SPI NAND系列產(chǎn)品。三是，東芯可提供完整的芯片應(yīng)用解決方案，致力于產(chǎn)業(yè)化，并提供完善、周到的技術(shù)支持服務(wù)。

在市場(chǎng)策略方面，東芯與一些主流平臺(tái)廠商展開了認(rèn)證與合作，比如MTK8516，全志R16等。此外，東芯較看中物聯(lián)網(wǎng)、智能家電以及人工智能相關(guān)領(lǐng)域。其所有的主流規(guī)格都有高低電壓的產(chǎn)品，其中低功耗電壓就是針對(duì)相關(guān)領(lǐng)域中大量無源設(shè)備對(duì)功耗比較敏感而設(shè)計(jì)。此外東芯與中芯國(guó)際有著良好的合作，能得到一定量的產(chǎn)能供應(yīng)，并且東芯已經(jīng)打入到了華為的存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈當(dāng)中。

未來發(fā)展方向

未來，東芯半導(dǎo)體將以兩條市場(chǎng)主線進(jìn)行產(chǎn)品和技術(shù)研究，利用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝，加大研制力度，通過從性能、質(zhì)量、成本等方面的優(yōu)勢(shì)提升，縮短與國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，改變受制于國(guó)外的不利影響，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。